【技术实现步骤摘要】
一种中子产生靶
[0001]本专利技术涉及产生加速器驱动的靶体
,尤其涉及一种具有高效冷却功能、温度与束斑监控功能的用于加速器驱动的高功率中子产生靶。
技术介绍
[0002]当加速器产生的粒子或者射线轰击中子产生靶时,特别是低能量质子,高单位热流密度以及高热负荷功率等情况如硼中子俘获治疗癌症装置,其采用质子作为入射粒子,质子能量在2MeV~10MeV之间,质子束流功率高达30kW以上,同时质子在金属内的射程较短,热流密度超过100kW/cm2。由于质子射程低,质子辐照的束流测量元件时会沉积在束流测量元件中导致其烧毁,因此很难获得具体的束斑分布;此外,当质子束流功率高且分布集中时热流密度高,以低熔点材料作为靶材如锂靶等,其熔点仅180摄氏度,锂靶的热量移除问题大,故需要实时监控靶体的温度运行情况,以保证质子束斑的均匀照射,避免锂层融化造成靶体损毁。
[0003]CN106385757A专利专利技术提供的中子产生靶通过温度传感器检测靶体上各点的温度,包括用于检测靶体入射表面、靶体入射表面边缘、靶体与冷却座连接处附近 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种中子产生靶,其特征在于:所述的中子产生靶包括顺序贴合连接的靶材层、粒子迁移层、微通道基底层和盖板层,形成一体式的多层结构靶体,靶体上设置有多组热电偶组件;所述的微通道基底层表面加工有多排肋片,相邻的肋片间形成微小散热通道。2.根据权利要求1所述的一种中子产生靶,其特征在于:所述的热电偶组件均布设置在靶体结构上,从盖板层贯穿靶体直至贴近靶材层。3.根据权利要求1或2所述的一种中子产生靶,其特征在于:所述的热电偶组件包括热电偶和套筒,套筒从盖板层贯穿靶体直至贴近靶材层,热电偶插入至对应套筒内以此尽可能接近靶材并推断靶材温度。4.根据权利要求1所述的一种中子产生靶,其特征在于:所述的热电偶通过贯穿靶体盖板层以及微通道基底层表面肋片深入至微通道基底层底部。5.根据权利要求1所述的一种中子产生靶,其特征在于:所述的盖板层底面与微通道基底层贴合连接,盖板层通过焊接或者螺纹紧固的方式封闭将微通道基底层包围于底部,并与微通道基底层构成腔体结构。6.根据权利要求5所述的一种中子产生靶,其特征在于:所述的腔体两端设有冷却工质的入口...
【专利技术属性】
技术研发人员:童剑飞,欧阳华甫,朱凌波,张锐强,赵崇光,梁天骄,
申请(专利权)人:中国科学院高能物理研究所,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。