单一策略的写入光盘的方法技术

一种光驱写入光盘的方法，所述方法包括步骤：　　　　决定光驱写入光盘额凹槽的激光脉冲的最终起始延迟，若凹槽之前为三周期平面，则将凹槽的激光脉冲的最终起始延迟设定为第一值，若凹槽之前为非三周期平面，则将凹槽的激光脉冲的最终起始延迟设定为第二值，其中第一值大于第二值；以及　　　　使用光驱依据凹槽的激光脉冲在光盘中写入凹槽。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术提供一种写入光盘的方法，尤其涉及一种设定光盘的写入策略参数来写入光盘的方法。
技术介绍
一般的光驱，如CD播放器或DVD播放器，当储存数据至光盘时，如CD光盘或DVD光盘，会将数据利用光驱的编码器转换为光盘的储存格式，这种光盘的储存格式通常为RLL(行程长度受限，Run-Length Limited)调制，如八对十四调制波形(Eight-to-Fourteen Modulation Waveform，EFM波形)，EFM波形是将欲储存于光盘上的数据以不同时间长度的方波来表示，以CD光盘为例，储存于其上的方波的每一脉冲及脉冲之间的间隔均为三倍EFM基准周期(EFM base frequency)至十一倍EFM基准周期之间的长度，而光驱就是根据EFM波形将数据烧录至光盘的。光驱在光盘上烧录出长度不一的复数个凹槽(pit)以及平面(land)来表示数据的内容，而凹槽以及平面的长度则正好对应于EFM基准周期的波形。实际应用上，光驱是利用一组写入策略参数(writestrategy parameter)来将EFM基准周期的波形转换成驱动光学拾取头(pickup)的激光脉冲(laser pulse)。当光驱欲写入数据时，也就是在光盘上烧录出凹槽，激光脉冲驱动光学拾取头由一基准态(bias power)切换至一写入态(writepower)，而写入策略参数则是用来定义于不同条件下激光脉冲的长度。请参考图1以及图2，图1为现有写入策略参数的示意图，图2为现有写入策略参数的对照表。EFM基准周期的波形10表示在一光盘中欲写入N周期(NT)长度的凹槽，假设一周期(1T)的分辨率为25＝32，L为激光脉冲12的长度，NsF定义激光脉冲12的最终起始延迟(delay time)，NeF定义激光脉冲12的最终结束延迟，则激光脉冲12的长度L计算如下L＝32(N+2)-NsF-(64-NeF)式(1)化简后可得L＝32N-NsF+NeF式(2)随着光盘烧录技术的进步，高倍速烧录的光驱陆续出现，如32X、48X的光盘播放器，使得EFM基准周期的长度愈来愈短，在此情况下，造成光学拾取头在写入态以及基准态间的切换太快，而影响写入光盘的凹槽以及平面的长度。现有写入策略参数的设定方式，必须分别依据光驱的烧录速度以及光盘的类型来作调整，举例来说，如图2所示，将不同EFM基准周期的激光脉冲12的最终起始延迟NsF设为同一个值，最终结束延迟NeF也设为同一个值，NsF设为34，NeF设为29，则由式(2)可得不同周期的激光脉冲12的长度L。然而这种写入策略参数的设定方式并无法适用到光驱的不同的烧录速度上，而必须依据光驱的不同烧录速度来重新作调整。由上述可知，由于光盘播放器的烧录速度愈来愈快，使得EFM基准周期的长度愈来愈短，光驱对于不同类型的光盘都要设定一套写入策略参数，即使是同一种类型的光盘，于不同的烧录速度也需要使用不同的写入策略参数，所以就同一厂牌的同一光盘而言，光驱就需要对于20X至48X等不同的烧录速度各设定一套不同的写入策略参数，是一项繁杂的工作，更何况市面上光盘的厂牌众多，且产品种类多样化，更加重了设定写入策略参数的工作负荷，而庞大的写入策略参数数据库，亦增大了光驱的内存需求。
技术实现思路
因此本专利技术的主要目的在于提供一种设定写入策略参数的方法，以解决上述问题。本专利技术提供一种光驱写入光盘的方法，所述方法包括步骤决定光驱写入光盘的凹槽的激光脉冲的最终起始延迟，若凹槽之前为三周期平面，则将凹槽的激光脉冲的最终起始延迟设定为第一值，若凹槽之前为非三周期平面，则将凹槽的激光脉冲的最终起始延迟设定为第二值，其中第一值大于第二值；以及使用光驱依据凹槽的激光脉冲在光盘上写入凹槽。本专利技术还提供一种光驱写入一光盘的方法，所述方法包括步骤决定光驱写入光盘的复数个凹槽的激光脉冲的最终起始延迟设定，使复数个凹槽之前为相同周期的平面，其中三周期凹槽的最终起始延迟小于非三周期凹槽的最终起始延迟；以及使用光驱依据激光脉冲的设定写入光盘。本专利技术还提供一种光驱写入光盘的方法，所述方法包括步骤决定光驱写入光盘的凹槽的激光脉冲的最终结束延迟，若凹槽之后为三周期平面，则将凹槽的激光脉冲的最终结束延迟设定为第一值，若凹槽之后为非三周期平面，则将凹槽的激光脉冲的最终结束延迟设定为第二值，其中第一值小于第二值；以及使用光驱依据凹槽的激光脉冲在光盘上写入凹槽。本专利技术还提供一种光驱写入光盘的方法，所述包括步骤决定光驱写入光盘的复数个凹槽的激光脉冲的最终结束延迟设定，使复数个凹槽之后为相同周期的平面，其中三周期凹槽的最终结束延迟大于非三周期凹槽的最终结束延迟；以及使用光驱依据激光脉冲的设定写入光盘。附图说明图1为现有写入策略参数的示意图。图2为现有写入策略参数的对照表。图3为本专利技术写入策略参数的示意图。图4为本专利技术写入策略参数的对照表。图5为本专利技术激光脉冲的最终起始延迟的对照表。图6为本专利技术激光脉冲的最终结束延迟的对照表。具体实施例方式请参考图3，图3为本专利技术写入策略参数的示意图。在本专利技术中，激光脉冲22的最终起始延迟由Ns以及X决定，而激光脉冲22的最终结束延迟由Ne以及Y决定。EFM基准周期的波形20表示在光盘中欲写入N周期(NT)长度的凹槽，假设一周期(1T)的分辨率为25＝32，L为激光脉冲22的长度，Ns为激光脉冲22的起始延迟(delay time)，Ne为激光脉冲22的结束延迟，X为依据激光脉冲22与前一脉冲的间隔(即凹槽之前的平面)而定的修补量，Y依据激光脉冲22与后一脉冲的间隔(即凹槽之后的平面)而定的修补量，则激光脉冲22的长度L计算如下L＝32(N+2)-(Ns-X)-[64-(Ne-Y)]式(3)化简后可得L＝32N-(Ns-X)+(Ne-Y)式(4)其中(Ns-X)定义为激光脉冲22的最终起始延迟，(Ne-Y)定义为激光脉冲22的最终结束延迟。请参考图4，图4为本专利技术写入策略参数的对照表。本专利技术主要是藉由设定写入策略参数(起始延迟Ns、起始延迟修补量X、结束延迟Ne、结束延迟修补量Y)来相对地加长三周期凹槽以及三周期平面的长度，所谓相对是指当三周期凹槽与为非三周期(四周期至十一周期)平面相邻时，能加长三周期凹槽的长度，或是非三周期凹槽与为三周期平面相邻时，能加长三周期平面的长度，而不影响三周期凹槽与三周期平面相邻时或是非三周期凹槽与非三周期平面相邻时凹槽与平面的长度。依据本专利技术的方法，增加三周期凹槽的长度的方法有二点，第一，三周期凹槽的Ns小于非三周期凹槽的Ns；第二，三周期凹槽的Ne大于非三周期凹槽的Ne。而增加三周期平面的长度的方法有亦有二点，第一，对于任一周期的凹槽，凹槽之前为三周期平面的X小于该凹槽之前为非三周期平面的X；第二，对于任一周期的凹槽，该凹槽之后为三周期平面的Y大于该凹槽之后为非三周期平面的Y。在本专利技术较佳实施例中，起始延迟Ns、起始延迟修补量X、结束延迟Ne、结束延迟修补量Y的设定值如图四的对照表所示。请参考图5至图6，图5为本专利技术激光脉冲22的最终起始延迟的对照表，图6为本专利技术激光脉冲22的最终结束延迟的对照表。激光脉冲22的最终起始延迟为(Ns-X)，激光脉冲22的最终结束延迟为(Ne-Y)，所以图4的写入策本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光驱写入光盘的方法，所述方法包括步骤决定光驱写入光盘额凹槽的激光脉冲的最终起始延迟，若凹槽之前为三周期平面，则将凹槽的激光脉冲的最终起始延迟设定为第一值，若凹槽之前为非三周期平面，则将凹槽的激光脉冲的最终起始延迟设定为第二值，其中第一值大于第二值；以及使用光驱依据凹槽的激光脉冲在光盘中写入凹槽。2.如权利要求1所述的方法，其中最终起始延迟包括起始延迟以及起始修补量，所述起始修补量依据凹槽之前的平面而定，所述最终起始延迟为起始延迟与起始修补量的差值。3.如权利要求2所述的方法，还包括步骤决定凹槽的起始延迟，若凹槽为三周期凹槽，则将凹槽的起始延迟设定为第三值，若凹槽为非三周期凹槽，则将凹槽的起始延迟设定为第四值，其中第三值小于第四值。4.如权利要求2所述的方法，还包括步骤决定凹槽的起始修补量，若凹槽之前为三周期平面，则将凹槽的起始修补量定为第五值，若凹槽之前为非三周期平面，则将凹槽的起始修补量定为第六值，其中第五值小于第六值。5.如权利要求1所述的方法，其中非三周期平面为四周期至十一周期其中之一的周期平面。6.如权利要求3所述的方法，其中非三周期凹槽为四周期至十一周期其中之一的周期凹槽。7.如权利要求1所述的方法，其中所述方法使用光驱的某一烧录倍数时的写入策略参数，而后将写入策略参数直接应用于其它不同的烧录倍数。8.一种光驱写入光盘的方法，所述方法包括步骤决定光驱写入光盘的复数个凹槽的激光脉冲的最终起始延迟设定，使复数个凹槽之前为相同周期的平面，其中三周期凹槽的最终起始延迟小于非三周期凹槽的最终起始延迟；以及使用光驱依据激光脉冲的设定写入光盘。9.如权利要求8所述的方法，其中最终起始延迟包括起始延迟以及起始修补量，起始修补量依据凹槽之前的平面而定，最终起始延迟为起始延迟以及起始修补量的差值。10.如权利要求9所述的方法，还包括步骤决定凹槽的起始延迟，若凹槽为三周期凹槽，则将凹槽的起始延迟设定为第一值，若凹槽为非三周期凹槽，则将凹槽的起始延迟设定为第二值，其中第一值小于第二值。11.如权利要求9所述的方法，还包括步骤决定凹槽的起始修补量，若凹槽之前为三周期平面，则将凹槽的起始修补量定为第三值，若凹槽之前为非三周期平面，则将凹槽的起始修补量定为第四值，其中第三值小于第四值。12.如权利要求8所述的方法，其中非三周期凹槽为四周期至十一周期其中之一的周期凹槽。13.如权利要求11所述的方法，其中非三周期平面为四周期至十一周期其中之一的周期平面。14.如权利要求8所述的方法，其中所述方法使用光驱的某一烧录倍数时的写入策略参数，而后将写入策略参数直接应用于其它不同的烧录倍数。15.一种光驱写入光盘的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨佳峰，
申请(专利权)人：明基电通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：