【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及基于噻唑基-吡啶的染料在光学层中用于光学数据记录,优选利用波长高达450nm的激光用于光学数据记录的用途。本专利技术还涉及能用蓝色激光的辐射记录和复制信息的一次性写入多次读出(WORM)型光学记录介质,其在光学层中使用基于噻唑基-吡啶的染料。本专利技术还涉及新的基于噻唑基-吡啶的染料化合物。近来,在二极管-激光光学存储器领域中有机染料已吸引了相当大的注意力。商业可记录光盘(CD-R)和可记录数字多用途光盘(DVD-R)可包含以酞菁、半菁、花菁和金属化偶氮结构为基础的许多染料作为记录层。这些染料适用于具有激光波长标准的各领域。其他对于染料介质的一般要求是强吸收性、高反射比、高记录灵敏度、低导热性以及光和热稳定性、存储持久性或无毒性。对于工业应用来说,这些染料必须适于旋涂方法以制备薄膜,即其必须充分地可溶于旋涂方法中通常所用的有机溶剂中。WORM(一次性写入多次读出)型和可擦除型光学记录介质在记录之前和之后通过检测由物理变形、光学特征的变化以及记录层的相和磁特性引起的反射率的改变来复制信息。可记录光盘(CD-R)作为WORM型光学记录介质而普遍熟悉。近来,具有高达4.7千兆字节的增加的信息存储能力的数字多用途光盘(DVD)已经商业化。DVD-R技术选定波长为630-670nm的红色二极管激光作为光源。从而,凹坑尺寸和轨道间隔可降低,与CD-R相比,信息存储容量增加高达6-8倍。Blu-ray盘(Blu-ray盘是由Hitachi Ltd.、LG Electronics Inc.、Matsushita Electric Indust ...
【技术保护点】
一种光学层,所述光学层包含至少一种式(Ⅰ)或(Ⅱ)的染料化合物***其中R↓[1]表示直链或支链C↓[1-12]烷基,R↓[2]至R↓[5]彼此独立地表示氢、氰基(-CN)、卤素、硝基(NO↓[2])、羟基、C↓[1-8]烷氧基(-OR),其中所述烷基(R)可未被取代或被C↓[1-8]烷基、羟基(-OH)、C↓[6-12]芳基或-NR↓[8]R↓[9]取代,其中R↓[8]和R↓[9]独立为氢、C↓[1-8]烷基或C↓[6-12]芳基;C↓[1-8]烷基,其中所述烷基可未被取代或被C↓[1-8]烷基、羟基(-OH)、C↓[6-12]芳基或-NR↓[8]R↓[9]取代,其中R↓[8]和R↓[9]独立为氢、C↓[1-8]烷基或C↓[6-12]芳基;CX↓[3],其中X可为氯、氟、溴;C↓[1-8]烷硫基,其中所述烷基可未被取代或被C↓[1-8]烷基、羟基(-OH)、C↓[6-12]芳基或-NR↓[8]R↓[9]取代,其中R↓[8]和R↓[9]独立为氢、C↓[1-8]烷基或C↓[6-12]芳基;R↓[2]和R↓[3],R↓[4]和R↓[5],R↓[3]和R↓[4](仅对(Ⅱ)来说)可形成饱和或 ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】EP 2004-9-2 04020850.61.一种光学层,所述光学层包含至少一种式(I)或(II)的染料化合物 其中R1表示直链或支链C1-12烷基,R2至R5彼此独立地表示氢、氰基(-CN)、卤素、硝基(NO2)、羟基、C1-8烷氧基(-OR),其中所述烷基(R)可未被取代或被C1-8烷基、羟基(-OH)、C6-12芳基或-NR8R9取代,其中R8和R9独立为氢、C1-8烷基或C6-12芳基;C1-8烷基,其中所述烷基可未被取代或被C1-8烷基、羟基(-OH)、C6-12芳基或-NR8R9取代,其中R8和R9独立为氢、C1-8烷基或C6-12芳基;CX3,其中X可为氯、氟、溴;C1-8烷硫基,其中所述烷基可未被取代或被C1-8烷基、羟基(-OH)、C6-12芳基或-NR8R9取代,其中R8和R9独立为氢、C1-8烷基或C6-12芳基;R2和R3,R4和R5,R3和R4(仅对(II)来说)可形成饱和或不饱和碳环或杂环五元或六元环,所述杂环可另外含有氧或其他氮作为环成员,R6至R7彼此独立地表示氢、氰基(-CN)、卤素、硝基(NO2)、羟基、直链或支链C1-8烷氧基(-OR),其中所述烷基(R)可未被取代或被C1-8烷基、羟基(-OH)、C6-12芳基或-NR8R9取代,其中R8和R9独立为氢、C1-8烷基或C6-12芳基;直链或支链C1-8烷基,其中所述烷基可未被取代或被C1-8烷基、羟基(-OH)、C6-12芳基或-NR8R9取代,其中R8和R9独立为氢、C1-8烷基或C6-12芳基;CX3,其中X可为氯、氟、溴;直链或支链C1-8烷硫基,其中所述烷基可未被取代或被C1-8烷基、羟基(-OH)、C6-12芳基或-NR8R9取代,其中R8和R9独立为氢、C1-8烷基或C6-12芳基;C6-12芳基,其未被取代或被C1-8烷基、羟基(-OH)、硝基(NO2)、氰基(-CN)、卤素、C6-12芳基、-NR8R9或C1-C8烷氧基(-OR)取代,其中R8和R9独立为氢、C1-8烷基或C6-12芳基;或R6和R7可形成碳环六元环以得到由式(III)或(IV)表示的式(I)或(II)的化合物 其中R10-R13彼此独立地表示氢、氰基(-CN)、卤素、硝基(NO2)、羟基、C1-8烷氧基(-OR),其中所述烷基(R)可未被取代或被C1-8烷基、羟基(-OH)、C6-12芳基或-NR8R9取代,其中R8和R9独立为氢、C1-8烷基或C6-12芳基;C1-8烷基,其中所述烷基可未被取代或被C1-8烷基、羟基(-OH)、C6-12芳基或-NR8R9取代,其中R8和R9独立为氢、C1-8烷基或C6-12芳基;CX3,其中X可为氯、氟、溴;C1-8烷硫基,其中所述烷基可未被取代或被C1-8烷基、羟基(-OH)、C6-12芳基或-NR8R9取代,其中R8和R9独立为氢、C1-8烷基或C6-12芳基;An-表示反荷阴离子,选自无机阴离子,例如碘离子、氟离子、溴离子、氯离子、高氯酸根、六氟锑酸根、六氟磷酸根、四氟硼酸根、四苯基硼酸根;或有机阴离子,例如二氰基氨基(N(CN)2)或二(三氟甲磺酰)氨基(N(SO2CF3)2);或An-还可为基于钴金属的阴离子偶氮金属络合物。2.权利要求1的光学层,其中R1表示直链或支链C1-12烷基,R2至R5彼此独立地表示氢、氰基(-CN)、卤素、硝基(NO2)、羟基、C1-8烷氧基(-OR),其中所述烷基(R)可未被取代或被C1-8烷基、羟基(-OH)、C6-12芳基或-NR8R9取代,其中R8和R9独立为氢、C1-8烷基或C6-12芳基;C1-8烷基,其中所述烷基可未被取代或被C1-8烷基、羟基(-OH)、C6-12芳基或-NR8R9取代,其中R8和R9独立为氢、C1-8烷基或C6-12芳基;CX3,其中X可为氯、氟、溴;C1-8烷硫基,其中所述烷基可未被取代或被C1-8烷基、羟基(-OH)、C6-12芳基或-NR8R9取代,其中R8和R9独立为氢、C1-8烷基或C6-12芳基;R2和R3,R4和R5,可形成饱和或不饱和碳环或杂环五元或六元环,所述杂环可另外含有氧或其他氮作为环成员,R6至R7彼此独立地表示氢、氰基(-CN)、卤素、硝基(NO2)、羟基、直链或支链C1-8烷氧基(-OR),其中所述烷基(R)可未被取代或被C1-8烷基、羟基(-OH)、C6-12芳基或-NR8R9取代,其中R8和R9独立为氢、C1-8烷基或C6-12芳基;直链或支链C1-8烷基...
【专利技术属性】
技术研发人员:A韦斯,
申请(专利权)人:克莱里安特财务BVI有限公司,
类型:发明
国别省市:GB[英国]
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