垂直平面电流结构的磁阻元件和磁头滑块制造技术

磁阻膜（４４）沿着与介质相对表面相交的基准面（４３）延伸。非磁体（４７）在与磁阻膜（４４）相邻的位置处沿着基准面（４３）延伸。省略了所谓的磁畴控制膜。本发明专利技术者已发现在ＣＰＰ结构的磁阻元件中基于电流磁场，可以在沿着介质相对表面的预定方向上建立足够的磁化。只要保持所产生的热量，即电能恒定，就可以在自由铁磁层中建立足够强度的磁场。可以以方便的方式容易地控制磁化方向。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及利用磁阻(MR)膜的磁阻(MR)元件，所述磁阻膜例如旋阀膜、隧道结膜等。具体而言，本专利技术涉及垂直平面电流(CPP)结构的磁阻元件，其允许感应电流具有与接纳磁阻膜的基底的表面垂直的分量。
技术介绍
传统的CPP结构的磁阻元件通常包括诸如叠在基底表面上的旋阀膜之类的磁阻膜。例如，旋阀膜被置于沿基底表面的一对磁畴控制膜之间。在磁畴控制膜之间沿预定方向建立偏置磁场。偏置磁场用来使旋阀膜内的自由铁磁层的磁化一致。由此可以抑制所谓的巴克豪森(Barkhausen)噪声。磁畴控制膜由硬磁材料制成。具体而言，磁畴控制膜形成硬磁膜。偏置磁场的强度取决于磁畴控制膜的厚度和残留磁化的强度。与传统的平面电流(CIP)结构的磁阻元件相比，CPP结构的MR元件使得能够减小磁阻膜的尺寸。磁阻膜的尺寸减小导致磁畴控制膜之间的距离减小。这就允许磁阻膜中的自由铁磁层接受过大强度的偏置磁场。在此情况下的偏置磁场趋向于阻碍自由铁磁层中的磁化旋转。专利文献1日本专利申请公开No.2000-149225
技术实现思路
因此本专利技术的一个目的是提供一种能够根据磁阻膜的尺寸来以方便的方式控制磁阻膜的自由铁磁层中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种垂直平面电流结构的磁阻元件，包括：限定出与介质相对表面相交的基准面的下电极；与所述基准面相对隔开预定距离的上电极；位于所述上电极和下电极之间的空间中的单个磁阻膜，所述磁阻膜沿所述基准面与所述下电极接触着延伸；和在与所述磁阻膜相邻的位置处沿着所述基准面延伸的非磁体。

【技术特征摘要】
JP 2002-10-9 2002-2960801.一种垂直平面电流结构的磁阻元件，包括限定出与介质相对表面相交的基准面的下电极；与所述基准面相对隔开预定距离的上电极；位于所述上电极和下电极之间的空间中的单个磁阻膜，所述磁阻膜沿所述基准面与所述下电极接触着延伸；和在与所述磁阻膜相邻的位置处沿着所述基准面延伸的非磁体。2.如权利要求1所述的垂直平面电流结构的磁阻元件，还包括沿着所述介质相对表面将所述上电极和下电极、所述磁阻膜以及所述非磁体夹在其间的上防护层和下防护层；和沿所述介质相对表面与所述磁阻膜平行地从所述上防护层向所述下防护层延伸的软磁体。3.如权利要求2所述的垂直平面电流结构的磁阻元件，其中所述软磁体连接到所述上防护层和下防护层中的任一个。4.如权利要求2所述的垂直平...

【专利技术属性】
技术研发人员：近藤玲子，清水丰，田中厚志，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]