残留DC测定装置、残留DC测定方法及残留DC测定程序制造方法及图纸

本发明专利技术的残留DC测定装置接受从显示装置出射的光并输出受光信号，基于在由显示装置显示闪烁测定用图像的过程中输出的受光信号，对显示装置的闪烁值进行测定并作为初始闪烁值保存至存储部，接下来，使显示装置以规定的显示时间显示规定的显示图像，如果经过了规定的显示时间，则再次使显示装置显示闪烁测定用图像，基于在闪烁测定用图像的显示中输出的受光信号对显示装置的闪烁值进行测定并作为事后闪烁值保存至存储部，通过存储部中保存的事后闪烁值和初始闪烁值的运算，计算闪烁变化量，作为表现残留DC的指标值。作为表现残留DC的指标值。作为表现残留DC的指标值。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】残留DC测定装置、残留DC测定方法及残留DC测定程序


[0001]本专利技术涉及对液晶显示器等显示装置中产生的残留DC进行测定的技术。

技术介绍

[0002]已知在液晶显示器中，如果长时间显示相同的图像，则发生图像烧灼(例如参照非专利文献1)。在非专利文献1中，说明了该图像烧灼与残留DC有很强的关系。作为对残留DC电压进行测定的方法，已知闪烁消除法(例如参照非专利文献2)。闪烁消除法一般而言，是针对液晶面板施加压力(温度、热)，其后施加对称的交流信号，对为了消除所产生的闪烁而施加的偏置电压进行测定的方法。但是，在非专利文献2中报告了：由于在闪烁消除法中难以实现测定的自动化，因此存在有时测定结果根据测定者而不同的课题。在非专利文献3中，记载了对试样施加不同的DC电压压力之后的闪烁值的时间性变化。即，在非专利文献3的图11中，表示了闪烁量随着时间而变化。
[0003]近年来，作为实现大视野角且高分辨率的高性能的液晶显示器的手段，广泛使用边缘电场开关方式的液晶。但是，该液晶材料的残留DC大，因此存在容易发生图像烧灼的问题。因此，对残留DC进行测定的必要性日益提高。
[0004]但是，为了对残留DC进行测定，为了向液晶单元施加偏置电压，需要对液晶显示器进行分解并将布线连接至液晶单元。因此，针对组装已大致完成的液晶显示器，即使例如希望在检查工序中查明残留DC，也无法向液晶单元施加偏置电压，因此无法使用闪烁消除法。同样，针对组装已大致完成的液晶显示器，也无法像上述非专利文献3那样向液晶单元施加不同的DC电压来查明闪烁值的差异。于是，针对工厂中的组装已大致完成的液晶显示器等显示装置，也希望能够对残留DC进行测定。
[0005]现有技术文献
[0006]非专利文献
[0007]非专利文献1:Yuji Nakazono，etc.“Evaluation of residual DC of LC cell”，Proceedings of 5th Asian Symposium on Information Display，ASID'99，1999，p.51
‑
54
[0008]非专利文献2:井上胜等著《誘電吸収法
による
残留DC電圧測定(
フリッカー
消去法
と
的相関)》(基于介电吸收法的残留DC电压测定(与闪烁消除法的相关性))，液晶讨论会讲演预稿集，一般社团法人日本液晶学会，1997，23(0)，p.216
‑
217
[0009]非专利文献3:H.J.Park，etc.“Analysis of IPS Mura，Image
‑
Sticking and Flicker Caused by Internal DC Effects”，(美)，SID 03 DIGEST，2003，p.204
‑
207

技术实现思路

[0010]本专利技术是鉴于上述的情况而做出的专利技术，其目的在于，提供在不进行分解就无法连接布线的显示装置中也能够简便地测定与残留DC有相关性的值的残留DC测定装置、残留DC测定方法、残留DC测定程序。
[0011]为了实现上述的目的，反映了本专利技术的一个方面的残留DC测定装置接受从显示装置出射的光并输出与受光光量对应的受光信号，使所述显示装置显示闪烁测定用图像，取得在所述闪烁测定用图像的显示中被输出的所述受光信号，基于取得的所述受光信号对所述显示装置的闪烁值进行测定并作为初始闪烁值保存至存储部，接下来，使所述显示装置以规定的显示时间显示规定的显示图像，如果经过了所述规定的显示时间，则再次使所述显示装置显示所述闪烁测定用图像，取得在所述闪烁测定用图像的显示中被输出的所述受光信号，基于取得的所述受光信号对所述显示装置的闪烁值进行测定并作为事后闪烁值保存至所述存储部，通过所述存储部中保存的所述事后闪烁值和所述初始闪烁值的运算，计算闪烁变化量，作为表现所述残留DC的指标值。
[0012]通过专利技术的1个或者多个实施方式给出的优点以及特征，根据以下给出的详细说明以及附图得到充分理解。这些详细说明以及附图仅作为例子给出，其意图不作为本专利技术的限定性的定义。
附图说明
[0013]图1是概略性地表示显示装置、残留DC测定装置的电结构例的框图。
[0014]图2是概略性地表示残留DC测定装置的光学系统的图。
[0015]图3是概略性地表示残留DC测定装置对显示装置的残留DC测定状态的图。
[0016]图4是概略性地表示显示部中的测定位置的具体性的一例的图。
[0017]图5是概略性地表示图4所示的各测定位置的闪烁值的具体例的图。
[0018]图6是按每个测定位置以表形式表示图5中的闪烁值等的图。
[0019]图7是概略性地表示残留DC测定装置的动作过程例的流程图。
[0020]图8是概略性地表示在液晶显示器上显示的疲劳图案的一例的图。
[0021]图9是概略性地表示在显示图8的疲劳图案后测定的闪烁值的空间分布的一例的图。
具体实施方式
[0022](成为本专利技术的基础的见识)
[0023]图8是概略性地表示在液晶显示器上显示的疲劳图案的一例的图。图9是概略性地表示在显示图8的疲劳图案后测定的闪烁值的空间分布的一例的图。使用图8、图9，说明成为本专利技术的基础的见识。
[0024]在图8中，在背景的黑色区域内包含星形状的白色区域50和箭头形状的白色区域55的疲劳图案被显示在液晶显示器上。已知在液晶显示器上，如果事先以长时间显示如图8所示的疲劳图案，其后接着显示闪烁测定用的棋盘图样并对闪烁进行测定，则起因于残留DC，如图9所示，长时间显示了疲劳图案的白色区域50、55的闪烁值比其他区域的闪烁值大。
[0025]闪烁值能够通过接受从液晶显示器等显示装置出射的光来测定。因此，针对成品的显示装置，能够测定闪烁值。于是，本专利技术人着眼于闪烁值，考虑基于闪烁值是不是能够得到表现残留DC的指标值，想到了本专利技术。
[0026](实施方式)
[0027]以下，参照附图说明本专利技术的实施方式。另外，在各附图中，对相同的结构要素使
用相同的标号，适宜省略详细的说明。
[0028]图1是概略性地表示作为测定对象的显示装置以及本实施方式的残留DC测定装置的电结构例的框图。图2是概略性地表示本实施方式的残留DC测定装置的光学系统的图。图3是概略性地表示本实施方式的残留DC测定装置对作为测定对象的显示装置的残留DC测定状态的图。
[0029]如图3所示，本实施方式的残留DC测定装置100与作为测定对象的显示装置5被电连接。残留DC测定装置100对显示装置5的显示部10中的规定的二维区域(例如显示部10的整体)中设定的多个规定的测定位置处的闪烁进行测定，求出表现残留DC的指标值。
[0030]如图1、图2所示，本实施方式的残留DC测定装置100具备二维传感器10本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种残留DC测定装置，对显示装置的残留DC进行测定，具备：受光部，包含光电转换元件，接受从所述显示装置出射的光并输出与受光光量对应的受光信号；存储部，用于保存数据；测定处理部，使所述显示装置显示闪烁测定用图像，取得在所述闪烁测定用图像的显示中从所述受光部输出的所述受光信号，基于取得的所述受光信号对所述显示装置的闪烁值进行测定并作为初始闪烁值保存至所述存储部，接下来，使所述显示装置以规定的显示时间显示规定的显示图像，如果经过了所述规定的显示时间，则再次使所述显示装置显示所述闪烁测定用图像，取得在所述闪烁测定用图像的显示中从所述受光部输出的所述受光信号，基于取得的所述受光信号对所述显示装置的闪烁值进行测定并作为事后闪烁值保存至所述存储部；以及运算处理部，通过所述存储部中保存的所述事后闪烁值和所述初始闪烁值的运算，计算闪烁变化量，作为表现所述残留DC的指标值。2.如权利要求1所述的残留DC测定装置，所述受光部包含多个所述光电转换元件，与所述多个光电转换元件对应地分别输出多个所述受光信号，所述多个光电转换元件以二维排列配置，分别接受从所述显示装置的相互不同的测定位置出射的光，所述测定处理部基于所述多个受光信号，分别求出所述多个测定位置处的所述闪烁值，将求出的所述闪烁值分别与所述测定位置建立对应地保存至所述存储部，所述运算处理部分别求出所述多个测定位置处的所述闪烁变化量，作为表现所述残留DC的指标值。3.如权利要求2所述的残留DC测定装置，所述运算处理部求出所述多个测定位置处的所述闪烁变化量的平均值、最大值、最小值及众数值之中的至少1个。4.如权利要求2或者3所述的残留DC测定装置，还具备显示部，所述运算处理部求出所述多个测定位置处的所述闪烁变化量的最大值及最小值，将所述最大值、所述最小值、所述最大值的测定位置及所述最小值的测定位置显示在所述显示部上。5.如权利要求2～4中任一项所述的残留DC测定装置，还具备显示部，所述运算处理部基于所述多个测定位置处的所述闪烁变化量，求出表现所述闪烁变化量的偏差的偏差值并显示在所述显示部上。6.如权利要求1～5中任一项所述的残留DC测定装置，在所述存储部中，预先保存有表现所述残留DC与所述闪烁变化量之间的关系的关系式，所述运算处理部根据所述闪烁变化量和所述关系式求出所述残留DC。7.如权利要求1～6中任一...

【专利技术属性】
技术研发人员：西川宜弘，
申请(专利权)人：柯尼卡美能达株式会社，
类型：发明
国别省市：