具有CrTiAl前籽晶层的磁性薄膜介质制造技术

本发明专利技术公开了一种具有ＣｒＴｉＡｌ前籽晶层的磁性薄膜介质结构。该ＣｒＴｉＡｌ前籽晶层是非晶或者纳米晶结构。该ＣｒＴｉＡｌ前籽晶层提高了平面ｃ轴取向，同时保持良好的取向率。脉冲转变宽度（ＰＷ５０）变窄，软错误率得以改善。优选的籽晶层是ＲｕＡｌ。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及磁性薄膜介质及其制造方法，特别是涉及具有前籽晶层和底层之前的籽晶层的磁性薄膜盘。
技术介绍
磁头和磁盘系统的典型已有技术如图1所示。工作时，随着悬浮件13在磁盘16之上的飞浮，磁性传感器20被悬浮件13所支承。磁性传感器20通常称为“磁头”或者“滑块”，由执行写入磁性转变(写入磁头23)和读取磁性转变(读取磁头12)的任务的元件组成。来往于读取磁头和写入磁头12、23的电信号沿附着或埋置于悬浮件13的导电路径(引线)14传输。磁性传感器20位于距磁盘16中心不同径向距离之处上面，以便读取和写入环形磁道(未示出)。磁盘16被安装于主轴电机24所驱动的主轴18，使磁盘16旋转。磁盘16包括其上淀积有多层薄膜21的基片26。薄膜21包括铁磁材料，磁头23在其中记录对信息进行编码的磁性转变。参见图2，其中展示了磁性薄膜盘16的特定实施例中的薄膜层。基片26是玻璃。淀积在基片上的非晶初始薄膜称为前籽晶层31。籽晶层32淀积在前籽晶层上。前籽晶层和籽晶层通常都是相对较薄的层。提出用做籽晶层的材料包括铬、钛、钽、Ni3P、MgO、碳、钨、AlN、FeAl、NiAl和RuAl。在授本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于磁记录的薄膜层结构，包括：　　　　具有非晶或者纳米晶结构的ＣｒＴｉＡｌ前籽晶层。

【技术特征摘要】
US 2003-6-26 10/608,8661.一种用于磁记录的薄膜层结构，包括具有非晶或者纳米晶结构的CrTiAl前籽晶层。2.根据权利要求1的薄膜结构，其中还包括位于所述CrTiAl之上的RuAl籽晶层，该RuAl具有B2结晶结构。3.根据权利要求1的薄膜结构，其中CrTiAl层有大约5到20at％的铝。4.根据权利要求1的薄膜结构，其中CrTiAl层淀积在圆周纹理的非金属基片上。5.一种磁性薄膜存储介质，包括基片；淀积在基片上的CrTiAl层；在CrTiAl层上的RuAl层；在RuAl层上的至少一层底层；在底层上的至少一层磁性层。6.根据权利要求5的磁性薄膜存储介质，其中CrTiAl具有5到20at％的铝。7.根据权利要求5的磁性薄膜存储介质，其中CrTiAl具有5到20at％的铝，其余是原子百分比大致相同的铬和钛。8.根据权利要求5的磁性薄膜存储介质，其中RuAl具有B2结晶结构。9.根据权利要求5的磁性薄膜存储介质，其中CrTiAl大约厚10到30nm。10....

【专利技术属性】
技术研发人员：卞晓平，玛丽F朵尔纳，唐凯，肖启凡，
申请(专利权)人：日立环球储存科技荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]