磁记录介质、其制造方法及磁读/写装置制造方法及图纸

一种磁记录介质，其在非磁性基片上提供软磁性底涂膜、第一底涂膜、第二底涂膜、垂直磁记录膜、以及保护膜，并且所述第一底涂膜由Ｐｔ、Ｐｄ或包括Ｐｔ和Ｐｄ中至少一种的合金构成，所述第二底涂膜由Ｒｕ或Ｒｕ合金构成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及磁记录介质、其制造方法、以及利用该磁记录介质的磁读/写装置。
技术介绍
作为一种磁读/写装置的硬盘驱动器(HDD)的记录密度目前每年增大60％或更多，并且该趋势被认为将持续下去。因此，目前正在进行对适用于高记录密度的磁记录头和磁记录介质的开发。现在，通常被安装在商业可得的磁读/写装置中的磁记录介质是平面磁记录介质，其中磁性膜中的易磁化轴的取向平行于基片。这里，易磁化轴表示沿其容易发生磁化的轴线，并且在Co合金的情况下，表示具有hcp结构的Co的c轴。在平面磁记录介质中，当记录密度增加时，磁性膜的每比特的体积变得过小，从而由于热波动效应可能破坏读/写特征。另外，当记录密度增大时，由于在记录比特之间的边界区域上的退磁场的影响，容易增加介质噪音。相反，所谓的垂直磁记录介质即使在记录密度增大时也可以防止噪音的增加，因为退磁场在记录比特之间的边界区域上的影响较小，并形成清楚的比特边界，在所述垂直磁记录介质中，磁性膜中的易磁化轴的取向垂直基片。而且，近年来，该垂直磁记录介质已经变成了关注的焦点，因为记录密度越高，其更加静磁稳定、并且抗热波动性(thermal fluctuationresistance)越强。最近，响应进一步增加磁记录介质的记录密度的需求，正在开发单极头的使用，其在垂直磁记录介质上具有较好的写能力。为了有效地使用单极头，已经提出了，在作为记录层的垂直磁记录膜和基片之间提供由软磁性材料构成的称为衬底层的层，以提高磁通量在单极头和磁记录介质之间的流通效率。然而，在只提供衬底层的磁记录介质中，读/写特征变得不足，从而，需要具有较好的记录读/写特征的磁读/写介质。通常，垂直读/写介质具有这样的结构，其中在基片上形成衬底层(软磁性底涂膜)、底涂膜，其使磁记录膜的易磁化轴的取向垂直于基片表面、包括Co合金的垂直磁记录膜、以及保护膜。为了改进磁记录介质的读/写特性，当然可以在垂直磁记录膜上使用低噪音的磁性材料，并且已经提出了几种用于改进层结构的方法，例如日本专利2669529、日本未审查的专利申请第一公开Hei 08-180360、以及日本未审查的专利申请第一公开Hei 07-192244。日本专利2669529提出了这样的方法，其中增加在Ti合金底涂膜与六边形磁性合金膜之间的晶格一致性，并通过在非磁性基片与六边形磁性合金膜之间提供Ti底涂膜、并在Ti底涂膜中引入其它元素，而改进六边形磁性合金膜的c轴取向。然而，当利用Ti合金底涂膜时，磁性合金膜中的交换耦合变大，从而，由于介质噪音增大而难于进一步增加记录密度。日本未审查的专利申请第一公开Hei 08-180360提出了这样的方法，其中通过在非磁性基片与Co合金垂直磁记录膜之间形成由Co和Ru构成的底涂膜，而改进Co合金垂直磁记录膜的c轴取向。然而，由Co和Ru构成的底涂膜降低了垂直磁记录膜中包括的剩余磁化强度Mr与饱和磁化强度Ms的比值，即Mr/Ms。从而，由于Co合金磁性膜中的热稳定性下降，使得进一步增加记录密度变得困难。日本未审查的专利申请第一公开Hei 07-192244提出了在基片和Co合金垂直磁记录膜之间形成Pt底涂膜。然而，当在Pt底涂膜上形成垂直Co合金磁记录膜时，在其之间的晶格尺寸失配增大，从而在垂直磁记录膜的晶体结构中发生畸变。因此，在垂直磁记录膜中的磁颗粒之间的交换耦合变强，并且介质噪音增加，从而难于进一步增加记录密度。
技术实现思路
考虑上述问题，因此，本专利技术的目的是提供一种磁记录介质，其具有改善的读/写特性并高密度地读取和写入数据，本专利技术还提供其制造方法、以及磁读/写装置。为了获得上述目的，本专利技术使用下面的结构(1)用于解决上述问题的第一专利技术是一种磁记录介质，其在非磁性基片上提供至少软磁性底涂膜、第一底涂膜，其控制在其紧上方的膜的取向、第二底涂膜、垂直磁记录膜，其易磁化轴的取向通常垂直于所述基片、以及保护膜，其中所述第一底涂膜由Pt、Pd或包括Pt和Pd中至少一种的合金构成，并且所述第二底涂膜由Ru或Ru合金构成。(2)用于解决上述问题的第二专利技术是一种磁记录介质，其中，在如(1)所述的磁记录介质中，所述第一底涂膜的厚度等于或大于0.5nm并等于或小于10nm。(3)用于解决上述问题的第三专利技术是一种磁记录介质，其中，在如(1)所述的磁记录介质中，所述第二底涂膜的厚度等于或大于0.5nm并等于或小于10nm。(4)用于解决上述问题的第四专利技术是一种磁记录介质，其中，在如(1)所述的磁记录介质中，所述第一底涂膜具有fcc结构。(5)用于解决上述问题的第五专利技术是一种磁记录介质，其中，在如(1)所述的磁记录介质中，具有无定形结构或微晶结构的籽晶膜被提供在所述软磁性底涂膜和所述第一底涂膜之间。(6)用于解决上述问题的第六专利技术是一种磁记录介质，其中，在如(1)所述的磁记录介质中，所述第一底涂膜包括C。(7)用于解决上述问题的第七专利技术是一种磁记录介质，其中，在如(1)所述的磁记录介质中，所述垂直磁记录膜由这样的材料构成，所述材料包括至少Co和Pt、并且其负核场(-Hn)等于或大于0。(8)用于解决上述问题的第八专利技术是一种磁记录介质，其中，在如(1)所述的磁记录介质中，具有颗粒结构的所述第一底涂膜由Pt或Pd以及氧化物构成。(9)用于解决上述问题的第九专利技术是一种磁记录介质，其中，在如(8)所述的磁记录介质中，所述氧化物选自于SiO2、Al2O3、Cr2O3、CoO和Ta2O5。(10)用于解决上述问题的第十专利技术是一种磁记录介质，其中，在如(1)所述的磁记录介质中，所述第二底涂膜具有颗粒结构，并由Ru或Ru合金以及氧化物构成。(11)用于解决上述问题的第十一专利技术是一种磁记录介质，其中，在如(10)所述的磁记录介质中，所述氧化物选自于SiO2、Al2O3、Cr2O3、CoO和Ta2O5。(12)用于解决上述问题的第十二专利技术是一种磁记录介质，其中，在如(1)所述的磁记录介质中，所述垂直磁记录膜由这样的材料构成，在所述材料中，SiO2、Al2O3、ZrO2、Cr2O3和Ta2O5中的至少一种被添加到CoPt合金或CoCrPt合金中。(13)用于解决上述问题的第十三专利技术是一种制造磁记录介质的方法，其中，在非磁性基片上依次形成至少软磁性底涂膜、第一底涂膜，其控制在其紧上方的膜的取向、第二底涂膜、垂直磁记录膜，其易磁化轴的取向通常垂直于所述基片、以及保护膜，所述第一底涂膜由Pt、Pd或包括Pt和Pd中至少一种的合金构成，并且所述第二底涂膜由Ru或Ru合金构成。(14)用于解决上述问题的第十四专利技术是一种包括磁记录介质和磁头的磁读/写装置，所述磁头在所述磁记录介质上读取和写入数据，其中所述磁记录介质在非磁性基片上提供至少软磁性底涂膜、第一底涂膜，其控制在其紧上方的膜的取向、第二底涂膜、以及垂直磁记录膜，其易磁化轴的取向通常垂直于所述基片，所述第一底涂膜由Pt、Pd或包括Pt和Pd中至少一种的合金构成，并且所述第二底涂膜由Ru或Ru合金构成。(15)用于解决上述问题的第十五专利技术是一种磁记录介质，其在非磁性基片上提供至少软磁性底涂膜、底涂膜，其控制在其紧上方的膜的取向和晶体直径、垂直磁记录膜，其易磁化轴的取向通常垂直于所述基片、以及保护膜，其中所述底涂膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁记录介质，其在非磁性基片上提供至少软磁性底涂膜、第一底涂膜，其控制在其紧上方的膜的取向、第二底涂膜、垂直磁记录膜，其易磁化轴通常取向为垂直于所述基片、以及保护膜，其中所述第一底涂膜由Ｐｔ、Ｐｄ或包括Ｐｔ和Ｐｄ中至少一种的合金构成，并且所述第二底涂膜由Ｒｕ或Ｒｕ合金构成。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2003-4-7 103453/2003;JP 2003-1-14 6189/2003;JP 1.一种磁记录介质，其在非磁性基片上提供至少软磁性底涂膜、第一底涂膜，其控制在其紧上方的膜的取向、第二底涂膜、垂直磁记录膜，其易磁化轴通常取向为垂直于所述基片、以及保护膜，其中所述第一底涂膜由Pt、Pd或包括Pt和Pd中至少一种的合金构成，并且所述第二底涂膜由Ru或Ru合金构成。2.如权利要求1所述的磁记录介质，其中所述第一底涂膜的厚度等于或大于0.5nm并等于或小于10nm。3.如权利要求1所述的磁记录介质，其中所述第二底涂膜的厚度等于或大于0.5nm并等于或小于10nm。4.如权利要求1所述的磁记录介质，其中所述第一底涂膜具有fcc结构。5.如权利要求1所述的磁记录介质，其中具有无定形结构或微晶结构的籽晶膜被提供在所述软磁性底涂膜和所述第一底涂膜之间。6.如权利要求1所述的磁记录介质，其中所述第一底涂膜包括C。7.如权利要求1所述的磁记录介质，其中所述垂直磁记录膜由这样的材料构成，所述材料包括至少Co和Pt、并且其负核场(-Hn)等于或大于0。8.如权利要求1所述的磁记录介质，其中具有颗粒结构的所述第一底涂膜由Pt或Pd以及氧化物构成。9.如权利要求8所述的磁记录介质，其中所述氧化物选自于SiO2、Al2O3、Cr2O3、CoO和Ta2O5。10.如权利要求1所述的磁记录介质，其中所述第二底涂膜具有颗粒结构，并由Ru或Ru合金以及氧化物构成。11.如权利要求10所述的磁记录介质，其中所述氧化物选自于SiO2、Al2O3、Cr2O3、CoO和Ta2O5。12.如权利要求1所述的磁记录介质，其中所述垂直磁记录膜由这样的材料构成，所述材料在CoPt合金或CoCrPt合金中添加SiO2、Al2O3、ZrO2、Cr2O3、以及Ta2O5中的至少一种。13.一种制造磁记录介质的方法，所述方法包括以下步骤在非磁性基片上依次形成至少软磁性底涂膜、第一底涂膜，其控制在其紧上方的膜的取向、第二底涂膜、垂直磁记录膜，其易磁化轴通常取向为垂直于所述基片、以及保护膜；并且其中所述第一底涂膜由Pt、Pd或包括Pt和Pd中至少一种的合金构成，并且所述第二底涂膜由Ru或Ru合金构成。14.一种提供磁记录介质和磁头的磁读/写装置，所述磁头在所述磁记录介质上读取和写入数据；其中所述磁头为单极头；以及所述磁记录介质在非磁性基片上提供至少软磁性底涂膜、第一底涂膜，其控制在其紧上方的膜的取向、第二底涂膜、垂直磁记录膜，其易磁化轴通常取向为垂直于所述基片、以及保护膜；并且所述第一底涂...

【专利技术属性】
技术研发人员：清水谦治，坂胁彰，小林一雄，NT董，酒井浩志，彦坂和志，及川壮一，前田知幸，中村太，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[]