写入条件优化方法和设备以及光记录介质技术

一种优化光记录介质的写入条件的方法，包括：在光记录介质上按照写入条件写入测试模式数据；将通过再现写入的测试模式数据检测的误差模式二进制信号与测试模式数据的校正模式二进制信号进行比较；以及基于比较的结果来确定光记录介质的最佳写入条件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的各方面涉及一种用于优化光记录介质的写入条件的方法和设备 及其光记录介质。
技术介绍
传统的写入条件优化方法可包括通过在按照预定模式执行写入之后的 再现期间，提取写入模式边沿与PLL (锁相环)时钟边沿之间的相位差柞为 误差脉冲来确定具有最小相位差的写入脉冲，获得一种来自#4居标记(mark) 和空白(space)的组合存在相位差的信息表的误差脉沖被最小化的条件，对 于盘重复写入并再现写入模式的操作。另 一传统的写入条件优化方法包括通过最小化抖动来优化写入的方法。 在该方法中，按照非对称校正方法来首先优化写入功率。然后，通过移动标 记边沿来确定写入脉冲。也就是说，确定写入脉沖的第一脉冲和最后脉冲以 最小化抖动值。这些方法基本上使用过零(zero-crossing )方法来测量抖动或者使用写入 模式边沿与PLL时钟边沿之间的相位差来优化写入。然而，随着盘的容量增 加，上述和/或其它方法的使用变得不可行。图1A和图1B是分别示出使用波长为405nm, NA为0.85 (其中，分辨 率为119nm ( =405nm/ (4x0.85)))的拾取器测量的25GB和50GB的RF 信号的曲线图。如图l所示，对于25GB的RF信号，RF信号比较清楚，从 而可按照过零方法来估计信号，并且可使用该方法进行写入优化。也就是说， 如圈A所示，由于RF信号清楚地跨过零点，因此，可按照过零方法来进行 写入优化。如图1B所示，对于50GB的RF信号，由于小于分辨率(2T-75nm并 且3T=112.5nm)的信号不能被检测到，所以不能按照上述传统的写入条件 优化方法来实现写入优化。也就是说，由于RF信号没有在由圏B指示的部 分中跨过零点，所以难以检测写入RF信号的过零情况。
技术实现思路
技术问题所述现象在包括小于分辨率的标记的Super-RENS盘的随机信号中同样 存在。在Super-RENS盘中，激光束本身的大小没有减小，但是光学特性在盘 的部分区域改变。因此，由于标记的长度减小而激光束的原始大小没有改变， 所以标记位于激光束的一个光斑的范围之内，因此干扰信号。当特定标记的 信号电平由于上述符号间干扰而受到位于所述特定标记之前和之后的标记的 信号电平的影响时，即使标记或空白的长度相同，标记或空白的信号电平也 变得不一致。因此，不能使用过零方法。所以，用于传统光盘的写入优化方 法不能用于包括小于分辨率的标记的Super-RENS盘。因此，需要新的方法来 进行写入优化。技术方案为了解决上述和/或其它问题，本专利技术的各方面提供一种写入条件优化方 法和设备及其信息存储介质，所述方法和设备通过在高密度信息记录介质(具 体为超分辨率盘)中最优地确定写入条件来改善信号的质量。有益效果根据本专利技术的各方面，对于无法使用过零检测方法的高密度信息存储介 质的光记录介质，可有效地优化写入条件。此外，可通过改善信号的质量来 再现高容量记录。附图说明通过下面结合附图进行的对实施例的描述，本专利技术的这些和/或其它方面 和优点将会变得清楚和更加容易理解，其中图1A和图1B是分别示出使用波长为405nm, NA为0.85 (其中，分辨 率为119nm ( =405nm/ (4x0.85)))的拾取器测量的25GB和50GB的RF 信号的曲线图2是示出根据本专利技术实施例的记录/再现设备的配置的示图； 图3是用于解释根据本专利技术实施例的写入条件优化方法的流程图； 图4是用于图3的写入条件优化方法的测试写入^^莫式的时序图； 图5A和图5B示出根据图3的写入条件优化方法的误差改进方向；图6A和图6B示出根据图3的写入条件优化方法的另一误差改进方向； 图7A和图7B示出根据图3的写入条件优化方法的另一误差改进方向； 图8A和图8B是示出根据重复误差的占空时间量的改变的曲线图；以及 图9是示出写入占空时间调整量的信息记录介质的示图。具体实施方式 最佳方式根据本专利技术的一方面， 一种优化光记录介质的写入条件的方法，包括 在光记录介质上按照写入条件写入测试模式数据，将通过再现写入的测试模 式数据检测的误差模式二进制信号与测试模式数据的校正模式二进制信号进 行比较，以及基于比较的结果来确定光记录介质的最佳写入条件。确定最佳写入条件的步骤包括当检测误差模式二进制信号和校正模式 二进制信号的结果相同时，将写入数据的写入条件确定为最佳写入条件。确定最佳写入条件的步骤包括当检测误差模式二进制信号和校正模式 二进制信号的结果不相同时，通过改变数据的写入条件直到检测误差模式二 进制信号和校正模式二进制信号的结果相同来写入数据，当检测误差模式二 进制信号和校正模式二进制信号的结果相同时，将写入数据的写入条件确定 为最佳写入条件。确定最佳写入条件的步骤包括将误差模式二进制信号与校正模式二进 制信号进行比较，当具有差值误差的标记重复出现时，将所述标记以及该标 记之前和之后的至少一个标记和/或空白确定为写入改进模式，参照校正模式 二进制信号来改变数据的写入条件，根据改变的写入条件，写入依据写入改 进模式的数据。在改变写入条件的步骤中，参照校正模式二进制信号来改变以下项中的 至少一个写入改进模式的第一写入脉冲的宽度、第一写入脉冲的开始点的 移动量以及最终写入脉冲的宽度。改变写入条件的步骤包括从光记录介质的预定区域读取关于将改变的 写入条件的信息。根据本专利技术的另 一方面， 一种用于优化光记录介质的写入条件的设备包 括读和/或写单元，用于按照写入条件将测试模式数据写到光记录介质，并 从光记录介质读取测试模式数据；以及控制单元，将通过再现读取的测试模式数据检测的误差模式二进制信号与校正二进制信号进行比较，并基于比较 的结果来确定光记录介质的最佳写入条件。根据本专利技术的另 一方面，信息存储介质记录有关于信息存储介质的写入条件调整值的信息，关于写入条件调整值的信息包括以下项中的至少 一 个写入改进模式的第一写入脉沖的宽度、第一写入脉沖的开始点的移动量以及 最终写入脉沖的宽度。关于写入条件调整值的信息被写入信息存储介质的导入区和导出区中的 至少一个。本专利技术的附加和/或其它方面和优点在下面的描述中部分地阐述，部分地 通过所述描述变得清楚，或者可通过对本专利技术的实施来得知。专利技术方式现将详细参照本专利技术的当前实施例，其示例在附图中示出，其中，相同 的标号始终指示相同的部件。以下通过参照附图来描述所述实施例以便解释 本专利技术。参照图2,根据本专利技术实施例的记录/再现设备100包括拾取单元1、 部分响应最大似然(PRML ) 4企测单元70、系统控制器80和写入策略(W/S ) 单元90。 W/S单元90根据记录/再现设备100的写入策略向拾取单元1提供 写入模式和写入条件控制信号。拾取单元1根据从W/S单元90接收的写入 模式和写入条件控制信号，向作为超分辨率记录介质的光记录介质200照射光。拾取单元1包括激光二极管10,用于照射光；校准透镜20,用于将从 激光二极管10照射的光转换为平行光束；光束分离器30，用于改变入射光 的行进路径；和物镜40,用于将穿过光束分离器30的光聚集到记录介质200。 拾取单元1向光记录介质200照射再现光束。由光记录介质200反射的光经 光束分离器30反射，被光检测器50接收。正交本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种优化光记录介质的写入条件的方法，包括：在光记录介质上按照写入条件写入测试模式数据；将通过再现写入的测试模式数据检测的误差模式二进制信号与测试模式数据的校正模式二进制信号进行比较；以及基于比较的结果来确定光记录介质的最佳写入条件。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】KR 2005-12-20 10-2005-01262651、一种优化光记录介质的写入条件的方法，包括在光记录介质上按照写入条件写入测试模式数据；将通过再现写入的测试模式数据检测的误差模式二进制信号与测试模式数据的校正模式二进制信号进行比较；以及基于比较的结果来确定光记录介质的最佳写入条件。2、 如权利要求l所述的方法，其中，确定最佳写入条件的步骤包括当 误差模式二进制信号和校正模式二进制信号相同时，将写入条件确定为最佳 写入条件。3、 如权利要求l所述的方法，其中，确定最佳写入条件的步骤包括 当误差模式二进制信号和校正模式二进制信号最初不相同时，重复写入测试模式数据，同时改变写入条件，直到误差模式二进制信号和校正模式二 进制信号相同；以及当误差模式二进制信号和校正模式二进制信号相同时，将写入条件确定 为最佳写入条件。4、 如权利要求l所述的方法，其中，确定最佳写入条件的步骤包括 将误差模式二进制信号与校正模式二进制信号进行比较，当具有差值误差的标记重复出现时，将所述标记以及该标记之前和之后的至少 一个标记和/或空白确定为写入改进模式；参照校正模式二进制信号来改变测试模式数据的写入条件；以及 根据写入改进模式，按照改变的写入条件来写入测试模式数据。5、 如权利要求4所述的方法，其中，改变写入条件的步骤包括改变以下 项中的至少一个写入改进模式的第一写入脉冲的宽度、第一写入脉沖的开 始点的移动量以及最终写入脉冲的宽度。6、 如权利要求4所述的方法，其中，改变写入条件的步骤包括从光记7、 一种存储有用于执行根据权利要求1的方法的程序的计算机可读介质。8、 一种用于优化光记录介质的写入条件的设备包括 读和/或写单元，用于按照写入条件将测试模式数据写到光记录介质，并从光记录介质读取测试模式数据；以及控制单元，用于将通过再现读取的测试模式数据检测的误差模式二进制 信号与校正二进制信号进行比较，并基于比较的结果来确定光记录介质的最佳写入条件。9、 如权利要求8所述的设备，其中，当误差模式二进制信号和校正模式 二进制信号相同时，控制单元确定写入的测试模式数据的写入条件为最佳写 入条件。10、 如权利要求8所述的设备，其中，当误差模式二进制信号和校正模 式二进制信号最初不相同时，控制单元控制读和/或写单元按照改变的写入条 件来写入测试模式数据，直到误差模式二进制信号和校...

【专利技术属性】
技术研发人员：裴在喆，金朱镐，李坰根，赵辉，福泽成敏，菊川隆，小林龙弘，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]