一种电磁铁通断控制电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种电磁铁通断控制电路，所述控制电路的输出端连接电磁铁和电源，所述控制电路包括光耦合器、三极管、场效应管，所述光耦合器的输入端连接电信号输入，所述光耦合器的输出端连接所述三极管的基极，所述三极管的发射极连接所述场效应管的栅极，所述场效应管的漏极连接所述电磁铁和电源。通过三极管将场效应管的栅极电压拉低后，场效应管不导通则电磁铁断开。无需在控制电路中增设电源，且该控制电路的输入电压能够与电磁铁的控制电压基本相同，优化电磁铁控制电路，也能够更为精准的控制电磁铁的通断。为精准的控制电磁铁的通断。为精准的控制电磁铁的通断。

【技术实现步骤摘要】
一种电磁铁通断控制电路


[0001]本技术涉及带电显示器的领域，具体而言，涉及应用于带电显示器中的电磁铁通断控制电路。

技术介绍

[0002]电磁铁是通电产生电磁的一种装置，电磁铁广泛的应用在电器、检测设备、大型机械装置中。而现有的电磁铁控制电路中，多采用继电器控制，采用继电器控制电磁铁通断时，需要单独给继电器的控制回路提供电源，电源电路和控制电路较为复杂，成本较高，电路体积大。市场急需一种简化的控制电路，该控制电路电源可与电磁铁电源共用，在降低成本，减小电路体积的同时，保证控制的精准度。
[0003]有鉴于此，专利技术人在研究了现有的技术后特提出本申请。

技术实现思路

[0004]本技术提供了一种电磁铁通断控制电路，旨在优化电磁铁控制电路，提高控制的精准度。
[0005]为解决上述技术问题，本技术提供了一种电磁铁通断控制电路，所述控制电路的输出端连接电磁铁和电源，所述控制电路包括光耦合器、三极管、场效应管，所述光耦合器的输入端连接电信号输入，所述光耦合器的输出端连接所述三极管的基极，所述三极管的发射极连接所述场效应管的栅极，所述场效应管的漏极连接所述电磁铁和电源。
[0006]在一实施例中，所述控制电路包括电压保持电路，所述电压保持电路设在所述三极管与所述场效应管之间。
[0007]在一实施例中，所述三极管采用PNP型三极管。
[0008]在一实施例中，所述场效应管的漏极连接有整流桥，所述整流桥连接电磁铁和电源。
[0009]在一实施例中，所述电压保持电路包括第一滤波和第二滤波，所述第一滤波的两端分别连接所述三极管的发射极和所述场效应管的栅极，所述第二滤波的两端分别连接所述三极管的发射极和所述场效应管的漏极。
[0010]在一实施例中，所述第一滤波包括第一电容、第二电容、第一电阻、第二电阻，所述三极管的发射极连接所述第一电容的正极，所述第一电阻的一端连接所述第二电容和所述第二电阻，所述第一电容和所述第二电容的负极接地，所述第二电阻的另一端连接所述场效应管的栅极。
[0011]在一实施例中，所述第二滤波包括第三电阻、第四电阻和二极管，所述第三电阻的一端连接所述三极管的发射极，所述第三电阻的另一端和所述二极管的负极均连接所述第四电阻的一端，所述二极管的正极接地，所述第四电阻的另一端连接所述场效应管的漏极。
[0012]通过采用上述技术方案，本技术可以取得以下技术效果：
[0013]通过三极管将场效应管的栅极电压拉低后，场效应管不导通则电磁铁断开。无需
在控制电路中增设电源，且该控制电路的输入电压能够与电磁铁的控制电压基本相同，优化电磁铁控制电路，也能够更为精准的控制电磁铁的通断。
附图说明
[0014]为了更清楚地说明本技术实施方式的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0015]图1是本技术一实施例，控制电路的框图示意图；
[0016]图2是本技术一实施例，控制电路的电路图。
[0017]1、电信号模块；2、控制电路；3、电磁铁。
具体实施方式
[0018]为使本技术实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施方式中的附图，对本技术实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本技术一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本技术保护的范围。因此，以下对在附图中提供的本技术的实施方式的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施方式。基于本技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本技术保护的范围。
[0019]参见图1和图2所示，控制电路2的输入端连接电信号模块1，控制电路2的输出端连接电磁铁3。控制电路2包括光耦合器U1、三极管Q2、场效应管Q1，光耦合器U1的输入端连接电信号输入，光耦合器U1的输出端连接三极管Q2的基极，三极管Q2的发射极连接场效应管Q1的栅极，场效应管Q1的漏极连接电磁铁3。
[0020]通过三极管Q2将场效应管Q1的栅极电压拉低后，场效应管Q1不导通则电磁铁3断开。无需在控制电路2中增设电源，且该控制电路2的输入电压能够与电磁铁3的控制电压基本相同，优化电磁铁3控制电路2，也能够更为精准的控制电磁铁3的通断。
[0021]其中，三极管Q2采用PNP型三极管。
[0022]控制电路2包括电压保持电路，电压保持电路设在三极管Q2与场效应管Q1之间。电压保持电路包括第一滤波和第二滤波，第一滤波的两端分别连接三极管Q2的发射极和场效应管Q1的栅极，第二滤波的两端分别连接三极管Q2的发射极和场效应管的漏极。
[0023]场效应管Q1的漏极连接有整流桥DB1，整流桥DB1连接电磁铁3和电源。
[0024]具体的，光耦合器U1采用三极管型光电耦合器，光耦合器U1的输入端连接电信号模块1，光耦合器U1的输出端连接三极管Q2的基极。
[0025]三极管Q2的源极接地，三极管Q2的发射极连接电压保持电路。第五电阻R16的一端三极管Q2的基极，其另一端连接三极管Q2的发射极。
[0026]第一滤波包括第一电容C22、第二电容C23、第一电阻R18、第二电阻R31，三极管Q2的发射极连接第一电容C22的正极，第一电阻R18的一端连接第二电容C23和第二电阻R31，
第一电容C22和第二电容C23的负极接地，第二电阻R31的另一端连接场效应管Q1的栅极。
[0027]第二滤波包括第三电阻R17、第四电阻R20和二极管D11，第三电阻R17的一端连接三极管Q2的发射极，第三电阻R17的另一端和二极管D11的负极均连接第四电阻R20的一端，二极管D11的正极接地，第四电阻R20的另一端连接场效应管Q1的漏极。
[0028]场效应管Q1的漏极连接有整流桥DB1，整流桥DB1的一引脚接地，整流桥DB1的其它两引脚连接电磁铁3和电源。
[0029]以上所述仅为本技术的优选实施方式而已，并不用于限制本技术，对于本领域的技术人员来说，本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电磁铁通断控制电路，所述控制电路的输出端连接电磁铁和电源，其特征在于，所述控制电路包括光耦合器、三极管、场效应管，所述光耦合器的输入端连接电信号输入，所述光耦合器的输出端连接所述三极管的基极，所述三极管的发射极连接所述场效应管的栅极，所述场效应管的漏极连接所述电磁铁和电源。2.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，所述控制电路包括电压保持电路，所述电压保持电路设在所述三极管与所述场效应管之间。3.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，所述三极管采用PNP型三极管。4.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，所述场效应管的漏极连接有整流桥，所述整流桥连接电磁铁和电源。5.根据权利要求2所述的控制电路，其特征在于，所述电压保持电路包括第一滤波和第二滤波，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁忠伟，
申请(专利权)人：厦门立林高压电气有限公司，
类型：新型
国别省市：