一种隔离同时实现通讯的电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种隔离同时实现通讯的电路，包括全桥正激的驱动模块、过流检测模块、电源切换模块、过压检测模块、开关模块、电源VCC、通讯模块、单片机，电源VCC连接电源切换模块，过流检测模块、电源切换模块、过压检测模块都与全桥正激的驱动模块连接，过压检测模块、通讯模块都与开关模块连接，过流检测模块、电源切换模块都与单片机连接，电源切换模块连接电源VCC，过压检测模块连接通讯模块。本实用新型专利技术不需要专用的PWM芯片和通讯隔离芯片，利用过流检测模块以及过压检测模块还原信号，降低成本，利用变压器耦合特性加普通晶体管来实现隔离，从而不需要光耦等隔离器件，本实用新型专利技术易于大批量生产。型易于大批量生产。型易于大批量生产。

【技术实现步骤摘要】
一种隔离同时实现通讯的电路


[0001]本技术涉及一种隔离同时实现通讯的电路。

技术介绍

[0002]现有的隔离通讯方案，一般采用现成的隔离dcdc模块加隔离通讯ic，或者dcdc芯片加变压器再加隔离通讯ic，实际上在有单片机的系统，dcdc芯片并非必要，很多都只是个不带反馈的PWM芯片而已，隔离模块虽然降低了设计难度和提高了维修方便，在量产方案中没有任何成本优势。

技术实现思路

[0003]本技术的目的是克服现有技术中的不足，提供一种隔离同时实现通讯的电路。
[0004]为了达到上述目的，本技术是通过以下技术方案实现的：
[0005]一种隔离同时实现通讯的电路，包括全桥正激的驱动模块、过流检测模块、电源切换模块、过压检测模块、开关模块、电源VCC、通讯模块、单片机，所述电源VCC连接电源切换模块，所述过流检测模块、电源切换模块、过压检测模块都与全桥正激的驱动模块连接，所述过压检测模块、通讯模块都与开关模块连接，所述过流检测模块、电源切换模块都与单片机连接，所述电源切换模块连接电源VCC，所述过压检测模块连接通讯模块。
[0006]作为优选，全桥正激的驱动模块包括二极管D1、电阻R12、电阻R13、电阻R14、电阻R15、电阻R16、电阻R17、电阻RS1、三极管Q10、三极管Q11、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4、MOS管Q5、电阻RS1、变压器T1，所述二极管D1的正极连接过流检测模块，所述二极管D1的负极连接电源切换模块，所述二极管D1的负极通过电阻R12连接MOS管Q2的G极，所述MOS管Q2的S极连接二极管D1的负极，所述MOS管Q2的D极连接MOS管Q4的D极，所述MOS管Q4的S极连接过流检测模块，所述MOS管Q2的G极通过电阻R14连接三极管Q10的集电极，所述三极管Q10的基极连接电阻R16的一端，所述电阻R16的另一端为GPIO_ST1，所述三极管Q10的发射极连接地信号GND，所述MOS管Q4的G极连接三极管Q11的基极，所述MOS管Q4的S极通过电阻RS1连接地信号GND，所述MOS管Q5的G极连接三极管Q10的基极，所述MOS管Q4的S极连接MOS管Q5的S极，所述MOS管Q4的D极与MOS管Q5的D极之间连接变压器T1的初级线圈，所述MOS管Q5的D极连接MOS管Q3的D极，所述MOS管Q3的S极连接MOS管Q2的S极，所述MOS管Q3的S极通过电阻R13连接MOS管Q3的G极,所述MOS管Q3的G极通过电阻R15连接三极管Q11的集电极，所述三极管Q11的发射极连接地信号GND，所述三极管Q11的基极连接电阻R17的一端，所述电阻R17的另一端为GPIO_ST2，所述GPIO_ST1、GPIO_ST2都用于输入驱动波形，所述变压器T1的次级线圈连接过压检测模块，所述变压器T1的次级线圈连接过压检测模块。
[0007]作为优选，MOS管Q2、MOS管Q3都为P沟道MOS管，所述MOS管Q4、MOS管Q5都为N沟道MOS管，所述三极管Q10、三极管Q11都为NPN三极管。
[0008]作为优选，过流检测模块包括电阻R1、电阻R2、三极管Q6，所述三极管Q6的集电极
连接单片机，所述三极管Q6的集电极通过电阻R1连接全桥正激的驱动模块，所述三极管Q6的发射极连接地信号GND，所述三极管Q6的基极通过电阻R2连接全桥正激的驱动模块，所述三极管Q6为NPN三极管。
[0009]作为优选，电源切换模块包括电阻R9、电阻R10、电阻R11、三极管Q9、MOS管Q1，所述电阻R11的一端连接单片机，所述电阻R11的另一端连接三极管Q9的基极，所述三极管Q9的发射极连接地信号GND，所述三极管Q9的集电极通过电阻R9连接电阻R10的一端，所述电阻R10的另一端连接电源VCC,所述MOS管Q1的S极连接电源VCC，所述MOS管Q1的D极连接全桥正激的驱动模块，所述MOS管Q1的G极连接电阻R10的一端，所述三极管Q9为NPN三极管，所述MOS管Q1为P沟道MOS管。
[0010]作为优选，过压检测模块包括电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、三极管Q8、二极管D2、二极管D3、电容C1，所述电容C1的一端、电阻R8的一端都连接全桥正激的驱动模块，所述电容C1的另一端通过电阻R5连接电阻R8的另一端，所述电阻R8的另一端通过电阻R6连接三极管Q8的基极，所述三极管Q8的发射极通过电阻R7连接地信号GND，所述三极管Q8的发射极连接通讯模块，所述三极管Q8的集电极连接通讯模块，所述二极管D3的正极连接电阻R8的另一端，所述二极管D3的负极连接电容C1的另一端，所述二极管D3的负极通过二极管D2连接开关模块，所述三极管Q8为NPN三极管。
[0011]作为优选，开关模块包括电阻R4、三极管Q7，所述过压检测模块、通讯模块都连接电阻R4的一端，所述电阻R4的另一端连接三极管Q7的集电极，所述三极管Q7的发射极连接地信号GND，所述三极管Q7的基极连接通讯模块，所述三极管Q7为NPN三极管。
[0012]作为优选，通讯模块包括通讯芯片U1、电容C2、电容C3、LM317芯片U2,所述电容C3的一端连接LM317芯片U2的3管脚，所述LM317芯片U2的1管脚连接地信号GND，所述LM317芯片U2的2管脚通过电容C2连接地信号GND，所述LM317芯片U2的2管脚连接通讯芯片U1的8管脚，所述通讯芯片U1的5管脚连接地信号GND，所述通讯芯片U1的4管脚连接开关模块，所述通讯芯片U1的1管脚连接过压检测模块。
[0013]作为优选，通讯芯片U1的型号为max485。
[0014]作为优选，电源VCC为12V。
[0015]本技术的有益效果如下：本技术不需要专用的PWM芯片和通讯隔离芯片，利用过流检测模块以及过压检测模块还原信号，降低成本，利用变压器耦合特性加普通晶体管来实现隔离，从而不需要光耦等隔离器件，本技术易于大批量生产。
附图说明
[0016]图1为本技术的模块连接图；
[0017]图2为本技术的电路原理图；
[0018]图3为本技术在正常供电时的GPIO_ST1输入的驱动波形；
[0019]图4为本技术在正常供电时的GPIO_ST2输入的驱动波形；
[0020]图5为本技术在通讯时的GPIO_ST1输入的驱动波形；
[0021]图6为本技术在通讯时的GPIO_ST2输入的驱动波形。
具体实施方式
[0022]下面结合说明书附图对本技术的技术方案作进一步说明：
[0023]如图1所示，一种隔离同时实现通讯的电路，包括全桥正激的驱动模块1、过流检测模块2、电源切换模块3、过压检测模块4、开关模块5、电源VCC、通讯模块6、单片机7，所述电源VCC连接电源切换模块3，所述过流检测模块2、电源切换模块3、过压检测模块4都与全桥正激的驱动模块1连接，所述过压检测模块4、通讯模块6都与开关本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种隔离同时实现通讯的电路，其特征在于，包括全桥正激的驱动模块(1)、过流检测模块(2)、电源切换模块(3)、过压检测模块(4)、开关模块(5)、电源VCC、通讯模块(6)、单片机(7)，所述电源VCC连接电源切换模块(3)，所述过流检测模块(2)、电源切换模块(3)、过压检测模块(4)都与全桥正激的驱动模块(1)连接，所述过压检测模块(4)、通讯模块(6)都与开关模块(5)连接，所述过流检测模块(2)、电源切换模块(3)都与单片机(7)连接，所述电源切换模块(3)连接电源VCC，所述过压检测模块(4)连接通讯模块(6)。2.根据权利要求1所述一种隔离同时实现通讯的电路，其特征在于，所述全桥正激的驱动模块(1)包括二极管D1、电阻R12、电阻R13、电阻R14、电阻R15、电阻R16、电阻R17、电阻RS1、三极管Q10、三极管Q11、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4、MOS管Q5、电阻RS1、变压器T1，所述二极管D1的正极连接过流检测模块(2)，所述二极管D1的负极连接电源切换模块(3)，所述二极管D1的负极通过电阻R12连接MOS管Q2的G极，所述MOS管Q2的S极连接二极管D1的负极，所述MOS管Q2的D极连接MOS管Q4的D极，所述MOS管Q4的S极连接过流检测模块(2)，所述MOS管Q2的G极通过电阻R14连接三极管Q10的集电极，所述三极管Q10的基极连接电阻R16的一端，所述电阻R16的另一端为GPIO_ST1，所述三极管Q10的发射极连接地信号GND，所述MOS管Q4的G极连接三极管Q11的基极，所述MOS管Q4的S极通过电阻RS1连接地信号GND，所述MOS管Q5的G极连接三极管Q10的基极，所述MOS管Q4的S极连接MOS管Q5的S极，所述MOS管Q4的D极与MOS管Q5的D极之间连接变压器T1的初级线圈，所述MOS管Q5的D极连接MOS管Q3的D极，所述MOS管Q3的S极连接MOS管Q2的S极，所述MOS管Q3的S极通过电阻R13连接MOS管Q3的G极,所述MOS管Q3的G极通过电阻R15连接三极管Q11的集电极，所述三极管Q11的发射极连接地信号GND，所述三极管Q11的基极连接电阻R17的一端，所述电阻R17的另一端为GPIO_ST2，所述GPIO_ST1、GPIO_ST2都用于输入驱动波形，所述变压器T1的次级线圈连接过压检测模块(4)，所述变压器T1的次级线圈连接过压检测模块(4)。3.根据权利要求2所述一种隔离同时实现通讯的电路，其特征在于，所述MOS管Q2、MOS管Q3都为P沟道MOS管，所述MOS管Q4、MOS管Q5都为N沟道MOS管，所述三极管Q10、三极管Q11都为NPN三极管。4.根据权利要求1所述一种隔离同时实现通讯的电路，其特征在于，所述过流检测模块(2)包括电阻R1、电阻R2、三极管Q6，所述三极管Q6的集电极连接单片机(7)，...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴智声，杨庆宏，邓通杭，
申请(专利权)人：福建飞毛腿动力科技有限公司，
类型：新型
国别省市：