碳纳米管组合物、半导体元件及无线通信装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够制造迁移率提高了的FET的碳纳米管组合物。本发明专利技术的碳纳米管组合物是包含具有(1)～(2)的特征的碳纳米管，且不含有卤素的碳纳米管组合物。(1)使上述碳纳米管分散在包含胆酸衍生物和水的溶液中而得的分散液在使用紫外可见近红外分光分析测得的波长300nm～1100nm的范围内的吸收光谱中，在波长600nm～700nm的范围显示最低的吸光度，并且在波长900nm～1050nm的范围显示最高的吸光度，上述最高的吸光度与上述最低的吸光度的比为2.5以上4.5以下。(2)使用拉曼分光分析，以波长532nm的光作为激发光测得的D谱带与G谱带的高度比((D/G)D/G

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】碳纳米管组合物、半导体元件及无线通信装置


[0001]本专利技术涉及碳纳米管组合物、以及使用了该碳纳米管组合物的半导体元件和无线通信装置。

技术介绍

[0002]使用了碳纳米管(CNT)、有机半导体的场效应型晶体管(以下，称为FET)近年来被进行了积极研究。特别是，CNT为在大气下非常稳定的物质，与其它半导体材料相比易于操作，因此受到关注。
[0003]CNT具有将石墨片卷成筒状的管结构。根据石墨片的卷绕方法而CNT的手性变化。如果将具有各个手性的CNT根据手性(chirality)的周期而更粗略地进行分类，则被分类为半导体型CNT和金属型CNT。关于它们的混合比率，无论CNT的合成方法如何，通常都为半导体型：金属型＝2：1。因此，在将CNT使用于FET的情况下，为了使性能提高，一般提高半导体型CNT的比率而使用。
[0004]作为提高半导体型CNT的比率的方法，往往采用将金属型CNT除去的方法。作为将金属型CNT除去的方法，往往使用下述方法：利用了与表面活性剂的相互作用的差异的水系2相分离法(专利文献1)；主要利用CNT的粗细本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种碳纳米管组合物，其包含具有以下(1)和(2)的特征的碳纳米管，且不含有卤素；(1)使所述碳纳米管分散在包含胆酸衍生物和水的溶液中而得的分散液在使用紫外可见近红外分光光度计测得的、波长300nm～1100nm的范围内的吸收光谱中，在波长600nm～700nm的范围显示最低的吸光度ε
min
，且在波长900nm～1050nm的范围显示最高的吸光度ε
max
，并且所述最高的吸光度与所述最低的吸光度之比即ε
max
/ε
min
为2.5以上且4.5以下；(2)使用拉曼分光光度计，以波长532nm的光作为激发光而测得的、D谱带与G谱带的高度比即(D/G)
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【专利技术属性】
技术研发人员：平井孝佳，西野秀和，村濑清一郎，
申请(专利权)人：东丽株式会社，
类型：发明
国别省市：