电感电容器振荡器及相关的双核振荡器制造技术

本发明专利技术公开了一种电感电容器振荡器，包括：第一晶体管和第二晶体管；第一部分第一电感器和第一部分第二电感器，其中，所述第一部分第一电感器的第一端和所述第一部分第二电感器的第一端分别耦合至所述第一晶体管的栅极和所述第二晶体管的栅极；第一部分电容器，耦合在所述第一部分第一电感器的所述第一端和所述第一部分第二电感器的所述第一端之间；第二部分电感器，耦合在所述第一部分第一电感器的第二端和所述第一部分第二电感器的第二端之间；和至少一个第二部分电容器，耦合在所述第一晶体管的漏极端和所述第二晶体管的漏极端。实施本发明专利技术实施例可具有更佳的噪声相关性能。性能。性能。

【技术实现步骤摘要】
电感电容器振荡器及相关的双核振荡器


[0001]本专利技术涉及电感
‑
电容器(LC)振荡器，更进一步的涉及具有嵌入式二次谐波(second harmonic)滤波器的LC振荡器及相关的双核(dual core)振荡器。

技术介绍

[0002]通常，振荡器不仅产生由主谐振回路(resonant tank)确定的基频，还产生可能会引起噪声上变频的不期望的二次谐波频率。在现有技术中，额外的回路可用于过滤二次谐波频率，以便阻止或减弱二次谐波频率。但是，此体系结构中仍然存在一些缺点。例如，具有的噪声相关性能较差。
[0003]因此，需要一种新颖的LC振荡器架构，其与现有技术相比，具有更佳的噪声相关性能(例如，相位噪声较小)。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种电感电容器振荡器及相关的双核振荡器，可具有更佳的噪声相关性能。
[0005]本专利技术提供的电感电容器振荡器可包括：第一晶体管和第二晶体管；第一部分第一电感器和第一部分第二电感器，其中，所述第一部分第一电感器的第一端和所述第一部分第二电感器的第一端分别耦合至所述第二晶体管的栅极和所述第一晶体管的栅极；第一部分电容器，耦合在所述第一部分第一电感器的所述第一端和所述第一部分第二电感器的所述第一端之间；第二部分电感器，耦合在所述第一部分第一电感器的第二端和所述第一部分第二电感器的第二端之间；和至少一个第二部分电容器，耦合在所述第一晶体管的漏极端和所述第二晶体管的漏极端。
[0006]本专利技术提供的电感电容器振荡器的架构可改善与噪声有关的性能，因此能获得更佳的噪声相关性能。
附图说明
[0007]图1A根据本专利技术的实施例示出具有嵌入式二次谐波滤波器的电感电容器(LC)振荡器10的图。
[0008]图1B根据本专利技术的实施例示出图1A所示的LC振荡器10中的电感器的布局图。
[0009]图2根据本专利技术实施例示出LC振荡器20的图。
[0010]图3根据本专利技术实施例示出LC振荡器30的图。
[0011]图4根据本专利技术实施例示出LC振荡器40的图。
[0012]图5根据本专利技术实施例示出LC振荡器50的图。
[0013]图6A根据本专利技术的实施例示出双核振荡器的图。
[0014]图6B根据本专利技术的实施例示出图6A所示的双核振荡器中的电感器的布局图。
[0015]图7A根据本专利技术的另一实施例示出双核振荡器的图。
[0016]图7B根据本专利技术的实施例示出图7A所示的双核振荡器中的电感器的布局图。
具体实施方式
[0017]在说明书及权利要求书当中使用了某些词汇来指称特定的组件。本领域技术人员应可理解，硬件制造商可能会用不同的名词来称呼同一个组件。本说明书及权利要求书并不以名称的差异来作为区分组件的方式，而是以组件在功能上的差异来作为区分的准则。在通篇说明书及权利要求当中所提及的“包含”及“包括”为一开放式的用语，故应解释成“包含但不限定于”。“大体上”是指在可接受的误差范围内，本领域技术人员能够在一定误差范围内解决所述技术问题，基本达到所述技术效果。此外，“耦接”一词在此包含任何直接及间接的电性连接手段。因此，若文中描述一第一装置耦接于一第二装置，则代表该第一装置可直接电性连接于该第二装置，或通过其它装置或连接手段间接地电性连接至该第二装置。以下所述为实施本专利技术的较佳方式，目的在于说明本专利技术的精神而非用以限定本专利技术的保护范围，本专利技术的保护范围当视权利要求书所界定者为准。
[0018]接下面的描述为本专利技术预期的最优实施例。这些描述用于阐述本专利技术的大致原则而不应用于限制本专利技术。本专利技术的保护范围应在参考本专利技术的权利要求书的基础上进行认定。
[0019]图1A根据本专利技术的实施例示出具有嵌入式二次谐波滤波器的电感电容器(LC)振荡器10的图。如图1A所示，LC振荡器10可以包括诸如P型晶体管(例如，P型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET))MP的第一晶体管，诸如N型晶体管(例如N型MOSFET)MN的第二晶体管，第一部分第一电感器(如电感器L
11
)，第一部分第二电感器(如电感器L
12
)，第一部分电容器(如电容器C1)，第二部分电感器(如电容器L2)和至少一个第二部分电容器C2。电感器L
11
的第一端和电感器L
12
的第一端分别耦合到N型晶体管MN的栅极端和P型晶体管MP的栅极端。电容器C1耦合在电感器L
11
的第一端和电感器L
12
的第一端之间。电感器L2耦合在电感器L
11
的第二端和电感器L
12
的第二端之间。至少一个第二部分电容器耦合到第一晶体管和第二晶体管的漏极端。例如，电容器C2耦合在P型晶体管MP的漏极端和N型晶体管MN的漏极端之间。P型晶体管MP的源极端和N型晶体管MN的源极端分别耦合到电源电压端(例如，在LC振荡器10内提供最高固定电压电平的端)和接地电压端(例如，在LC振荡器10内提供最低固定电压电平的端)。
[0020]如图1A所示，LC振荡器10可以进一步包括第三部分第一电感器(例如电感器L
31
)和第三部分第二电感器(例如电感器L
32
)，其中，电感器L
31
耦合在电感器L
11
的第二端和P型晶体管MP的漏极端之间，电感器L
32
耦合在电感器L
12
的第二端和N型晶体管MN的漏极端之间。
[0021]为了更好地说明，相应组件的电感和电容用相应组件相同/相似符号的斜体表示。例如，电容器C1的电容和电容器C2的电容分别由C1和C2表示，电感器L
11
和L
12
中每一个的电感由L1表示，电感器L2的电感由L2表示，电感器L
31
和L
32
中的每一个的电感由L3表示，其中符号“s”可以表示与频率和相位相关联的变量。对于具有图1A所示的电感器L
31
和L
32
的架构，至少电感器L
11
和L
12
，电感器L2和电容器C1构成基频谐振回路。详细地，基频fo处的阻抗Z
in1
可以如下所示：
[0022][0023]此外，至少电感器L2，电容器C2，电感器L
31
和L
32
构成二次谐波滤波器，以阻止或减弱LC振荡器10的二次谐波信号。详细地，在二次谐波频率2fo处的阻抗Z
in2
可以如下所示：
[0024][0025]在一些实施例中，可以省略电感器L
31
和L
32
，例如，电感器L
11
的第二端和电感器L
12
的第二端可以分别直接连接到P型晶体管MP的漏极端和N型晶体管MN的漏极端。在这种本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电感电容器振荡器，其特征在于，包括：第一晶体管和第二晶体管；第一部分第一电感器和第一部分第二电感器，其中，所述第一部分第一电感器的第一端和所述第一部分第二电感器的第一端分别耦合至所述第二晶体管的栅极和所述第一晶体管的栅极；第一部分电容器，耦合在所述第一部分第一电感器的所述第一端和所述第一部分第二电感器的所述第一端之间；第二部分电感器，耦合在所述第一部分第一电感器的第二端和所述第一部分第二电感器的第二端之间；和至少一个第二部分电容器，耦合在所述第一晶体管的漏极端和所述第二晶体管的漏极端。2.如权利要求1所述的电感电容器振荡器，其特征在于，至少所述第一部分第一电感器，所述第一部分第二电感器，所述第二部分电感器和所述第一部分电容器构成基频谐振回路。3.如权利要求1所述的电感电容器振荡器，其特征在于，至少所述第二部分电感器和所述至少一个所述第二部分电容器构成二次谐波滤波器，以阻止或减弱二次谐波信号。4.如权利要求1所述的电感电容器振荡器，其特征在于，所述第一部分第一电感器，所述第一部分第二电感器和所述第二部分电感器由没有分割的连续金属层实现。5.如权利要求1所述的电感电容器振荡器，其特征在于，还包括：第三部分第一电感器和第三部分第二电感器，其中所述第三部分第一电感器耦合在所述第一部分第一电感器的所述第二端和所述第一晶体管的漏极端之间，以及所述第三部分第二电感器耦合在所述第一部分第二电感器的所述第二端和所述第二晶体管的漏极端之间。6.如权利要求5所述的电感电容器振荡器，其特征在于，至少所述第二部分电感器，所述至少一个第二部分电容器，所述第三部分第一电感器和所述第三部分第二电感器构成二次谐波滤波器以阻止或减弱电感电容器振荡器的二次谐波信号。7.如权利要求5所述的电感电容器振荡器，其特征在于，所述第一部分第一电感器，所述第一部分第二电感器，所述第二部分电感器，所述第三部分第一电感器和所述第三部分第二电感器由没有分割的连续金属层实现。8.如权利要求1所述的电感电容器振荡器，其特征在于，所述第一晶体管是P型晶体管，所述第二晶体管是N型晶体管，并且所述至少一个第二部分电容器的第一端和第二端分别耦合至所述第一晶体管漏极端和所述第二晶体管的漏极端。9.如权利要求1所述的电感电容器振荡器，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管均是P型晶体管，或者所述第一晶体管和所述第二晶体管均是N型晶体管。10.如权利要求1所述的电感电容器振荡器，其特征在于，进一步包括耦合到所述第一晶体管的源极端和所述第二晶体管的源极端的尾滤波器。11.如权利要求1所述的电感电容器振荡器，其特征在于，还包括耦合到所述第二部分电感器的中心抽头的尾滤波器。12.一种双核振荡器，其特征在于，包括：彼此相同的第一电感电容器振荡器和第二电
感电容器振荡器，其中，所述第一电感电容器振荡器和所述第二电感电容器振荡器分别包括：第一晶体管和第二晶体管；第一部分第一电感器和第一部分第二电感器，其中，所述第一部分第一电感器的第一端和所述第一部分第二电感器的第一端分别耦合至所述第二晶体管的栅极和所述第一晶体管的栅极；第一部分电容器，耦合在所述第一部分第一电感器的所述第一端和所述第一部分第二电感器的所述第一端之间；第二部分电感器，耦合在所述第一部分第一电感器的第二端...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄皓玮，林昂生，邱威豪，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：