一种硼配位化合物及发光器件制造技术

本发明专利技术提供一种用于改善有机发光器件的发光利用率以及色纯度的材料。由本发明专利技术提供的覆盖层材料的有机发光器件可实现高发光效率及色纯度，本发明专利技术的有机发光元件可用于有机EL显示器、照明等的光源、标示板、标识灯等。本发明专利技术提供大幅度提高发光利用率而且具有卓越的色纯度的有机发光器件。其特征在于下述通式(1)或通式(2)。。

【技术实现步骤摘要】
一种硼配位化合物及发光器件


[0001]本专利技术涉及有机发光元件用硼配位化合物、含有硼配位化合物的发光器件材料及发光器件，特别是发光利用效率得到大幅改善的有机发光器件用硼配位化合物、发光器件材料及发光器件。

技术介绍

[0002]有机电致发光(Organic Light Emission Diode)。具有高亮度、材料选择范围宽、驱动电压低、全固化主动发光等特性，同时拥有高清晰、广视角。以及可顺畅显示动画的高速响应等优势，是最近十几年热门研究领域。由于0LED的外量子效率与内量子效率之间存在巨大差距，极大地制约了OLED的发展。因此，如何提高OLED的光取出效率成为研究的热点。ITO薄膜和玻璃衬底的界面以及玻璃衬底和空气的界面处会发生全反射，出射到OLED器件前向外部空间的光约占有机材料薄膜EL总量的20％，其余约80％的光主要以导波形式限制在有机材料薄膜、ITO薄膜和玻璃衬底中。可见常规OLED器件的出光效率较低(约为20％)，这严重制约了OLED的发展和应用。如何减少OLED器件中的全反射效应、提高光耦合到器件前向外部空间的比例(出光效率)引起人们的广泛关注。目前，实现提高OLED外量子效率的一类重要方法是在基底出光表面形成如褶皱，光子晶体、微透镜阵列和添加表面覆盖层等结构。前两种结构会影响OLED的辐射光谱角度分布，第三种结构制作工艺复杂.而使用表面覆盖层工艺简单，发光效率提高30％以上，尤为人们所关注。
[0003]例如，专利文献2记载，所用的有机覆盖层的材料是具有特定化学结构的芳香胺化合物等。r/>[0004]专利文献4记载，所用的有机覆盖层的材料是二苯并六元环的为核心的化合物
[0005]专利文献5记载，使用的有机覆盖层材料是含有芴的芳香胺化合物等。
[0006]专利文献1：WO2001/039554
[0007]专利文献2：CN105849113B
[0008]专利文献3：JP2007
‑
103303
[0009]专利文献4：CN 109535125
[0010]专利文献5：CN103579521

技术实现思路

[0011]如上所述，在现有技术中，使用具有高折射率的特定结构的芳香胺衍生物或使用符合特定参数要求的材料作为有机覆盖层材料来改善光取出效率和色纯度，但是尚未解决兼顾发光效率和色纯度的问题，特别是在制备蓝光发光元件的情况下。
[0012]所以为了解决这些问题，双覆盖层结构被提出并取得了一些成果，其原理是在高折射率材料层和发光层之间增加一层低折射率层，形成第二共振腔，从而提高发光效率并解决色纯度的问题。另外，在OLED器件制作过程中，希望能用有机化合物替代无机化合物LiF，但是LiF具有较低的折射率，所以替代的有机化合物也必须具有较低的折射率。
[0013]现有技术中通常会选择长链烷烃，但是长链烷烃在高温下容易分解，不利于器件制作。另外也有技术选用咪唑，苯并咪唑，咔唑等衍生物作为低折射率材料，但是这些化合物的折射率约为1.7，不能解决上述问题。
[0014]为了解决上述问题，本专利技术提供一种用于提高有机发光元件的光取出效率以及改善色纯度的硼配位化合物、含有该硼配位化合物的有机发光元件材料、有机发光元件覆盖层材料以及有机发光器件。这种硼配位化合物具有较低的折射率，适用与双覆盖层器件。
[0015]本专利技术提供了一种硼配位化合物，所述硼配位化合物具有下述通式(1)或通式(2)
[0016][0017]其中，X1，X2，X3相同或不相同，分别表示O,S,N等杂原子。当X1或X2或X3为N原子时，N原子上连接氢或其它取代基。
[0018]n取值范围为0,1,2；m,p取值范围为1,2,3.
[0019]R1,R2,R3,R4,R9,R
10
,R
11
,R
12
相同或不相同，分别独立的表示为取代的或未取代的碳原子数为6
‑
60的芳基或碳原子数为5
‑
60杂芳基，或与邻近的原子键合成环,或者分别独立选自氢、氘、C1
‑
C15的烷基、C3
‑
C15的环烷基、C3
‑
C15的杂环基、C2
‑
C15的链烯基、C4
‑
C15的环烯基、C2
‑
C15的炔基、C1
‑
C15的烷氧基、C1
‑
C15的烷硫基、C6
‑
C55的芳基醚基、C6
‑
C55的芳基硫醚基、羰基、羧基、氧羰基、氨基甲酰基、C1
‑
C40的烷氨基、C1
‑
C40的芳香氨基或C3
‑
C15的硅原子数为1
‑
5的硅烷基中的一种或多种。
[0020]R7,R8相同或不相同，分别独立的表示为取代的或未取代的碳原子数为6
‑
60的芳基或碳原子数为5
‑
60杂芳基，或者分别独立选自C1
‑
C15的烷基、C3
‑
C15的环烷基、C3
‑
C15的杂环基、C1
‑
C15的烷氧基、C1
‑
C15的烷硫基、C6
‑
C55的芳基醚基、C6
‑
C55的芳基硫醚基、C6
‑
C55的芳基、C5
‑
C55的芳香族杂环基、羰基、羧基、氧羰基、氨基甲酰基、C1
‑
C40的烷氨基、C1
‑
C40的芳香氨基或C3
‑
C15的硅原子数为1
‑
5的硅烷基中的一种或多种。
[0021]R5,R6,R
13
,R
14
选自卤素原子。
[0022]另外，引入氟原子能降低化合物的折射率，所以R5和R6、R13和R14优选为氟原子。
[0023]环状基团能增加分子的刚想，R10，R11键合成环，环选自C3
‑
C15的环烷基、C3
‑
C15的杂环基，或者碳原子数未6
‑
60的芳基或碳原子数未5
‑
60的杂芳基。
[0024]上述被取代的情况下，取代基分别独立选自氘、C1
‑
C20的烷基、C3
‑
C20的环烷基、C3
‑
C20的杂环基、C2
‑
C20的链烯基、C4
‑
C20的环烯基、C2
‑
C20的炔基、C1
‑
C20的烷氧基、C1
‑
C20的烷硫基、C6
‑
C55的芳基醚基、C6
‑
C55的芳基硫醚基、C6
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C55的芳基、C5
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C55的芳香族本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硼配位化合物，该化合物具有下述通式(1)或通式(2)其中，X1，X2，X3相同或不相同，分别表示O,S,N等杂原子。当X1或X2或X3为N原子时，N原子上连接氢或其它取代基；n取值范围为0,1,2；m,p取值范围为1,2,3；R1,R2,R3,R4,R9,R
10
,R
11
,R
12
相同或不相同，分别独立的表示为取代的或未取代的碳原子数为6
‑
60的芳基或碳原子数为5
‑
60杂芳基，或与邻近的原子键合成环,或者分别独立选自氢、氘、C1
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C15的烷基、C3
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C15的环烷基、C3
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C15的杂环基、C2
‑
C15的链烯基、C4
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C15的环烯基、C2
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C15的炔基、C1
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C15的烷氧基、C1
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C15的烷硫基、C6
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C55的芳基醚基、C6
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C55的芳基硫醚基、羰基、羧基、氧羰基、氨基甲酰基、C1
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C40的烷氨基、C1
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C40的芳香氨基或C3
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C15的硅原子数为1
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5的硅烷基中的一种或多种；R7,R8相同或不相同，分别独立的表示为取代的或未取代的碳原子数为6
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60的芳基或碳原子数为5
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60杂芳基，或者分别独立选自C1
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C15的烷基、C3
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C15的环烷基、C3
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C15的杂环基、C1
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C15的烷氧基、C1
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C15的烷硫基、C6
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C55的芳基醚基、C6
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C55的芳基硫醚基、C6

【专利技术属性】
技术研发人员：王鹏，
申请(专利权)人：浙江华显光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：