一种高分断能力熔断器制造技术

本发明专利技术涉及保护元件技术领域，特别涉及一种高分断能力熔断器，包括熔断器本体，所述熔断器本体通过隔膜分为若干腔体，所述中间腔体内填充有灭弧材料；相邻的两所述隔膜之间连接有熔断体，两外侧的隔膜上连接有电极。高倍电流电压条件下，利用隔膜在高气压差下发生变形，带动熔断体拉伸，熔断体在突变的气压条件下直接拉断或在熔化过程中被快速拉开，此时均可有效的规避电弧的产生，从而大大提高熔断器的分断能力。低倍电流电压条件下，由于熔断器温度上升缓慢，熔断体所产生的热量会随灭弧材料、外壳及隔膜散发出去，左右腔体和中间气压相对平衡，隔膜不会对熔断体造成拉伸，不影响熔断器的低倍熔断性能。熔断器的低倍熔断性能。熔断器的低倍熔断性能。

【技术实现步骤摘要】
一种高分断能力熔断器


[0001]本专利技术涉及保护元件
，特别涉及一种高分断能力熔断器。

技术介绍

[0002]熔断器作为电路中短路和过电流的保护器，是应用最普遍的保护元器件之一。其原理是当电路中产生过电流时，熔断器的导体部分(熔断体)产生热量，从而使熔断体熔化，使电路开路，起到保护作用。但当电路中过载电流较大时会产生高温，而熔断器的熔断体在高温时会快速熔化并气化，气化的金属蒸汽在熔断体断口处聚集，在高电压或者大电流情况下，形成电弧。电弧温度可到数千摄氏度，其本身也具有导电性，会造成熔断器爆管、金属体损毁、线路烧坏、设备烧毁等危害。
[0003]为提高贴片熔体器的分断能力，目前最常用的方法是填充灭弧材料和采用多断口熔断体分压。在熔断器腔体内填充灭弧材料，利用灭弧材料的高导热、高绝缘、高温产气等特性抑制和熄灭电弧，此种方法可有效的提升熔断产品的灭弧能力，但随着电路应用的电压和电流升高，灭弧材料的灭弧能力已难以满足贴片式熔断器的分断需求。相对应多断口熔断体要满足分压需求，其断口间距有一定要求。但随着电子元件的小型化，熔断体的尺寸也越来越小，多端口分压的设计思路已难以满足现有的应用。

技术实现思路

[0004]本专利技术解决了相关技术中通过填充灭弧材料难以满足熔断器分断需求以及采用多断口熔断体分压难以满足尺寸需求的问题，提出一种高分断能力熔断器，将熔断器通过隔膜分为多个腔体并在腔体内填充灭弧材料，高倍电流电压条件下，可有效的规避电弧的产生，从而大大提高熔断器的分断能力；低倍电流电压条件下，隔膜不会对熔断体造成拉伸，不影响熔断器的低倍熔断性能，既能满足熔断器的分断需求，又能满足尺寸需求。
[0005]为了解决上述技术问题，本专利技术是通过以下技术方案实现的：一种高分断能力熔断器，包括熔断器本体，所述熔断器本体通过隔膜分为若干腔体且熔断体安装于中间腔体内，所述中间腔体内填充有灭弧材料；相邻的两所述隔膜之间连接有熔断体，两外侧的隔膜上连接有电极。
[0006]作为优选方案，还包括上盖和基板，所述上盖的两侧开设有供电极通过的方形槽，所述上盖与基板通过螺栓连接。
[0007]作为优选方案，所述上盖底部为敞口状且设置有卡槽，所述基板通过螺栓安装于上盖的卡槽内。
[0008]作为优选方案，所述电极位于上盖外的部分折弯成L形。
[0009]作为优选方案，所述熔断器本体通过隔膜分为左腔体、中间腔体和右腔体3个腔体。
[0010]作为优选方案，所述熔断体焊接于两隔膜的内表面且所述隔膜为金属薄片。
[0011]作为优选方案，所述左腔体和右腔体内也填充有缓冲和灭弧材料。
[0012]作为优选方案，所述隔膜固定于支架上并与支架密封。
[0013]作为优选方案，所述支架包括上支架和下支架，所述下支架安装于基板上，所述上支架安装于上盖内。
[0014]作为优选方案，所述熔断体由单一熔体组成，所述熔体为直丝或者曲丝或者绕丝或者片状。
[0015]作为优选方案，所述熔断体至少由两个熔体组成，所述熔体为直丝或者曲丝或者绕丝或者片状。
[0016]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0017]高倍电流电压条件下，利用隔膜在高气压差下发生变形，带动熔断体拉伸，熔断体在突变的气压条件下直接拉断或在熔化过程中被快速拉开，此时均可有效的规避电弧的产生，从而大大提高熔断器的分断能力。
[0018]低倍电流电压条件下，由于熔断器温度上升缓慢，熔断体所产生的热量会随灭弧材料、外壳及隔膜散发出去，左右腔体和中间气压相对平衡，隔膜不会对熔断体造成拉伸，不影响熔断器的低倍熔断性能。
[0019]本专利技术既能满足熔断器的分断需求，又能满足尺寸需求。
附图说明
[0020]图1是本专利技术的分解示意图；
[0021]图2是本专利技术实施例1的内部结构装配图；
[0022]图3是本专利技术实施例2的内部结构装配图；
[0023]图4是本专利技术实施例3的内部结构装配图；
[0024]图5是本专利技术实施例4的内部结构装配图。
[0025]图中：
[0026]1、上盖，2、基板，3、熔断体，4、隔膜，5、电极，6、支架，7、方形槽，8、螺栓孔，9、灭弧材料，10、缓冲和灭弧材料。
具体实施方式
[0027]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本专利技术及其应用或使用的任何限制。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0028]需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
[0029]除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本专利技术的范围。同时，应当明白，为了便于描述，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方
法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
[0030]在本专利技术的描述中，需要理解的是，方位词如“前、后、上、下、左、右”、“横向、竖向、垂直、水平”和“顶、底”等所指示的方位或位置关系通常是基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，在未作相反说明的情况下，这些方位词并不指示和暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位或者以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术保护范围的限制；方位词“内、外”是指相对于各部件本身的轮廓的内外。
[0031]为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在
……
之上”、“在
……
上方”、“在
……
上表面”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而，示例性术语“在
……
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高分断能力熔断器，其特征在于：包括熔断器本体，所述熔断器本体通过隔膜(4)分为若干腔体，相邻的两所述隔膜(4)之间连接有熔断体(3)且熔断体(3)安装于中间腔体内，所述中间腔体内填充有灭弧材料(9)，两外侧的隔膜(4)上连接有电极(5)。2.根据权利要求1所述的高分断能力熔断器，其特征在于：还包括上盖(1)和基板(2)，所述上盖(1)的两侧开设有供电极(5)通过的方形槽(7)，所述上盖(1)与基板(2)通过螺栓连接。3.根据权利要求2所述的高分断能力熔断器，其特征在于：所述上盖(1)底部为敞口状且设置有卡槽，所述基板(2)通过螺栓安装于上盖(1)的卡槽内。4.根据权利要求2所述的高分断能力熔断器，其特征在于：所述电极(5)位于上盖(1)外的部分折弯成L形。5.根据权利要求2所述的高分断能力熔断器，其特征在于：所述熔断器本体通过隔膜(4)分为左腔体、中间腔体...

【专利技术属性】
技术研发人员：周家兴，黄云，
申请(专利权)人：南京萨特科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：