阵列基底及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种阵列基底及其制作方法，该阵列基底包括基底、间隔设置于基底上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管的第一源漏极与第二薄膜晶体管的氧化物半导体层、第二源漏极同层且间隔设置，第二源漏极与氧化物半导体层桥接连接。本申请通过将第二源漏极与氧化物半导体层间隔设置且桥接连接，有效解决了氧化物半导体薄膜晶体管的源漏极与氧化物半导体材料同层设置时，源漏极的干刻蚀工艺易在氧化物半导体层的表面产生大量缺陷的技术问题。陷的技术问题。陷的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
阵列基底及其制作方法


[0001]本申请涉及显示
，具体涉及一种阵列基底及其制作方法。

技术介绍

[0002]随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。其中，低温多晶硅(Low Temperature Poly
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silicon，LTPS)薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)具有迁移率高，尺寸较小，充电快开关速度快等优点，用于栅极驱动时具有很好的效果；而金属氧化物TFT具有均一性良好及漏电流低的优点；目前可以制备一种用LTPS TFT做栅极驱动和用金属氧化物TFT做显示像素驱动的混合TFT。
[0003]现有的混合TFT采用LTPS TFT和氧化铟镓锌(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)TFT同层形成源漏极的架构，但此种架构中IGZO TFT的源漏极与氧化物半导体层同层搭接形成，因此，IGZO TFT的源漏极的干刻蚀过程会使得氧化物半导体层的表面产生大量缺陷，从而破坏氧化物半导体层的电性。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种阵列基底及其制作方法，使得混合TFT中IGZO TFT的源漏极与氧化物半导体层同层设置时，IGZO TFT的源漏极形成过程中的干刻蚀工艺不影响氧化物半导体层的电性，且IGZO TFT形成正常的导电通路。
[0005]本申请实施例提供一种阵列基底，包括基底、以及间隔设置于所述基底上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；
[0006]所述第一薄膜晶体管包括位于所述基底上的多晶硅半导体层、位于所述多晶硅半导体层上方的第一栅极、及与所述多晶硅半导体层连接的第一源漏极；
[0007]所述第二薄膜晶体管包括位于所述基底上方的氧化物半导体层、位于所述氧化物半导体层一侧的第二栅极、及与所述氧化物半导体层连接的第二源漏极；
[0008]其中，所述第二源漏极与所述氧化物半导体层同层且间隔设置，所述第二源漏极与所述氧化物半导体层桥接。
[0009]在本申请所提供的阵列基底中，所述第一源漏极、所述第二源漏极和所述氧化物半导体层同层且间隔设置。
[0010]在本申请所提供的阵列基底中，所述阵列基底还包括设置于所述第二源漏极和所述氧化物半导体层上的绝缘层、设置于所述绝缘层上的第一桥接部；
[0011]所述绝缘层包括位于所述第二源漏极上方的第一过孔和位于所述氧化物半导体层的上方的第二过孔，所述第一桥接部一端穿过所述第一过孔与所述第二源漏极连接，所述第一桥接部另一端穿过所述第二过孔与所述氧化物半导体层连接。
[0012]在本申请所提供的阵列基底中，所述阵列基底还包括与所述第一桥接部同层设置
的像素电极，所述绝缘层包括位于所述氧化物半导体层上方的第三过孔，所述像素电极通过所述第三过孔与所述氧化物半导体层连接。
[0013]在本申请所提供的阵列基底中，所述绝缘层包括设置于所述第二源漏极和所述氧化物半导体层上的第一绝缘层、以及设置于所述第一绝缘层上的第二绝缘层，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间设有公共电极层；
[0014]所述阵列基底还包括与所述第二源漏极同层设置的公共电极走线，所述绝缘层包括一位于所述公共电极走线上方且至少穿过所述第一绝缘层的第四过孔，所述公共电极层通过所述第四过孔与所述公共电极走线桥接。
[0015]在本申请所提供的阵列基底中，所述阵列基底还包括与所述第一桥接部同层设置的第二桥接部，所述第四过孔穿过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层，所述第二绝缘层包括位于所述公共电极层上方的第五过孔；
[0016]所述第二桥接部一端穿过所述第五过孔与所述公共电极层连接，所述第二桥接部另一端穿过所述第四过孔与所述公共电极走线连接。
[0017]在本申请所提供的阵列基底中，所述第一绝缘层包括设置于所述第二源漏极、所述公共电极走线和所述氧化物半导体层上的第一绝缘子层，以及设置于所述第一绝缘子层上第二绝缘子层，所述第二绝缘层设置于所述第二绝缘子层上，所述第一绝缘子层与所述第二绝缘层的材料相同；
[0018]所述第二绝缘子层包括与所述第一过孔位置相对应的第一开口、与所述第二过孔位置相对应的第二开口、与所述第三过孔位置相对应的第三开口、以及与所述第四过孔位置相对应的第四开口，所述第二绝缘层设置于所述第二绝缘子层上且填充于所述第一开口、第二开口、第三开口和所述第四开口内；
[0019]所述第一过孔依次穿过所述第二绝缘层、第一开口和所述第一绝缘子层，所述第二过孔依次穿过所述第二绝缘层、第二开口和所述第一绝缘子层，所述第三过孔依次穿过所述第二绝缘层、第三开口和所述第一绝缘子层，所述第四过孔依次穿过所述第二绝缘层、第四开口和所述第一绝缘子层。
[0020]本申请还提供一种阵列基底的制作方法，包括以下步骤：
[0021]提供一基底；
[0022]在所述基底上形成相间隔的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括形成于所述基底上的多晶硅半导体层、形成于所述多晶硅半导体层上方的第一栅极、及与所述多晶硅半导体层连接的第一源漏极，所述第二薄膜晶体管包括形成于所述基底上方的氧化物半导体层、形成于所述氧化物半导体层一侧的第二栅极、及与所述氧化物半导体层连接的第二源漏极；
[0023]其中，所述第二源漏极与所述氧化物半导体层相互间隔且同层制作，所述第二源漏极与所述氧化物半导体层采用桥接连接。
[0024]在本申请所提供的阵列基底的制作方法中，所述在所述基底上形成相间隔的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管包括：
[0025]在所述基底上依次形成所述多晶硅半导体层、栅极绝缘层、所述第一栅极和层间绝缘层；
[0026]在所述多晶硅半导体层上方形成穿过所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层的第六
过孔和第七过孔，采用清洗液清洗所述第六过孔和所述第七过孔内所述多晶硅半导体层上的表面氧化物；
[0027]在所述层间绝缘层上形成所述第一源漏极和所述第二源漏极；
[0028]在所述层间绝缘层上形成与所述第二源漏极相间隔的所述氧化物半导体层。
[0029]在本申请所提供的阵列基底的制作方法中，所述在所述基底上形成第二薄膜晶体管还包括：
[0030]在所述层间绝缘层上形成公共电极走线，所述公共电极走线与所述第一源漏极和所述第二源漏极采用同一道制程一体成型；
[0031]在所述第二源漏极、公共电极走线和所述氧化物半导体层上形成第一绝缘子层，在所述第一绝缘子层上形成第二绝缘子层；
[0032]在所述第二绝缘子层上形成位于所述第二源漏极上方的第一开口、位于所述氧化物半导体层的上方的第二开口和第三开口、以及形成位于所述公共电极走线上方的第四开口；
[0033本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基底，其特征在于，包括基底、以及间隔设置于所述基底上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管包括位于所述基底上的多晶硅半导体层、位于所述多晶硅半导体层上方的第一栅极、及与所述多晶硅半导体层连接的第一源漏极；所述第二薄膜晶体管包括位于所述基底上方的氧化物半导体层、位于所述氧化物半导体层一侧的第二栅极、及与所述氧化物半导体层连接的第二源漏极；其中，所述第二源漏极与所述氧化物半导体层同层且间隔设置，所述第二源漏极与所述氧化物半导体层桥接。2.如权利要求1所述的阵列基底，其特征在于，所述第一源漏极、所述第二源漏极和所述氧化物半导体层同层且间隔设置。3.如权利要求1所述的阵列基底，其特征在于，所述阵列基底还包括设置于所述第二源漏极和所述氧化物半导体层上的绝缘层、设置于所述绝缘层上的第一桥接部；所述绝缘层包括位于所述第二源漏极上方的第一过孔和位于所述氧化物半导体层的上方的第二过孔，所述第一桥接部一端穿过所述第一过孔与所述第二源漏极连接，所述第一桥接部另一端穿过所述第二过孔与所述氧化物半导体层连接。4.如权利要求3所述的阵列基底，其特征在于，所述阵列基底还包括与所述第一桥接部同层设置的像素电极，所述绝缘层包括位于所述氧化物半导体层上方的第三过孔，所述像素电极通过所述第三过孔与所述氧化物半导体层连接。5.如权利要求4所述的阵列基底，其特征在于，所述绝缘层包括设置于所述第二源漏极和所述氧化物半导体层上的第一绝缘层、以及设置于所述第一绝缘层上的第二绝缘层，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间设有公共电极层；所述阵列基底还包括与所述第二源漏极同层设置的公共电极走线，所述绝缘层包括一位于所述公共电极走线上方且至少穿过所述第一绝缘层的第四过孔，所述公共电极层通过所述第四过孔与所述公共电极走线桥接。6.如权利要求5所述的阵列基底，其特征在于，所述阵列基底还包括与所述第一桥接部同层设置的第二桥接部，所述第四过孔穿过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层，所述第二绝缘层包括位于所述公共电极层上方的第五过孔；所述第二桥接部一端穿过所述第五过孔与所述公共电极层连接，所述第二桥接部另一端穿过所述第四过孔与所述公共电极走线连接。7.如权利要求6所述的阵列基底，其特征在于，所述第一绝缘层包括设置于所述第二源漏极、所述公共电极走线和所述氧化物半导体层上的第一绝缘子层，以及设置于所述第一绝缘子层上的第二绝缘子层，所述第二绝缘层设置于所述第二绝缘子层上，所述第一绝缘子层与所述第二绝缘层的材料相同；所述第二绝缘子层包括与所述第一过孔位置相对应的第一开口、与所述第二过孔位置相对应的第二开口、与所述第三过孔位置相对应的第三开口、以及与所述第四过孔位置相对应的第四开口，所述第二绝缘层设置于所述第二绝缘子层上且填充于所述第一开口、第二开口、第三开口和所述第四开口内；所述第一过孔依次穿过所述第二绝缘层、第一开口和所述第一绝缘子层，所述第二过孔依次穿过所述第二绝缘层...

【专利技术属性】
技术研发人员：艾飞，罗成志，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：