磁头制造技术

本发明专利技术提供磁头。该磁头能够稳定读头的屏蔽层中的磁畴设置、防止读元件的特性变化并改进可靠性。所述磁头包括读头，其中读元件被屏蔽层磁屏蔽。在屏蔽层形成于其上的基层中形成有台阶形部分，所述台阶形部分对应于由要在磁化处理之后形成在所述屏蔽层中的期望磁畴所限定的多个畴区域中的至少一个的边界。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种磁头，更确切地涉及一种特征在于读头屏蔽层的磁头
技术介绍
图10示出了记录介质5与从记录介质5读取数据的磁头的读头之间 的位置关系。在读头中，读元件10夹在作为磁性层的下屏蔽层12与上 屏蔽层14之间。下屏蔽层12和上屏蔽层14屏蔽读元件10，以防止并非 目标位的位的磁场作用到读元件10。下屏蔽层12和上屏蔽层14由软磁 性材料制成，并通常通过电解镀敷而形成为矩形。读元件IO包括定向自由层的磁化方向的硬膜。在磁头的生产过程中， 作为磁化处理，对磁头施加强磁场，从而定向硬膜的磁化方向。通过施 加强磁场，作为软磁性层的下屏蔽层12和上屏蔽层14分别具有单个磁 畴。此外，在完成磁化处理之后，它们具有图11A至11C所示的畴设置。图IIA至IIC所示的畴设置称为回流畴结构，在各个回流畴结构中 屏蔽层能够进行有效屏蔽。图IIA和IIB表示四畴结构的示例；图11C 表示七畴结构的示例。在这些示例中，磁头具有足够的磁屏蔽特性。在 四畴结构的情况下，下屏蔽层12和上屏蔽层14形成为矩形，因此图11A 所示的顺时针畴结构和图11B所示的逆时针畴结构的形成概率相同。在图11A至11C本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包括读头的磁头，其中读元件被屏蔽层磁屏蔽，其中，在所述屏蔽层形成于其上的基层中形成有台阶形部分，并且所述台阶形部分对应于由要在磁化处理之后形成在所述屏蔽层中的期望磁畴所限定的多个畴区域中的至少一个的边界。

【技术特征摘要】
JP 2006-6-26 2006-1758821、一种包括读头的磁头，其中读元件被屏蔽层磁屏蔽，其中，在所述屏蔽层形成于其上的基层中形成有台阶形部分，并且所述台阶形部分对应于由要在磁化处理之后形成在所述屏蔽层中的期望磁畴所限定的多个畴区域中的至少一个的边界。2、 根据权利要求1所述的磁头，其中，由所述台阶形部分分区的畴区域的高度低于其他畴区域的高度。3、 根据权利要求1所述的磁头，其中，由所述台阶形部分分区的畴区域的高度高于其他畴区域的高度。4、 根据权利要求1所述的磁头，其中，在由所述台阶形部分分区的畴区域中形成有与所述基层分开 形成的台阶图案，并且所述台阶图案的高度低于其他畴区域的高度。5、 根据权利要求1所述的磁头，其中，在由所述台阶形部分分区的畴区域中形成有与所述基层分开 形成的台阶图案，并且所述台阶图案的高度高于其他畴区域的高度。6、 一种包括读头的磁头，其中读元件被屏蔽层磁屏蔽，其中，在所述屏蔽层形成于其上的基层中形成有台阶形切口，并且 所述台阶形切口对应于由要...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉池滋，永井浩史，上田基仙，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]