连接结构体、电路连接构件和粘接剂组合物制造技术

本发明专利技术提供连接结构体、电路连接构件和粘接剂组合物。一种连接结构体，其具备：具有第一电路电极的第一电路构件；具有第二电路电极的第二电路构件；以及设置于第一电路构件和第二电路构件之间且将第一电路电极和第二电路电极相互电连接的电路连接构件，电路连接构件在温度t时的线热膨胀量L(t)满足在t＝30℃～12℃的至少任一者时dL(t)/dt＜0的条件。℃的至少任一者时dL(t)/dt＜0的条件。℃的至少任一者时dL(t)/dt＜0的条件。

【技术实现步骤摘要】
连接结构体、电路连接构件和粘接剂组合物
[0001]本专利技术是申请号为2017800627096、申请日为2017年9月21日、专利技术名称为“连接结构体、电路连接构件和粘接剂组合物”的专利技术申请的分案申请。


[0002]本专利技术涉及连接结构体、电路连接构件和粘接剂组合物。

技术介绍

[0003]以往，半导体元件和显示器元件中，出于使元件中的各种电路构件彼此结合的目的而使用各种粘接剂。对于粘接剂，除了要求粘接性以外，还要求耐热性、高温高湿状态下的可靠性等涉及多方面的特性。另外，由于电路构件使用的是例如印刷配线板、聚酰亚胺等有机基材、或钛、铜、铝等金属、ITO、IZO、IGZO、SiN、SiO2等具有多种多样的表面状态的构件，因此粘接剂所使用的材料需要根据电路构件来进行分子设计。
[0004]最近，出于半导体元件和显示器元件的制造工序的简化、低温化等目的，电路构件中使用非晶(无定形)ITO膜、有机绝缘膜等的情况也逐渐增多。从表面凹凸少等物理上的观点、或表面的润湿性低等化学上的观点考虑，这些膜表面不利于粘接的情况较多。
[0005]另一方面，为了使将粘接剂固化而得的电路连接构件与电路构件之间的粘接牢固，有时在粘接剂中添加偶联剂等添加剂，该偶联剂会在电路连接构件与电路构件表面之间产生共价键、氢键、由范德华力引起的疏水性相互作用等相互作用。作为偶联剂，可使用硅烷偶联剂，具有磷酸基、羧基等的偶联剂等。例如，在构成电路连接构件的树脂中存在环氧基、丙烯酰基、乙烯基等有机官能团，且使用在电路构件表面与电路连接构件之间产生相互作用的、具有烷氧基硅烷结构、磷酸基等的偶联剂的情况下，能够将电路构件与电路连接构件更牢固地粘接(参照专利文献1～3)。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1：日本特开2003
‑
282637号公报
[0009]专利文献2：日本特开2003
‑
277694号公报
[0010]专利文献3：日本特开2013
‑
191625号公报

技术实现思路

[0011]专利技术要解决的课题
[0012]然而，根据本专利技术人等的研究，在利用如上所述的添加剂的情况下，存在如下问题：在高温高湿环境下，根据电路构件的种类不同，电路连接构件与电路构件之间的相互作用无法有效地发挥功能，电路连接构件会从电路构件剥离。
[0013]因此，本专利技术的目的在于提供一种即使在高温高湿环境下也能够抑制电路连接构件从电路构件剥离的连接结构体、以及该连接结构体所使用的电路连接构件和粘接剂组合物。
[0014]用于解决课题的手段
[0015]本专利技术在一个方式中提供一种连接结构体，其具备：具有第一电路电极的第一电路构件；具有第二电路电极的第二电路构件；以及设置于第一电路构件和第二电路构件之间且将第一电路电极和第二电路电极相互电连接的电路连接构件，电路连接构件在温度t时的线热膨胀量L(t)满足在t＝30℃～120℃的至少任一温度t时dL(t)/dt＜0的条件。
[0016]本专利技术在另一个方式中提供一种电路连接构件，该电路连接构件在温度t时的线热膨胀量L(t)满足在t＝30℃～120℃的至少任一温度t时dL(t)/dt＜0的条件。
[0017]上述电路连接构件在30℃～120℃时的平均线热膨胀系数优选小于或等于500ppm/℃。
[0018]本专利技术在另一个方式中提供一种粘接剂组合物，该粘接剂组合物的固化物在温度t时的线热膨胀量l(t)满足在t＝30℃～120℃的至少任一温度t时dl(t)/dt＜0的条件。
[0019]上述固化物在30℃～120℃时的平均线热膨胀系数优选小于或等于500ppm/℃。
[0020]专利技术效果
[0021]根据本专利技术，可提供一种即使在高温高湿环境下也能够抑制电路连接构件从电路构件剥离的连接结构体、以及该连接结构体所使用的电路连接构件和粘接剂组合物。
附图说明
[0022]图1是表示连接结构体的一个实施方式的示意截面图。
[0023]图2是表示温度与线热膨胀量的关系的一例的图表。
具体实施方式
[0024]以下，对本专利技术的实施方式进行详细说明。但本专利技术并不限定于以下的实施方式。“(甲基)丙烯酸”是指丙烯酸或甲基丙烯酸，关于(甲基)丙烯酸酯等其他类似表达也同样。
[0025]图1是表示连接结构体的一个实施方式的示意截面图。如图1所示，连接结构体1具备：第一电路构件2、第二电路构件3、以及设置于第一电路构件2和第二电路构件3之间的电路连接构件4。
[0026]第一电路构件2具备：第一基板5、和设置于第一基板5的主面上的第一电路电极6。第二电路构件3具备：第二基板7、和设置于第二基板7的主面上的第二电路电极8。
[0027]第一电路构件2和第二电路构件3可相互相同也可不同，可以为半导体芯片、电阻体芯片、电容器芯片等芯片部件，印刷基板等基板等。第一基板5和第二基板7可以由半导体、玻璃、陶瓷等无机物，聚酰亚胺、聚碳酸酯等有机物，玻璃/环氧等复合物等形成。第一电路电极6和第二电路电极8可以由金、银、锡、钌、铑、钯、锇、铟、铂、结晶或非晶的铟锡氧化物(ITO)等形成。
[0028]在这些电路构件2、3的基板5、7上通常设置有多个电路电极6、8(根据情况也可以为单数)。第一电路构件2和第二电路构件3以至少一对第一电路电极6与第二电路电极8彼此相对的方式配置。
[0029]电路连接构件4含有粘接剂成分的固化物9、和分散于粘接剂成分的固化物9中的导电性粒子10。通过电路连接构件4中的导电性粒子10介于彼此相对的第一电路电极6与第二电路电极8之间，从而将该第一电路电极6与第二电路电极8相互电连接。
[0030]电路连接构件4是如下的电路连接构件，即：从抑制电路连接构件4从电路构件2、3和电路电极6、8剥离的观点考虑，电路连接构件4在温度t℃时的线热膨胀量L(t)μm满足在t＝30℃～120℃的至少任一温度t时dL(t)/dt＜0的条件。
[0031]电路连接构件4的线热膨胀量L(t)如下测定，即：使用热机械分析装置，在试样的长度10mm、宽度4mm以及厚度0.1mm、负荷5gf(每0.4mm2截面积)、升温速度5℃/分钟的条件下，在温度t＝0℃～200℃中，在将温度t＝0℃时的线热膨胀量设为L(0)＝0μm时，每隔0.1℃测定温度t℃时的线热膨胀量(μm)。此处的线热膨胀量是指试样的长度方向的线热膨胀量。
[0032]从抑制电路连接构件4从电路构件2、3和电路电极6、8剥离的观点考虑，电路连接构件4的线热膨胀量L(t)满足在t＝30℃～120℃的至少任一温度t时dL(t)/dt＜0的条件，优选满足dL(t)/dt≤
‑
0.01、更优选为dL(t)/dt≤
‑
0.1、进一步优选为dL(t)/dt≤
‑
0.5的条件。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种连接结构体，其具备：具有第一电路电极的第一电路构件；具有第二电路电极的第二电路构件；以及设置于所述第一电路构件和所述第二电路构件之间且将所述第一电路电极和所述第二电路电极相互电连接的电路连接构件，所述电路连接构件在温度t时的线热膨胀量L(t)满足在t＝30℃～120℃的至少任一温度t时dL(t)/dt＜0的条件。2.根据权利要求1所述的连接结构体，所述电路连接构件在30℃～120℃时的平均线热膨胀系数小于或等于500ppm/℃。3.一种电路连接构件，所述电路连接构件在温度t时...

【专利技术属性】
技术研发人员：森尻智树，久米雅英，田中胜，竹田津润，
申请(专利权)人：昭和电工材料株式会社，
类型：发明
国别省市：