【技术实现步骤摘要】
一种石墨烯靶材的制备及其在磁控溅射沉积低摩擦碳薄膜中的应用
[0001]本专利技术涉及一种石墨烯靶材的制备方法，同时还涉及石墨烯靶材在磁控溅射沉积低摩擦碳薄膜中的应用，属于磁控溅射
和复合材料
技术介绍
[0002]碳基薄膜具有良好的机械、摩擦、生物等性能，在摩擦学领域得到了广泛的研究和应用。传统制备碳薄膜的方法主要有化学气相沉积法（CVD）、磁控溅射沉积法等。在磁控溅射沉积技术中，通常利用热解石墨等静压烧结成靶，制备的不含氢碳薄膜摩擦系数通常在0.2~0.7之间，磨损寿命短等问题，虽然可以通过等离子化学气相沉积获得含氢碳薄膜，摩擦系数可以低至0.06左右，但是因为含氢，在某些场合应用受到限制，在要求使用不含氢碳薄膜的场合，如何获得摩擦系数低至0.06，即和含氢碳薄膜摩擦系数相当的不含氢碳薄膜，一直是工程领域的挑战。
[0003]石墨烯是近代兴起的一种新材料，是目前发现的唯一存在的二维自由态原子晶体，是碳的二维材料。以sp
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杂化连接的碳原子紧密堆积成单层二维蜂窝状晶格结构，是构筑零...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种石墨烯靶材的制备方法是将石墨烯和乙二醇搅拌混合均匀，干燥至手捏可以成型的至半干状态，然后置于铣好的铜制靶座模具中，加载压力100~110 MPa，保压1~1.5小时，然后在真空中环境中干燥，即得石墨烯靶材。2.如权利要求1所述一种石墨烯靶材的制备方法，其特征在于：石墨烯和乙二醇按4:1~6:1的质量比混合。3.如权利要求1所述方法制备的石墨烯靶材在溅射沉积碳薄膜中的应用，其特征在于：采用磁控溅射技术，先在清洗后的基底表面溅射沉积Ti过渡层，然后溅射沉积碳薄膜；其具体沉积工艺：以Ti靶为靶材，使用氩气作为稀释气体，调节高功率脉冲溅射电压6...
【专利技术属性】
技术研发人员：张斌，贾倩，张俊彦，
申请(专利权)人：中国科学院兰州化学物理研究所，
类型：发明
国别省市：
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