磁头滑块用材料及其制造方法、磁头滑块技术

本发明专利技术的磁头滑块用材料由含有氧化铝、碳化钛、碳化硅以及碳的烧结体制成，且以氧化铝的重量为１００重量份，碳化钛以及碳化硅的合计为２０～１５０重量份、碳为０．２～９重量份。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种磁头滑块用材料、磁头滑块以及磁头滑块用材料的制造方法。
技术介绍
含有薄膜磁头的磁头滑块从1979年开始即用于硬盘装置，此时的磁头滑块通常被称为小型滑块(100％滑块)。此后，磁头滑块中间经过约为小型滑块70％大小的微型滑块(70％滑块)发展到约为小型滑块50％大小的纳米滑块(50％滑块)，向更小型化发展。该磁头滑块通常在基板上具有含有薄膜磁头的层叠体。这类磁头滑块通过在基板上层叠含有薄膜磁头的层叠体，作为层叠构造体后，平行于层叠方向切断该层叠构造体，形成薄膜磁头的露出面；研磨该露出面，成为空气轴承面而得到。于是，现有在制造磁头滑块时，例如下述专利文献1所记载的那样，使用以氧化铝和碳化钛为主要成份的高强度烧结体，即所谓Altec烧结体作为磁头滑块的基板。现在的主流是约为小型滑块30％左右的被称为皮可滑块(30％滑块)的磁头滑块，今后，随着硬盘装置的小型化、低成本化，磁头滑块将向更小型化的方向发展，预计将来会过渡到约为小型滑块20％左右大小的飞母托滑块(20％滑块)。伴随磁头滑块的小型化，形成空气轴承面时的研磨工序中，要求降低因基板和在基板上层叠的层叠体的研磨量的不同而产生的空气轴承面的段差。再者，在薄膜磁头的动作时，在写入过程中通上写入用电流，在读出过程中，通上读出用电流，薄膜磁头的薄膜部分被加热。在写入过程中，因写入用电流而产生的热使薄膜部分膨胀，使薄膜部分的介质对面呈现凸状。这类变形有时会使得其与介质的间隙过度减少而产生破坏。再者，有时会因读出用电流产生的热对头功能的寿命造成影响。为了降低这类通电时的热造成的影响，并得到高信赖性，要求提高磁头滑块的放热性。专利文献1特开昭57-82172号公报
技术实现思路
本专利技术即是鉴于上述课题而完成的专利技术，其目的是提供可实现空气轴承面的段差降低且具有充分的强度和充分的放热性的磁头滑块用材料、使用该材料的磁头滑块以及磁头滑块用材料的制造方法。本专利技术人等专心研究的结果发现作为现有磁头滑块的基板使用的Altec烧结体的研磨速度与含有薄膜磁头的层叠体的研磨速度相比要低，由此，研磨时层叠体的研磨量与基板的研磨量相比过度变大，会产生大的段差。而且，本专利技术人等还发现含有氧化铝、碳化钛、碳化硅以及碳的规定组成的烧结体的研磨速度与现有的Altec烧结体的研磨速度相比，充分高且具有充分的强度和高的热传导性，从而达成了本专利技术。本专利技术的磁头滑块用材料是含有氧化铝、碳化钛、碳化硅以及碳且氧化铝的重量为100重量份时，碳化钛以及碳化硅的合计为20～150重量份、碳为0.2～9重量份的烧结体。此外，本专利技术的磁头滑块包括由烧结体制成的基板和在该基板上形成的含有薄膜磁头的层叠体。该烧结体含有氧化铝、碳化钛、碳化硅以及碳且氧化铝的重量为100重量份时，碳化钛以及碳化硅的合计为20～150重量份、碳为0.2～9重量份。利用这些专利技术，该烧结体与现有磁头滑块用材料所使用的Altec烧结体相比研磨速度快，因此，使用该磁头滑块用材料的基板的研磨速度和含有薄膜磁头的层叠体的研磨速度的差比现有的差更小。由此，在制造磁头滑块时，详细地，在由该磁头滑块用材料作成的基板上层叠含有薄膜磁头的层叠体作为层叠构造体，研磨与该层叠构造体的层叠方向平行的剖面并制造磁头滑块时，在由研磨形成的空气轴承面上，层叠体和基板之间难以产生段差。再者，因为该磁头滑块用材料具有充分的强度和充分的放热性，所以可得到信赖性优异的磁头滑块。而且，由于本专利技术的磁头滑块用材料的高热传导性，可以使头部发散的热量更有效率的向系统外部放热，因而，形成薄膜磁头的薄膜部分的底膜的氧化膜(例如氧化铝等)的膜厚可变薄。其结果，由于缩短了氧化膜的成膜时间，可以提升薄膜磁头的生产性效果，或在制造薄膜磁头中，也得到使真空、减压下的成膜工序中的基板材料的温度控制变得容易的效果。在本专利技术的磁头滑块用材料以及磁头滑块中，当烧结体中的碳浓度小于0.2重量份时，与由现有的Altec烧结体作成的基板相比，研磨速度没有充分降低。另一方面，当烧结体的碳浓度超过9重量份时，强度降低。随着碳的浓度变高，磁头滑块用材料的研磨速度降低的理由并不明确，但例如可认为是如下原因。当将碳添加到含有氧化铝、碳化钛以及碳化硅的烧结体时，抑制烧结时的氧化铝、碳化钛、碳化硅的颗粒成长，由此，烧结体的研磨速度变高。此外，由于烧结体含有碳化硅，因此烧结体的热传导得以提高，得到充分的放热性。此外，在本专利技术的磁头滑块用材料以及磁头滑块中，相对于氧化铝100重量份，当烧结体中的碳化钛以及碳化硅的含有比率的合计小于20重量份时，材料的刚性降低且强度降低。另一方面，当烧结体中的碳化钛以及碳化硅的含有比率的合计超过150重量份时，烧结性降低且强度降低。因此，在本专利技术的磁头滑块用材料以及磁头滑块中，以氧化铝的重量为100重量份，烧结体通过含有碳化钛以及碳化硅的合计为20～150重量份、碳为0.2～9重量份，可同时满足高研磨速度、高强度以及充分的放热性。在该磁头滑块用材料以及磁头滑块中，以氧化铝的重量为100重量份，烧结体优选含有0.3～6重量份的碳，更优选含有0.5～3重量份的碳。这时，以充分的水平可同时满足高的研磨速度和高强度。而且，在磁头滑块用材料以及磁头滑块中，以氧化铝的重量为100重量份，烧结体优选含有10～90重量份的碳化硅。当碳化硅的含有比率小于10重量份时，有不能充分得到材料的热传导率的倾向和磁头滑块的放热性不充分的倾向。另一方面，当碳化硅的含有比率超过90重量份时，有材料的热膨胀率降低的倾向；当与薄膜部分的热膨胀率的差变显著时，使用磁头容易在基板和氧化铝底膜之间产生段差。此外，在磁头滑块用材料以及磁头滑块中，以氧化铝的重量为100重量份，烧结体优选含有35重量份以上的碳化钛。这时，容易得到降低材料的电阻、防止静电的效果。此外，在磁头滑块用材料以及磁头滑块中，以氧化铝的重量为100重量份，烧结体还优选含有0.5～10重量份的二氧化钛。这时，容易提高烧结体的烧结性、提高强度。本专利技术的磁头滑块用材料的制造方法包括准备粉末的成形体的工序和在非氧化的气体环境中烧结该成形体的工序。该粉末的成形体含有氧化铝、碳化钛、碳化硅以及碳且以氧化铝的重量为100重量份，碳化钛以及碳化硅的合计为20～150重量份、碳为0.2～9重量份。由此，可优选制造上述磁头滑块用材料。这里，在准备成形体的工序中，混合含有氧化铝的粉末、含有碳化钛的粉末、含有碳化硅的粉末以及含有碳的粉末得到混合粉末，可成形该混合粉末。此外，在准备成形体的工序中，混合含有氧化铝的粉末、含有碳化钛的粉末、含有碳化硅的粉末以及有机物得到混合物，通过在非氧化性的气体环境中热处理该混合物，碳化混合物中的有机物，得到混合粉末，也可成形该混合粉末。而且，在准备成形体的工序中，混合含有氧化铝的粉末、含有碳化钛的粉末、含有碳化硅的粉末以及有机物得到混合物，成形该混合物，通过在非氧化性的气体环境中热处理形成的混合物，也可碳化混合物中的有机物。附图说明图1表示本专利技术实施方式的磁头滑块的斜视图。图2表示图1的磁头滑块上的II-II箭头视图。图3表示用于说明本专利技术实施方式的磁头滑块的制造方法的斜视图。图4(a)、图4(b)表示用于说明本专利技术实施方式的磁头滑块的制造方法本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁头滑块用材料，其特征在于：是含有氧化铝、碳化钛、碳化硅以及碳的烧结体，且以氧化铝的重量为１００重量份时，碳化钛及碳化硅合计为２０～１５０重量份、碳为０．２～９重量份。

【技术特征摘要】
JP 2004-6-30 2004-1946271.一种磁头滑块用材料，其特征在于是含有氧化铝、碳化钛、碳化硅以及碳的烧结体，且以氧化铝的重量为100重量份时，碳化钛及碳化硅合计为20～150重量份、碳为0.2～9重量份。2.如权利要求1所述的磁头滑块用材料，其特征在于以氧化铝的重量为100重量份时，所述烧结体含有0.3～6重量份的碳。3.如权利要求1所述的磁头滑块用材料，其特征在于以氧化铝的重量为100重量份时，所述烧结体含有0.5～3重量份的碳。4.如权利要求1所述的磁头滑块用材料，其特征在于以氧化铝的重量为100重量份时，所述烧结体含有10～90重量份的碳化硅。5.如权利要求1所述的磁头滑块用材料，其特征在于以氧化铝的重量为100重量份时，所述烧结体含有35重量份以上的碳化钛。6.一种磁头滑块，其特征在于包括由烧结体制成的基板和在该基板上形成的含有薄膜磁头的层叠体，所述烧结体含有氧化铝、碳化钛、碳化硅以及碳，且以氧化铝的重量为100重量份时，碳化钛以及碳化硅的合计为20～150重量份、碳为0.2～9重量份。7.如权利要求6所述的磁头滑块，其特征在于以氧化铝的重量为100重量份时，所述烧结体含有0.3～6重量份的碳。8.如权利要求6所述的磁头滑块，其特征在于以氧化铝的重量为100重量份时，所述烧结体含有0.5～3重量份的...

【专利技术属性】
技术研发人员：川口行雄，杉浦启，伊东正弘，樱林实，人见笃志，刘正义，
申请(专利权)人：TDK株式会社，新科实业有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]