用于基板处理腔室的吸附工艺和系统技术方案

本公开涉及用于在基板处理腔室中吸附的方法和系统。在一个实施方式中，一种在基板处理腔室中吸附一个或多个基板的方法包括：将吸附电压施加到基座。将基板设置在基座的支撑表面上。所述方法还包括：从施加的电压斜变吸附电压；在斜变吸附电压时检测阻抗偏移；确定发生阻抗偏移时的对应吸附电压；以及基于阻抗偏移和对应吸附电压来确定精确吸附电压。移和对应吸附电压来确定精确吸附电压。移和对应吸附电压来确定精确吸附电压。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于基板处理腔室的吸附工艺和系统

技术介绍


[0001]本公开的各方面总体上涉及用于操作基板处理腔室的方法和系统，包括吸附基板的方法。相关技术说明
[0002]在基板的处理期间，有时将基板吸附到基板处理腔室内的基座。例如，当基板弯曲时，可能在处理期间将基板吸附到基座。然而，由于基座特性的变化和/或基板特性的变化，要确定在处理期间应施加到基座的吸附电压是困难、昂贵且耗时的。如果施加的吸附电压太低，则在基板处理期间可能发生电弧。如果施加的吸附电压太高，则基板可能还会遭受背侧损坏，从而导致缺陷和基板处理操作的良率降低。
[0003]因此，需要一种改进的吸附基板的方法，所述方法减少或消除背侧损坏和电弧，并且以具有成本效益的方式改善良率。

技术实现思路

[0004]本公开的实施方式总体上涉及用于操作基板处理腔室的方法和系统，包括吸附基板的方法。
[0005]在一个实施方式中，一种在基板处理腔室中吸附一个或多个基板的方法包括：将吸附电压施加到基座。将基板设置在基座的支撑表面上。所述方法还包括：从施加的电压斜变(ramp)吸附电压；在斜本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种在基板处理腔室中吸附一个或多个基板的方法，包括：将吸附电压施加到基座，其中基板设置在所述基座的支撑表面上；从所述施加的电压斜变所述吸附电压；在斜变所述吸附电压时检测阻抗偏移；确定发生所述阻抗偏移时的对应吸附电压；以及基于所述阻抗偏移和所述对应吸附电压来确定精确吸附电压。2.如权利要求1所述的方法，其中所述阻抗偏移是将射频能量供应到所述基板处理腔室的射频能量发生器的阻抗偏移。3.如权利要求1所述的方法，其中所述检测所述阻抗偏移包括测量所述阻抗偏移，并且所述方法进一步包括：在沉积工艺期间施加所述精确吸附电压。4.如权利要求1所述的方法，其中所述将所述吸附电压施加到所述基座包括：将所述吸附电压斜变上升，直到发生所述阻抗偏移。5.如权利要求1所述的方法，其中所述精确吸附电压是将所述基板吸附到所述基座的所述支撑表面的最小电压值，所述精确吸附电压减少所述基板的弯曲，并且所述方法进一步包括生成等离子体。6.如权利要求1所述的方法，其中对一个或多个额外基板重复以下操作：所述将所述吸附电压施加到所述基座、所述检测所述阻抗偏移、以及所述确定所述精确吸附电压。7.一种在基板处理腔室中吸附一个或多个基板的方法，包括：使用预选值来将吸附电压施加到基座，其中基板设置在所述基座的支撑表面上；检测阻抗偏移；基于所述阻抗偏移来确定精确吸附电压；以及使用所...

【专利技术属性】
技术研发人员：B，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：