一种锰掺杂铜基卤化物钙钛矿粉末的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种锰掺杂铜基卤化物钙钛矿粉末及其制备方法，该锰掺杂铜基卤化物钙钛矿为Mn:Cs3Cu2I5，所述制备方法为：(1)将碘化铯与碘化亚铜混合后充分研磨，得到铜基卤化物钙钛矿粉末；(2)将步骤(1)制得的铜基卤化物钙钛矿粉末与四水合氯化锰混合后充分研磨，得到锰掺杂的铜基卤化物钙钛矿粉末。本发明专利技术操作简单，可以大批量生产，且制得的锰掺杂铜基卤化物钙钛矿粉末发光可调。物钙钛矿粉末发光可调。物钙钛矿粉末发光可调。

【技术实现步骤摘要】
一种锰掺杂铜基卤化物钙钛矿粉末的制备方法


[0001]本专利技术涉及一种锰掺杂铜基卤化物钙钛矿及其制备方法，属于光电功能材料领域。

技术介绍

[0002]近年来，卤化物钙钛矿由于其制备方法简单、成本低廉、发光易于调控等优点被认为是下一代发光器件的优良备选材料。由于稳定性较差和铅元素的毒性，传统的铅基卤化物钙钛矿在实际应用中受到一定限制。铜基卤化物钙钛矿被认为有望在保持铅基卤化物钙钛矿高荧光量子产率的前提下解决这两个问题。卤化物钙钛矿的荧光调控的主要手段有两种：(1)通过改变卤素组成调节禁带宽度，从而改变本征荧光峰位；(2)通过掺杂引入杂质能级，实现杂质荧光。这两种方法在铜基卤化物钙钛矿中均有一定困难：卤素交换会大幅度降低荧光量子产率，且荧光调节范围远小于铅基卤化物钙钛矿。阳离子掺杂均是在450℃高温下实现，工艺复杂且增加成本。因此需要提出一种新的掺杂方法，既能够实现阳离子的掺杂，又能降低反应温度，以此实现低成本调控铜基卤化物钙钛矿发光。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是提供一种锰掺杂铜基卤化物钙钛矿粉末及其制备方法，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种锰掺杂铜基卤化物钙钛矿粉末，其特征在于：该锰掺杂铜基卤化物钙钛矿为Mn:Cs3Cu2I5，其制备方法包括以下步骤：(1)制备铜基卤化物钙钛矿Cs3Cu2I5：碘化铯粉末与碘化亚铜粉末混合后充分研磨，得到铜基卤化物钙钛矿Cs3Cu2I5粉末；(2)制备锰掺杂的铜基卤化物钙钛矿Mn:Cs3Cu2I5：将步骤(1)制得的铜基卤化物钙钛矿Cs3Cu2I5粉末与四水合氯化锰混合后充分研磨，得到锰掺杂的铜基卤化物钙钛矿粉末。2.根据权利要求1所述的锰掺杂铜基卤化物钙钛矿的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中，碘化铯粉末与碘化亚铜粉末化学计量比为3:2。3.根据权利要求1所述的锰掺杂铜基卤化物钙钛矿的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中，四水合氯化锰的用量按照Mn/Cu摩尔比计，为0％<...

【专利技术属性】
技术研发人员：王春雷，瞿俊峰，徐淑宏，崔一平，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：