本发明专利技术提供一种全息记录材料、其制造方法及全息记录媒体，所述全息记录材料不仅在使用绿色激光而且在使用了蓝色激光的全息存储记录中，也能够实现高的折射率变化、柔软性、高灵敏度、低散射、耐环境性、耐久性、低尺寸变化（低收缩性）及高多重性。一种全息记录材料，其包含金属氧化物和光聚合性化合物，所述金属氧化物至少含有Ｓｉ和Ｚｒ作为金属，并且在Ｚｒ上配位有芳香族羧酸化合物。所述芳香族羧酸化合物可以使用甲苯酸。一种全息记录媒体（１１），其具有全息记录材料层（２１）。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种适于体积型全息记录的全息记录材料、其制造方法 以及具有所述全息记录材料的全息记录媒体。特别涉及一种也适用于不 仅利用绿色激光而且利用蓝色激光的记录、再生的全息记录材料、其制 造方法及具有所述全息记录材料的全息记录媒体。
技术介绍
作为可以进行大容量、高速输送的记录技术，正在进行全息存储器的研究开发。在OplusE,vol.25，No.4385-390(2003)中，记载有全息存储 器的基本结构及今后的展望。作为全息记录材料所要求的特性，可列举记录时的高的折射率变 化、高灵敏度、低散射、耐环境性、耐久性、低尺寸变化及高多重性 (multiplicity)等。迄今为止，关于使用了绿色激光的全息存储记录，如以 下那样进行了各种报道。作为全息记录材料，已知有以有机粘合剂聚合物和光聚合性单体为 主要成分的光聚合物材料。但是，光聚合物材料在耐环境性、耐久性等 方面有问题。为了解决光聚合物材料的问题点，以无机基体和光聚合性 单体为主要成分的有机一无机混合材料备受瞩目，正在进行研究。无机 基体在耐环境性、耐久性方面优异。例如在日本国专利2953200号公报中公开有一种光记录用膜，所述 光记录用膜在无机物质网状物的膜中含有光聚合性单体或低聚物及光 聚合引发剂。另外，也公开有将无机网状物进行有机修饰而改善无机网 状物膜的脆度。但是，与无机物质网状物和光聚合性单体或低聚物的相 溶性不良。因此，难以得到均匀的膜。在同该公报中具体地公开的是，用514.5nm的氩激光将厚度约10 n m的感光层进行曝光。在日本国特开平11一344917号公报中公开有一种光记录媒体，所 述光记录媒体在有机一无机混合基体中含有光活性单体。所述有机无机 混合基体在金属元素中具有烷基(甲基)或芳基(苯基)。但是，通过甲基的 导入，不能改善混合基体和光活性单体的相溶性。苯基的导入与甲基的 导入相比，得到相溶性的改善。但是，通过苯基的导入，混合基体前体 的固化速度降低(该公报)。在同号公报中具体地公开的是，用 532nm的YAG激光将厚度100 u m的全息记录层进行记录(例3、 )。 在日本国特开2002—236439号公报中公开有一种含有基体、光聚 合性化合物及光聚合弓I发剂的全息记录材料，所述基体由有机一无机混 合聚合物及/或其水解縮聚物构成，所述有机无机混合聚合物由含有乙 烯性不饱和双键作为主链结构成分的有机金属化合物和具有乙烯性不 饱和双键的有机单体共聚而成。通过将大的有机主链成分导入基体材 料，基体和光聚合性化合物的相溶性得以改善。但是，通常认为，大的 有机主链成分的导入时，在基体材料中存在有机主链和无机网状物的两 种成分结构，可能不显示作为记录时的作为基体的单一的行为，引起记 录的不均匀。另外，当基体中的有机主链成分的比例大时，产生与使用 了有机粘合剂聚合物的光聚合物材料中的相同问题。在该公报中具体地 公开的是，用514.5nm的氩激光将厚度约20 u m的全息记录材料层 进行曝光。为了解决上述各公报中所公开的全息记录材料的问题点，在日本国 特开2005—321674号公报中公开有一种全息记录材料，所述全息记录 材料包含具有有机金属单元的有机金属化合物和光聚合性化合物，所述 有机金属单元至少具有至少两种金属(Si、 Ti)、氧及芳香族基团，并且2 个芳香族基团直接键合于1个金属(Si)上。在该公报的实施例l(特别是 )中公开了具有所述全息记录材料的厚度100ixm的层的全息记录媒体在Nd:YAG激光(532nm)中的记录方面，得到高的透射率、 高的折射率变化、低散射及高多重性。在上述任一种公报中都公开有关于使用了绿色激光的全息存储器 记录，关于使用了蓝色激光的全息存储器记录没有公开。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种适于体积型全息记录的全息记录材料 及其制造方法，所述全息记录材料不仅在使用绿色激光而且使用蓝色激 光的全息存储器记录中，也能够实现高的折射率变化、柔软性、高灵敏 度、低散射、耐环境性、耐久性、低尺寸变化(低收缩性)及高多重性。 另外，本专利技术的目的还在于提供一种全息记录媒体，所述全息记录媒体 具有由所述全息记录材料构成的全息记录层。本专利技术者进行了研究后得知，当在日本国特开2005—321674号公 报公开的全息记录媒体中使用蓝色激光进行全息存储器记录时，引起透 射率的降低，不能得到良好的全息存储器记录特性。而且得知，透射率 的降低由含有Ti作为构成金属元素而引起。当透射率降低时，在记录层 中沿记录层的厚度方向不均匀地形成全息(干涉条纹)，产生散射性噪音 等。明确了为了得到良好的全息图像特性，需要媒体具有50%以上的光 透射率。全息记录层的光透射率依赖于其厚度。若减薄记录层的厚度，则光 透射率提高，但使再生光入射到记录形成的图案上时，得到的衍射峰的 宽度广，相邻的衍射峰之间的分离性恶化。因此，为了得到充分的SN 比(信噪比，Signal to Noise rotio)，在进行多重记录时必须扩展移位间隔 (角度等)，因此，不能实现高多重性。为了实现确保高多重性的全息存 储器记录特性，即使在任何记录系统使用全息记录媒体，都需要最低100 um的厚度的记录层。在本专利技术中包含以下的专利技术。(l)一种全息记录材料，其中，含有金属氧化物和光聚合性化合物， 所述金属氧化物至少含有Si和Zr作为金属，并且在Zr上配位有芳香族 羧酸化合物。(2)如上述(1)所述的全息记录材料，其中，所述芳香族羧酸化合物是甲苯酸。(3) 如上述(1)或(2)所述的全息记录材料，其中，所述金属氧化物具 有2个芳香族基团直接键合于Si上的有机金属单元。(4) 如上述(1) (3)中任一项所述的全息记录材料，其中，还含有光聚 合引发剂。(5) —种全息记录材料的制造方法，它是制造含有金属氧化物和光聚 合性化合物的全息记录材料的制造方法，所述金属氧化物至少含有Si 和Zr作为金属，并且在Zr上配位有芳香族羧酸化合物，其中，包括将作为初始原料的Zr的醇盐化合物和芳香族羧酸化合物混合，用 芳香族羧酸化合物修饰Zr的醇盐化合物的工序；将由芳香族羧酸化合物修饰过的Zr的醇盐化合物和Si的醇盐化合 物混合的工序；使混合后的醇盐化合物水解，得到金属氧化物的前体的工序； 在所述水解前、水解时或水解后，混合光聚合性化合物的工序； 使混合有光聚合性化合物的金属氧化物前体进行縮聚反应的工序。(6) —种全息记录媒体，其中，具有由上述(1) (4)中任一项所述的全 息记录材料构成的全息记录层。(7) 如上述(6)所述的全息记录媒体，通过波长350~450nm的激光进 行记录/再生。(8) 如上述(6)或C7)所述的全息记录媒体，其中，记录媒体在波长 405nm中具有50%以上的光透射率，或在波长405nm中具有25%以上的光反射率。(9) 如上述(6) (8)中任一项所述的全息记录媒体，其中，全息记录层 具有至少O.lmm(lOOy m)的厚度。(10) —种Zr的醇盐化合物，其中，在Zr上配位有芳香族羧酸。 根据本专利技术的全息记录材料，作为基体或光聚合性化合物的分散剂起作用的含有机基团的金属氧化物，含有Si和Zr作为构成金属元素，并且在Zr上配位有芳香族羧酸化合物，本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种全息记录材料，其特征在于， 含有金属氧化物和光聚合性化合物，所述金属氧化物至少含有Ｓｉ和Ｚｒ作为金属，并且在Ｚｒ上配位有芳香族羧酸化合物。
【技术特征摘要】
JP 2007-4-27 2007-1180241.一种全息记录材料，其特征在于，含有金属氧化物和光聚合性化合物，所述金属氧化物至少含有Si和Zr作为金属，并且在Zr上配位有芳香族羧酸化合物。2. 如权利要求1所述的全息记录材料，其特征在于，所述芳香族羧 酸化合物是甲苯酸。3. 如权利要求1所述的全息记录材料，其特征在于，所述金属氧化 物具有2个芳香族基团直接键合于Si上的有机金属单元。4. 如权利要求1所述的全息记录材料，其特征在于，还含有光聚合 引发剂。5. —种全息记录材料的制造方法，它是制造含有金属氧化物和光聚 合性化合物的全息记录材料的制造方法，所述金属氧化物...
【专利技术属性】
技术研发人员：小须田敦子，林田直树，吉成次郎，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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