一次性写入光记录介质制造技术

一次性写入光记录介质具有无机记录薄膜，该无机记录薄膜包括主要成分是氧化物ＧｅＯ的氧化物薄膜（３）以及与这个氧化物薄膜（３）相邻的金属薄膜（２），金属薄膜（２）的主要成分为钛／硅合金ＴｉＳｉ。按照这个布置方案，能够构成可以通过使用短波长光源和具有出色性能的高数值孔径的光系统进行高密度记录的、具有很大强度而且廉价的一次性光记录介质。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体上涉及一次性写入光记录介质，具体地说，涉及包括无机记录薄膜的一次性写入光记录介质。
技术介绍
一次性写入光记录介质的主流是包括旋涂有有机染料(organicdye)的记录薄膜的一次性写入光记录介质，如众所周知的、称为CD-R(可记录紧致盘)和DVD-R(可记录数字多用盘)的一次性写入CD(紧致盘)和一次性写入DVD(数字多用盘)。此外，提出了例如包括无机记录介质的、能够满足对CD-R的要求的存储元件(例如，见引用的专利参考文献1)另一方面，作为下一代光记录介质而倍受关注的蓝光光盘(Blu-ray Disc，BD)能够实现更高密度信息记录和高清视频记录(高清晰度视频记录)。已经可以在市场上买到最早的BD记录设备，并且，这种BD记录设备可以满足将相变材料(phase-change material)用作记录层的可重写介质的要求。但希望的是，应该按照市场的需要对BD一次性写入介质(BD-R)提出要求，并且，与可重写介质相比，这种BD一次性写入介质应该变得廉价。按照最早的BD的标准，由于最早的BD将相变材料用作其基材，如果根据如推挽信号记录灵敏度等介质特性的观点，将BD-R设计为使用无机材料，则容易使BD-R的特性匹配。或者，BD-R可以将相变材料用作其基材，并且，对这种BD-R进行设计，使得它不能被重新记录，随后它可以满足BD-R标准。但是，按照这个方案，应该对BD-R进行初始化。此外，由于这样的BD-R的薄膜布置、薄膜数量以及材料变得与可重写介质的薄膜布置、薄膜数量以及材料相当，因此难以降低成本并且难以实现廉价的介质。最重要的是，对BD-R的成本影响相当大的因素是薄膜的数量。因此，如果减少薄膜数量，则可以显著减少通过溅射法沉积薄膜的真空蒸发系统的设备投资，这可以反映出介质成本减少。因此，最好尽可能减少薄膜数量，并且，理想的情况应该是实现包括三或四层的光记录介质，层数比相变介质的层数少。在BD介质中，从中读出信息的表面为与基板相对的侧面，例如，厚度为100μm、用作覆盖记录薄膜的薄膜的薄透光层的侧面。当BD为双层介质时，这个透光层的厚度约为70(m。此外，如果完成了多层介质的标准，则透光层的上述厚度可能会根据上述标准变化。从扭曲特性以及记录和再现特性的观点出发，将透光层的上述厚度的范围选择为10(m到177(m可以被认为是令人满意的范围。作为用于形成这个透光层的方法，已经提出了各种方法，例如利用PSA(压敏粘合剂)粘合PC(聚碳酸酯)树脂薄片的方法；利用紫外线固化树脂，即所谓的UV树脂，粘合PC树脂薄片的方法；或者，利用UV树脂形成厚度约为100(m的全部透光层的方法。在这些方法中，与UV树脂相比，PSA的硬度较小，因此，取决于记录材料，PSA可能对扭曲特性以及记录和再现特性产生很大的影响。因此，需要稳定的记录材料和布置方案，即使使用PSA也可以利用其进行令人满意的记录。日本公开的专利申请No.11-144316。
技术实现思路
考虑到上述方面，本专利技术提供一种能够满足上述要求的一次性写入光记录介质。此外，本专利技术提供一种能够减少薄膜数量，从而能够廉价生产的一次性写入光记录介质。此外，本专利技术提供一种一次性写入光记录介质，在这种一次性光记录介质中能够形成具有很大强度的透光层。按照本专利技术的一个方面，提供了一种包括无机记录薄膜的一次性写入光记录介质，该无机记录薄膜包括主要成分是氧化锗GeO的氧化物薄膜以及与氧化物薄膜相邻的、主要成分为钛/硅TiSi的金属薄膜。此外，按照本专利技术，钛/硅合金TiSi具有范围在8原子百分比到32原子百分比以内的Si成分。此外，按照本专利技术，一次性写入光记录介质还包括与主要成分为GeO的氧化物薄膜与金属薄膜相邻的一侧相对一侧的表面相邻设置的电介质薄膜。此外，按照本专利技术，电介质薄膜由ZnS-SiO2制成。此外，按照本专利技术，由ZnS-SiO2制成的电介质薄膜被用作第一电介质薄膜，并且，形成与第一电介质薄膜与氧化物薄膜相邻的一侧相对一侧的表面相邻的由SiN制成的第二电介质薄膜。此外，按照本专利技术，对氧化物薄膜的GeO的氧浓度进行选择，以满足在Ge1Ox的原子组成中，满足等式1.3≤x≤2.2。根据后面进行的描述可以明白，按照本专利技术的一次性写入光记录介质能够提高记录灵敏度并且还能够提高记录性能(即，能够减小抖动)。此外，由于用ZnS-SiO2制成电介质层，因此能够提高记录信号的S/N(信躁比)并且能够得到满意的性能。附图说明图1为示出了按照本专利技术实施例的一次性写入光记录介质的主要部分的示意性截面图；图2示出了按照本专利技术实施例的一次性写入光记录介质的薄膜布置；图3示出了对抖动以及在记录功率方面金属薄膜TiSi的Si成分相关性(记录灵敏度)的测量结果；图4为示出了当对按照本专利技术实施例的一次性写入光记录介质的电介质薄膜厚度以及抖动值进行测量时得到的关系的表格；图5示出了按照本专利技术另一个实施例的一次性写入光记录介质的薄膜布置；图6示出了按照本专利技术另一个实施例的一次性写入光记录介质的薄膜布置；图7示出了当仅将SiN用作例子3中的电介质薄膜时得到的、C/N(载波噪声比)和调制程度的记录功率相关性的测量结果；图8示出了当仅将SiN用作例子4中的电介质薄膜时得到的、C/N(载波噪声比)和调制程度的记录功率相关性的测量结果；图9A为示出了当改变按照本专利技术的一次性写入光记录介质的氧化物薄膜的氧浓度时得到的抖动的测量结果的表格；图9B示出了在图9A中得到的抖动的特性曲线；并且图10为示出了在例子5中，当改变金属薄膜和氧化物薄膜的薄膜厚度时得到的抖动值的测量结果的表格。具体实施例方式尽管以下将对按照本专利技术实施例的一次性写入光记录介质进行描述，但不必说，本专利技术不限于以下的实施例。附图中的图1为示出了例如与按照本专利技术的蓝光光盘对应的BD(Blu-ray Disc)一次性写入光记录介质的基本布置的示意性截面图。如图1所示，在这种情况下，在基板1例如包括不平整表面11的聚碳酸酯(PC)基板和玻璃基板上，沉积构成无机记录薄膜的金属薄膜2和氧化物薄膜3，其中，在不平整表面11上形成了凹槽11G和凸起11L。在氧化物薄膜3上沉积第一和第二电介质薄膜4和5，并且，在第二电介质薄膜5上形成透光层6。氧化物薄膜3是主要成分为氧化锗(Ge)GeO的氧化物薄膜。与这个氧化物薄膜3相邻的金属薄膜2由主要成分为钛硅合金TiSi的金属薄膜构成。对氧化物薄膜3的氧化锗GeO的氧浓度进行选择，以便满足 1.3≤x≤2.2式中，原子组成为Ge1Ox。在金属薄膜2的钛硅合金TiSi中，Si成分被选择为大于8原子百分比并小于32原子百分比。此外，设置在氧化物薄膜3的表面上的第一电介质层4由ZnS-SiO2制成，该表面与氧化物薄膜3的、与金属薄膜2相邻的一侧的表面相对。第二电介质层5由SiN制成，第二电介质层5与第一电介质层4的表面相邻，该表面与第一电介质层4的、与氧化物薄膜3相邻的一侧的表面相对。透光层6的薄膜厚度的范围在10μm到177μm以内。通过用光从透光层6一侧照射，进行用于对这个一次性写入光记录介质10进行一次性记录的光记录和再现。照射光的波长的范围在405nm±5nm以内，光学系统的物镜的数值孔径(N.A.)的范围被选择在0.8本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包括无机记录薄膜的一次性写入光记录介质，所述无机记录薄膜包括：　　　　氧化物薄膜，其主要成分是氧化锗ＧｅＯ；以及　　　　金属薄膜，其主要成分为钛／硅ＴｉＳｉ，该金属薄膜与所述氧化物薄膜相邻。

【技术特征摘要】
JP 2005-3-10 2005-0682101.一种包括无机记录薄膜的一次性写入光记录介质，所述无机记录薄膜包括氧化物薄膜，其主要成分是氧化锗GeO；以及金属薄膜，其主要成分为钛/硅TiSi，该金属薄膜与所述氧化物薄膜相邻。2.如权利要求1所述的一次性写入光记录介质，其中所述钛/硅合金TiSi的Si成分在8原子百分比到32原子百分比的范围以内。3.如权利要求1或2所述的一次性写入光记录介质，其中所述氧化物薄膜的GeO的氧浓度被选择成，在Ge1...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐飞裕一，池田悦郎，小山田光明，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]