显示面板制造技术

本申请公开了一种显示面板，通过设置LED芯片的P电极与N电极的高度差，与阵列基板的第一像素电极与第二像素电极的高度差相同，使得第一像素电极所受到P电极的力度，与第二像素电极所受到N电极的力度是相同的，从而有利于提高所述LED芯片和阵列基板的绑定良率。提高所述LED芯片和阵列基板的绑定良率。提高所述LED芯片和阵列基板的绑定良率。

【技术实现步骤摘要】
显示面板


[0001]本申请涉及显示
，尤其涉及一种显示面板。

技术介绍

[0002]Micro LED显示技术由于其亮度高、电压低、能耗低、稳定性好、寿命长、色域宽等优点被认为是下一代新型显示技术，有望在诸多领域取得广泛的应用。目前，水平结构的LED芯片在面板的电路设计及绑定(bonding)工艺上具有优势。但是，LED芯片的P电极与N电极存在高度差，导致LED芯片绑定时P电极与N电极承受的压力不同，引起N电极处绑定接触不良，形成暗点。
[0003]具体的，水平LED芯片的P电极与N电极存在约1um的高度差，异方性导电膜(Anisotropic Conductive Film,ACF)中导电粒子的直径一般在2
‑
3um之间。阵列基板中的VDD电极、VSS电极与源漏极层同层设置，且由同一金属层蚀刻形成。
[0004]如图1所示，当LED芯片10与阵列基板20进行绑定时，在温度、压力和时间的共同作用下，ACF导电粒子实现LED芯片与阵列基板在垂直方向导通，水平方向绝缘。然而，由于P电极与N电极之间的高度差，使得LED芯片与阵列基板在压合过程中，P电极率先压合至阵列基板的VDD电极，而N电极与VSS电极存在1um的高度差。
[0005]因此，在LED芯片与阵列基板进行绑定的过程中，容易导致N电极与VSS电极之间接触不良的风险，形成大量暗点，进而影响显示面板的品质。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的在于，提供一种显示面板，以解决LED芯片与阵列基板在绑定过程中，N电极与VSS电极存在高度差导致接触不良的技术问题。
[0007]为实现上述目的，本专利技术提供一种显示面板，包括相互绑定压合的LED芯片和阵列基板；所述LED芯片包括：基底；以及第一电极部和第二电极部，突出于所述基底的上表面；其中，所述第二电极部的高度低于所述第一电极部的高度；所述阵列基板包括：衬底层，设有一压合槽；第一像素电极，设于所述压合槽内；第二像素电极，设于所述衬底层的上表面；以及异方性导电膜，设于所述衬底层、所述第一像素电极及所述第二像素电极上；当所述LED芯片与所述阵列基板相互绑定压合时，所述第一电极部压合至所述压合槽，且连接至所述第一像素电极；所述第二电极部连接至所述第二像素电极。
[0008]进一步地，所述第二电极部与所述第一电极部的高度差，与所述第一像素电极与所述第二像素电极的高度差相同；所述第一电极部的高度与所述压合凹槽的深度相同。
[0009]进一步地，所述衬底层包括：玻璃基板；遮光层，设于所述玻璃基板上；缓冲层，覆盖所述遮光层，且延伸至所述玻璃基板上；有源层，设于所述缓冲上，且正对着部分所述遮光层；栅极绝缘层，设于所述有源层上；第一金属层，设于所述栅极绝缘层上；介电层，覆盖所述第一金属层，且延伸至所述有源层、所述缓冲层上；第一通孔，从所述介电层贯穿至所述有源层的表面；第二通孔，从所述介电层贯穿至所述有源层的表面；第三通孔，设于所述
第二通孔且远离所述第一通孔的一侧，所述第三通孔从所述介电层贯穿至所述遮光层的表面；以及第四通孔，设于所述第三通孔且远离所述第一通孔的一侧，所述第四通孔从所述介电层贯穿至所述遮光层的表面；第二金属层，被图案化形成源极走线、漏极走线、VDD走线以及VSS走线；其中，所述源极走线通过所述第一通孔连接至所述有源层；所述漏极走线通过所述第二通孔连接至所述有源层，所述漏极通过所述第三通孔连接至所述遮光层；所述VDD走线设于所述第四通孔的底部，连接至所述遮光层，其中所述VDD走线上表面与所述第四通孔的侧壁围成一凹槽；所述VSS走线设于所述介电层上且远离所述第一通孔的一侧；以及钝化层，设于所述介电层上，且覆盖所述源极走线和所述漏极走线。
[0010]进一步地，所述第一像素电极设于所述凹槽内，连接至所述VDD走线，且从所述凹槽的侧壁延伸至底壁形成所述压合槽；所述第二像素电极设于所述VSS走线上，且延伸至部分所述钝化层的表面。
[0011]进一步地，所述衬底层包括：玻璃基板；遮光层，设于所述玻璃基板上；缓冲层，覆盖所述遮光层，且延伸至所述玻璃基板上；有源层，设于所述缓冲上，且正对着部分所述遮光层；栅极绝缘层，设于所述有源层上及所述缓冲层上；第一金属层，包括第一栅极和第二栅极，所述第一金属层设于所述栅极绝缘层上；介电层，覆盖所述第一金属层，且延伸至所述有源层、所述缓冲层上；第一通孔，从所述介电层贯穿至所述有源层的表面；第二通孔，从所述介电层贯穿至所述有源层的表面；第三通孔，设于所述第二通孔且远离所述第一通孔的一侧，所述第三通孔从所述介电层贯穿至所述遮光层的表面；以及第四通孔，设于所述第三通孔且远离所述第一通孔的一侧，所述第四通孔从所述介电层贯穿至所述第二栅极的表面；第二金属层，被图案化形成源极走线、漏极走线、VDD走线以及VSS走线；其中，所述源极走线通过所述第一通孔连接至所述有源层；所述漏极走线通过所述第二通孔连接至所述有源层，所述漏极通过所述第三通孔连接至所述遮光层；所述VDD走线设于所述第四通孔的底部，连接至所述第二栅极，其中所述VDD走线上表面与所述第四通孔的侧壁围成一凹槽；所述VSS走线设于所述介电层上且远离所述第一通孔的一侧；以及钝化层，设于所述介电层上，且覆盖所述源极走线和所述漏极走线，所述钝化层设有第五通孔，贯穿至所述VSS走线的表面。
[0012]进一步地，所述第一像素电极设于所述凹槽内，且连接至所述VDD走线，其中所述第一像素电极的上表面与所述凹槽的侧壁，形成所述压合槽；所述第二像素电极通过所述第五通孔连接至所述VSS走线，且延伸至所述钝化层的表面。
[0013]进一步地，所述衬底层包括：玻璃基板；第一金属层，设于所述玻璃基板上，且被图案化形成栅极和VDD走线；栅极绝缘层，设于所述玻璃基板上，且覆盖所述栅极；有源层，设于所述栅极绝缘层上，且正对于所述栅极；绝缘层，设于所述栅极绝缘层上，且覆盖所述有源层；第六通孔，从所述绝缘层贯穿至所述有源层的表面；第七通孔，从所述绝缘层贯穿至所述有源层的表面；第二金属层，被图案化形成源极走线、漏极走线、VDD走线以及VSS走线；其中，所述源极走线通过所述第六通孔连接至所述有源层；所述漏极走线通过所述第七通孔连接至所述有源层，且延伸至所述VDD走线上；所述VSS走线设于所述绝缘层上；以及钝化层，设于所述绝缘层上，且覆盖所述源极走线和部分所述漏极走线。
[0014]进一步地，所述第一像素电极从所述钝化层的侧壁延伸至所述漏极走线的侧壁，且连接至所述VDD走线，形成所述压合槽；所述第二像素电极设于所述钝化层上，且延伸至
部分所述钝化层上。
[0015]进一步地，所述衬底层包括：玻璃基板；第一金属层，设于所述玻璃基板上，被图案化形成第一栅极和第二栅极；栅极绝缘层，设于所述玻璃基板上，且覆盖所述第一栅极；有源层，设于所述栅极绝缘层上，且正对于所述第一栅极；第八通孔，从所述栅极绝缘层贯穿至所述玻璃基板表面；第二金属层，被图案化形成源极走线、漏极走线、VDD走线以及VSS走线；本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括相互绑定压合的LED芯片和阵列基板；所述LED芯片包括：基底；以及第一电极部和第二电极部，突出于所述基底的上表面；其中，所述第二电极部的高度低于所述第一电极部的高度；所述阵列基板包括：衬底层，设有一压合槽；第一像素电极，设于所述压合槽内；第二像素电极，设于所述衬底层的上表面；以及异方性导电膜，设于所述衬底层、所述第一像素电极及所述第二像素电极上；当所述LED芯片与所述阵列基板相互绑定压合时，所述第一电极部压合至所述压合槽，且连接至所述第一像素电极；所述第二电极部连接至所述第二像素电极。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二电极部与所述第一电极部的高度差，与所述第一像素电极与所述第二像素电极的高度差相同；所述第一电极部的高度与所述压合凹槽的深度相同。3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述衬底层包括：玻璃基板；遮光层，设于所述玻璃基板上；缓冲层，覆盖所述遮光层，且延伸至所述玻璃基板上；有源层，设于所述缓冲上，且正对着部分所述遮光层；栅极绝缘层，设于所述有源层上；第一金属层，设于所述栅极绝缘层上；介电层，覆盖所述第一金属层，且延伸至所述有源层、所述缓冲层上；第一通孔，从所述介电层贯穿至所述有源层的表面；第二通孔，从所述介电层贯穿至所述有源层的表面；第三通孔，设于所述第二通孔且远离所述第一通孔的一侧，所述第三通孔从所述介电层贯穿至所述遮光层的表面；以及第四通孔，设于所述第三通孔且远离所述第一通孔的一侧，所述第四通孔从所述介电层贯穿至所述遮光层的表面；第二金属层，被图案化形成源极走线、漏极走线、VDD走线以及VSS走线；其中，所述源极走线通过所述第一通孔连接至所述有源层；所述漏极走线通过所述第二通孔连接至所述有源层，所述漏极通过所述第三通孔连接至所述遮光层；所述VDD走线设于所述第四通孔的底部，连接至所述遮光层，其中所述VDD走线上表面与所述第四通孔的侧壁围成一凹槽；所述VSS走线设于所述介电层上且远离所述第一通孔的一侧；以及钝化层，设于所述介电层上，且覆盖所述源极走线和所述漏极走线。4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一像素电极设于所述凹槽内，连接至所述VDD走线，且从所述凹槽的侧壁延伸至底壁形成所述压合槽；
所述第二像素电极设于所述VSS走线上，且延伸至部分所述钝化层的表面。5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述衬底层包括：玻璃基板；遮光层，设于所述玻璃基板上；缓冲层，覆盖所述遮光层，且延伸至所述玻璃基板上；有源层，设于所述缓冲上，且正对着部分所述遮光层；栅极绝缘层，设于所述有源层上及所述缓冲层上；第一金属层，包括第一栅极和第二栅极，所述第一金属层设于所述栅极绝缘层上；介电层，覆盖所述第一金属层，且延伸至所述有源层、所述缓冲层上；第一通孔，从所述介电层贯穿至所述有源层的表面；第二通孔，从所述介电层贯穿至所述有源层的表面；第三通孔，设于所述第二通孔且远离所述第一通孔的一侧，所述第三通孔从所述介电层贯穿至所述遮光层的表面；以及第四通孔，设于所述第三通孔且远离所述第一通孔的一侧，所述第四通孔从所述介电层贯穿至所述第二栅极的表面；第二金属层，被图案化形成源极走线、漏...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘念，卢马才，冯铮宇，梅雪茹，柳铭岗，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：