磁头制造技术

本发明专利技术涉及磁头。根据本发明专利技术的实施方式，一种用于在记录介质上记录信息的磁头，其包括：磁极层，该磁极层具有要面对所述记录介质的端面；辅助磁极层，该辅助磁极层磁性地连接至所述磁极；以及屏蔽层，该屏蔽层用于保护所述磁极层不受外部磁场影响，所述屏蔽层具有要面对所述记录介质的第一表面、要面对所述记录介质的与所述第一表面相邻的第二表面，以及与所述第二表面相邻的第三表面，所述第一表面和所述第二表面形成锐外角，所述第一表面和所述第三表面形成钝外角。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及利用垂直磁记录方法执行磁记录操作的磁头或利用垂直 磁记录方法从记录介质读出记录的数据并且执行数据再现操作的磁头。
技术介绍

技术实现思路
根据本专利技术的一种实施方式， 一种用于在记录介质上记录信息的磁 头包括磁极层，该磁极层具有要面对所述记录介质的端面；辅助磁极 层，该辅助磁极层磁性地连接至所述磁极；以及屏蔽层，该屏蔽层用于 保护所述磁极层不受外部磁场影响，所述屏蔽层具有要面对所述记录介 质的第一表面、要面对所述记录介质的与所述第一表面相邻的第二表面、 以及与所述第二表面相邻的第三表面，所述第一表面和所述第二表面形 成锐外角，所述第一表面和所述第三表面形成钝外角。根据本专利技术的另一实施方式， 一种用于再现记录在记录介质上的信 息的磁头包括:用于再现信息的磁阻组件；和屏蔽层，该屏蔽层用于保 护所述磁阻组件不受外部磁场影响，所述屏蔽层具有要面对所述记录介 质的第一表面、要面对所述记录介质的与所述第一表面相邻的第二表面、 以及与所述第二表面相邻的第三表面，所述第一表面和所述第二表面形 成锐外角，所述第一表面和所述第三表面形成钝外角。根据本专利技术的又一实施方式， 一种用于在记录介质上记录信息的磁 头包括磁极层，该磁极层具有要面对所述记录介质的端面；辅助磁极 层，该辅助磁极层磁性地连接至所述磁极，所述辅助磁极层具有要面对 所述记录介质的第一表面、要面对所述记录介质的与所述第一表面相邻 的第二表面、以及与所述第二表面相邻的第三表面，所述第一表面和所述第二表面形成锐外角，所述第一表面和所述第三表面形成钝外角。 附图说明图1是沿与记录介质的径向垂直的平面截取的根据本专利技术实施方式 的磁头的截面示意图；图2是在沿在基板上对各层进行层叠的方向观看时根据本专利技术的磁头的屏蔽层和辅助磁极层的示意图；图3A和3B是根据本专利技术实施方式的磁头的再现磁头单元的形状的 示意图；图4是根据本专利技术实施方式的从记录介质的径向观看的磁头的记录 磁头单元的形状的局部示意图；图5是根据本专利技术实施方式的从记录介质的径向观看的磁头的记录 磁头单元的形状的局部示意图；图6是根据本专利技术实施方式的从记录介质的径向观看的磁头的记录 磁头单元的形状的局部示意图；图7是根据本专利技术实施方式的从记录介质的径向观看的磁头的记录 磁头单元的形状的局部示意图；图8例示了当外角0ar = 0al =13°而外角eBR (=eBj改变时在拐角 AR处与磁场强度比有关的仿真结果；图9例示了当外角eBR = eBL =110°而外角eAR (=eAL)改变时在拐角AR处与磁场强度比有关的仿真结果；图IOA到图IOD是根据本专利技术的在从基板的层向观看时的磁头屏蔽 部变型例的示意图；以及图11是根据本专利技术的在从基板的层向观看时磁头的屏蔽层的示意图。具体实施方式近年来，已经幵发出了利用垂直磁记录方法的硬盘驱动器(HDD) 磁头。与利用纵向磁记录方法的HDD磁头的表面记录密度相比，这些HDD磁头具有更高的表面记录密度。一些利用垂直磁记录方法的HDD磁头具有单一磁极结构，该单一磁 极结构包括主磁极层、辅助磁极层、以及作用于这些层的励磁线圈。另 一方面， 一些用作记录介质的磁盘具有包括用作磁路的一部分的软磁底 层(SUL)和垂直磁记录层的层压结构。与纵向磁记录方法相比，垂直 磁记录方法显著减少了磁盘表面的磁转换区中的去磁场。由此，可以减 少磁转换宽度。另外，在纵向磁记录方法中，在执行高密度记录时，记 录介质的磁化容易受热变化影响。然而，在垂直磁记录方法中，磁化对 热变化不敏感。因而，即使执行高密度记录，也可以获得稳定记录。利 用垂直磁记录方法记录在记录介质上的数据可以通过再现磁头进行读 取，该再现磁头包括现有磁阻(MR)组件，如各向异性磁阻(AMR)组 件、巨磁阻(GMR)组件、或隧道磁阻(TMR)组件。对于利用垂直磁记录方法的磁记录装置来说，从外壳外部无意地施 加的磁场或装置内部的杂散磁场可以造成磁记录信息劣化，由此，在使 用装置时导致严重问题。这种问题之一是边缘写入问题。边缘写入是这样的一种现象，即记 录在记录介质上的信息被由于在磁头装置中出现杂散磁场而造成从软磁 底层集中到辅助磁极或屏蔽部的端部上的磁场擦除。如在此使用的，术语屏蔽部是指向再现磁头设置的屏蔽部和向 记录磁头设置的屏蔽部二者。向再现磁头设置的屏蔽部减少了外部磁场 对MR组件的影响并且稳定了读取特性。 一般来说，设置两个屏蔽部， 以将MR组件夹在中间。与此相反，向记录磁头设置的屏蔽部减少了外 部磁场对主磁极层的影响并且稳定了记录特性。这种屏蔽部的一个示例 是设置在浮动表面侧上的辅助磁极的顶端部上并且与主磁极隔开预定距 离的尾部屏蔽部。这种屏蔽部的另一示例是面对辅助磁极的、设置在与 主磁极层的表面相对的表面上的、并且与主磁极层隔开预定距离的写入 屏蔽部。因此，本专利技术的一个目标是提供一种减少在记录介质上的边缘写入 的磁头。下面，参照附图，对本专利技术的示例性实施方式进行详细说明。 首先，参照图1，对根据本专利技术实施方式的磁头的示例性结构进行 说明。在下面的说明中，X轴向表示记录介质的径向，Y轴向表示远离 记录介质延伸的方向，而Z轴向表示在基板上对层进行层叠的方向(下文中，称为基板的层向)。z轴向还表示记录介质相对于磁头的移动方 向。X轴向、Y轴向以及Z轴向彼此垂直。另外，X轴向上的距离称为 宽度。Y轴向的距离称为长度。Z轴向上的距离称为厚度。而 且，与浮动表面(气垫表面(air-bearing surface))相邻的一侧称为浮 动表面侧。与浮动表面侧相对的一侧称为高表面(height surface)。 这些表示法还适用于下面给出的图2之后的说明。图1是沿与记录介质的径向垂直的平面截取的磁头的截面图。根据 本实施方式，磁头用作安装在诸如硬盘驱动器的磁记录设备中的磁记录 装置。例如，磁头是能够提供记录功能和再现功能二者的组合磁头。例 如，磁头包括由诸如altic (Al203TiC)的陶瓷材料制成的基板(未示出)。 在基板上按这样的顺序层叠有下面的层由铝氧化物(A1203，下文中， 简称为氧化铝)形成的绝缘层(未示出)、用于利用磁阻(MR)执行 再现操作的再现磁头单元100A、用于利用垂直记录方法执行记录操作的 记录磁头单元100B、以及例如由氧化铝制成的保护层(overcoat layer)(未 示出)。然而，在根据本专利技术的磁头中，可以按顺序在基板上层叠绝缘层、 再现磁头单元以及保护层。另选的是，在根据本专利技术的磁头中，可以按 顺序在基板上层叠绝缘层、记录磁头单元以及保护层。例如，再现磁头单元100A包括按这种次序分层的下屏蔽层3、间隔 膜(gap film) 4、以及上屏蔽层6。间隔膜4和充任磁再现装置的MR组 件5合并，MR组件5的一个端表面通过浮动表面20露出。下屏蔽层3和上屏蔽层6将MR组件5与周围环境磁性屏蔽开。下 屏蔽层3和上屏蔽层6由诸如镍铁合金(NiFe，下文中，简称为坡莫 合金(permolloy )(商品名称))的磁性材料制成。坡莫合金包含有80 wt% 的Ni和20 wt。/。的Fe。下屏蔽层3和上屏蔽层6中的每一层的厚度都处 于大约1.0(mi到大约2.0(mi的范围内。间隔膜4将MR组件5与下屏蔽本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于在记录介质上记录信息的磁头，该用于在记录介质上记录信息的磁头包括：　　　　磁极层，该磁极层具有要面对所述记录介质的端面；　　　　辅助磁极层，该辅助磁极层磁性地连接至所述磁极；以及　　　　屏蔽层，该屏蔽层用于保护所述磁极层不受外部磁场影响，所述屏蔽层具有要面对所述记录介质的第一表面、要面对所述记录介质的与所述第一表面相邻的第二表面、以及与所述第二表面相邻的第三表面，所述第一表面和所述第二表面形成锐外角，所述第一表面和所述第三表面形成钝外角。

【技术特征摘要】
JP 2007-3-16 2007-0695611、一种用于在记录介质上记录信息的磁头，该用于在记录介质上记录信息的磁头包括磁极层，该磁极层具有要面对所述记录介质的端面；辅助磁极层，该辅助磁极层磁性地连接至所述磁极；以及屏蔽层，该屏蔽层用于保护所述磁极层不受外部磁场影响，所述屏蔽层具有要面对所述记录介质的第一表面、要面对所述记录介质的与所述第一表面相邻的第二表面、以及与所述第二表面相邻的第三表面，所述第一表面和所述第二表面形成锐外角，所述第一表面和所述第三表面形成钝外角。2、 根据权利要求1所述的用于在记录介质上记录信息的磁头，其中， 所述第二表面和所述第三表面形成锐内角。3、 根据权利要求1所述的用于在记录介质上记录信息的磁头，其中， 所述第一表面和所述第二表面形成3度到15度的外角，而所述第一表面和所述第二表面形成105度到135度的外角。4、 根据权利要求1所述的用于在记录介质上记录信息的磁头，其中， 所述第二表面和所述第三表面的交点到所述第一表面的距离等于0.8微 米或更大。5、 一种用于再现记录在记录介质上的信息的磁头，所述用于再现记录在记录介质上的信息的磁头包括用于再现信息的磁阻组件；和屏蔽层，该屏蔽层用于保护所述磁阻组件不受外部磁场影响，所述 屏蔽层具有要面对所述记录介质的第一表面、要面对所述记录介质的与 所述第一表面相邻的第二表面，以及与所述第二表面相邻的第三表面， 所述第一表面和所述第二表面形成锐外角，所述第一表面和所述第三表 面形成钝外角。6、 根据权利要求5所述的用于再现记录在记录介质上的信息的磁 头，其中，所述第二表面和所述第三表面形成锐内角。7、 根据权利要求5所述的用于再现记录在记录介质上的信息的磁头，其中，所述第一表面和所述第二表面形成3度到15度的外角，而所 述第一表面和所述第二表面形成105度到135度的外角。8、 根据权利要求5所述的用于再现记录在记录介质上的信息的磁 头，其中，所述第二表面和所述第三表面的交点到所述第一表面的距离 等于0.8微米或更大。9、 根据权利要求5所述的用于再现记录在记录介质上的信息的磁 头，所述用于再现记录在记录介质上的信息的磁头还包括辅助屏蔽层，该辅助屏蔽层以所述记录介质为基准比所述屏蔽层位 置更高，所述辅助屏蔽层与所述屏蔽层分开。10、 根据权利要求1所述的用于在记录介质上记录信息的磁头，所 述用于在记录介质上记录信息的磁头还包括磁阻组件，该磁阻组件用于再现记录在所述记录介...

【专利技术属性】
技术研发人员：山田浩之，永井浩史，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]