具有β相网状拓扑结构的聚偏氟乙烯纳米薄膜的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种具有β相网状拓扑结构的聚偏氟乙烯纳米薄膜的制备方法。该方法利用旋涂法制备聚偏氟乙烯纳米薄膜，对其进行溶剂蒸气退火得到具有β相网状拓扑结构的聚偏氟乙烯纳米薄膜，通过改变薄膜厚度、退火时间和溶液温度可调控聚偏氟乙烯纳米薄膜中网状拓扑结构的网格密度和高度。本发明专利技术在纳米薄膜中实现了可靠性较高的聚偏氟乙烯网状拓扑结构，有望拓展聚偏氟乙烯在传感器与换能器等方面的应用，操作简单且成本较低，对工业生产具有很好的潜在经济效益。很好的潜在经济效益。很好的潜在经济效益。

【技术实现步骤摘要】
具有
β
相网状拓扑结构的聚偏氟乙烯纳米薄膜的制备方法


[0001]本专利技术属于聚偏氟乙烯薄膜
，具体涉及具有β相网状拓扑结构的聚偏氟乙烯纳米薄膜的制备方法。

技术介绍

[0002]聚偏氟乙烯（PVDF）是发现最早且应用最多的压电聚合物。与钛酸钡压电陶瓷等传统压电材料相比，聚偏氟乙烯具有柔韧性好、易加工和密度低等优点。根据晶体的分子链构象，目前发现的聚偏氟乙烯晶体结构分为α、β、γ、δ和ε五种晶型，其中β相是目前发现的聚偏氟乙烯唯一的压电相。聚偏氟乙烯压电薄膜具有柔性好、密度低及压电系数高等优点，在传感器、换能器和信息存储等方面的应用日益广泛。
[0003]现有的制备聚偏氟乙烯β相的方法均是在微米尺度上通过拉伸、掺杂无机纳米粒子和电场极化等方法实现的，且操作步骤复杂，如公开号为CN106823858A的专利技术专利一种高β
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相含量聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，公告号为CN105968392B的专利技术专利一种高含量聚偏氟乙烯压电β相的制备方法，均是从宏观角度进行研究，并未研究微观结构对聚偏氟乙烯纳本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.具有β相网状拓扑结构的聚偏氟乙烯纳米薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：采用旋涂法制备聚偏氟乙烯纳米薄膜；步骤2：将步骤1得到的聚偏氟乙烯纳米薄膜进行溶剂蒸气退火即可得到具有β相网状拓扑结构的聚偏氟乙烯纳米薄膜。2.根据权利要求1所述的具有β相网状拓扑结构的聚偏氟乙烯纳米薄膜的制备方法，其特征在于，所述采用旋涂法制备聚偏氟乙烯纳米薄膜的具体步骤为：将聚偏氟乙烯加到溶剂中，配制浓度为0.6～3wt%的溶液，采用旋涂法在硅片表面制备聚偏氟乙烯纳米薄膜。3.根据权利要求2所述的具有β相网状拓扑结构的聚偏氟乙烯纳米薄膜的制备方法，其特征在于，所述溶剂为N,N
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二甲基甲酰胺。4.根据权利要求1所述的具有β相网状拓扑结构的聚偏...

【专利技术属性】
技术研发人员：王冰花，陈静波，张智培，张彬，
申请(专利权)人：郑州大学，
类型：发明
国别省市：