【技术实现步骤摘要】
多模式切换低动态干扰的4管同步控制升降压变换电路
[0001]本专利技术属于微电子
,更进一步涉及集成电路
中一种多模式切换低动态干扰的4管同步控制升降压变换电路。本专利技术可用于集成电路中对电子设备供电电源模块实现多工作模式切换的控制。
技术介绍
[0002]近年来升降压变换器被广泛应用在电池供电的电子设备当中,在相同的电池容量下如何延长电池电源的工作时间成为电源管理领域的首要问题。升降压变换器通过增加输入电压范围,可以对电子设备供电时在更低的输入电压条件下继续工作,因此可以延长电池电源的使用时间。但由于传统的升降压变换器输入电压与输出电压反相的特点,通常需要在电路内部实现负参考电压,同时在输出端和待供电电子设备之间还需要加入反相电路,这无疑增加了电路设计的难度也限制了应用条件。为了使电子设备在灵活选择供电模式时又稳定输出电压,升降压变换器控制电路必须有根据输入输出电压自动切换模式、输出电压纹波不会因模式切换变杂乱而能平滑过渡的特点。
[0003]南京航空航天大学在其拥有的专利技术“一种级联型升降压变换器控制电路及其控制方法”(申请号200910026525.1,授权公告号CN104242286 B,授权公告日2011.02.16),在基于同步4管升降压变换器的基础上提出了一种级联型控制的同步4管升降压变换器。该变换器的结构包括输出电压采样电路、两个误差放大器、三角波产生电路、比较器电路、驱动电路和电压置位电路。该变换器由升压变换器和降压变换器级联构成,电路简单,仅需一路三角波来控制两级电路,且 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种多模式切换低动态干扰的4管同步控制升降压变换电路,包括输入电压端口VIN、输出电压端口VOUT、功率级传输电路、电流采样电路、振荡器和斜坡发生器、脉冲调制电路、误差放大器,其特征在于:还包括和时序控制逻辑电路、迟滞模式选择电路和直流失调电压电路;所述时序控制逻辑电路输入端口pwm与脉冲调制输出端口连接,输入端口clk与振荡器和斜坡发生器输出端口ramp连接,输入端口mode与迟滞模式选择电路输出端口连接,输出端口(1)与功率级传输电路中的TG1端口连接,输出端口(2)与功率级传输电路BG1端口连接,输出端口(3)与功率级传输电路BG2端口连接,输出端口(4)与功率级传输电路TG2端口连接;所述迟滞模式选择电路的输入端(1)与输出电压端口VIN连接,输入端(2)与输出电压端口VOUT连接,输出端口分别与直流失调电压电路的输入端和时序控制逻辑电路mode输入端口连接;所述脉冲调制电路的正输入端口分别与电流采样电路、振荡器和斜坡发生器输出端口ramp、直流失调电压电路输出端口连接,负输入端口与误差放大器输出端口连接,输出端口与时序控制逻辑电路pwm输入端口连接;所述直流失调电压电路的输入端与迟滞模式选择电路输出端连接,输出端接脉冲调制的正输入端;所述振荡器和斜坡发生器输出端口ramp与电流采样电路输出端口连接;所述电流采样电路正输入端口与功率级传输电路端口SENS+连接,负输入端口与功率级传输电路端口SENS
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连接,输出端口与脉冲调制电路的正输入端连接;所述误差放大器的正输入端口REF与1V基准电压连接,负输入端口与功率级传输电路的端口FB连接;所述功率级传输电路的输入端口与输入电压端口VIN连接,输出电压端口与输出电压端口VOUT连接,SENS+端口与电流采样电路正输入端口连接,SENS
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端口与电流采样电路负输入端口连接,TG1端口与时序控制逻辑电路第一输入端口连接,BG1端口与时序控制逻辑电路第二输入端口连接,BG2端口与时序控制逻辑电路第三输入端口连接,TG2端口与时序控制逻辑电路第四输入端口连接,FB端口与误差放大器的负输入端口连接。2.根据权利要求1所述多模式切换低动态干扰的4管同步控制升降压变换电路,其特征在于:所述功率级传输电路包括电流采样电阻Rsense、NMOS晶体管K1、NMOS晶体管K1b、电感L、NMOS晶体管K2、NMOS晶体管K2b、分压电阻R1、分压电阻R2、输出电容Cout和负载电阻Rout;所述电流采样电阻Rsense跨接在电流采样电路的正输入端SENS+与电流采样电路的负输入端SENS
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之间;所述NMOS晶体管K1的漏极与电流采样电阻Rsense的一端连接,源极与电感L的一端SW1连接,栅极与驱动控制输出TG1连接;所述NMOS晶体管K1b的漏极与电感L的一端SW1连接,源极与地端连接,栅极与时序控制逻辑输出BG1连接;所述电感L跨接在NMOS晶体管K1的源极连接与NMOS晶体管K2的漏极之间;所述NMOS晶体管K2的漏极与电感L的SW2端连接,源极与地端连接,栅极与时序控制逻辑输出BG2连接;所述NMOS晶体管K2b的漏极与分压电阻R1的一端连接,源极与电感L的SW2端连接,栅极与时序控制逻辑输出TG2连接;所述分压电阻R1跨接在NMOS晶体管K2b的漏极与分压电阻R2之间;所述分压电阻R2跨接在地端连与分压电阻R1之间;所述输出电容Cout跨接在NMOS晶体管K2b的漏极与地端之间;所述负载电阻Rout的一端与NMOS晶体管K2b的漏极连接,另一端与地端连接,所述振荡器的输出端与斜坡发生器、时序控制逻辑第二输入端连接;所述斜坡发生器的输入端与振荡器的输出端连接,输出端与电流采样输出端信号相加后连接到脉冲调制正输入端;所述脉冲调制电路正输入端与直流失调电压电路输出端连接,负输入端与误差放大器输出端连接,输出端pwm与逻辑时序模块第一输入端口连接;所述误差放大器正输入端口与1V基准电压REF连
接,负输入端口FB与分压电阻R2的一端连接,输出端口与脉冲调制负输入端口连接。3.根据权利要求1所述多模式切换低动态干扰的4管同步控制升降压变换电路,其特征在于:所述直流失调电压电路包括电源端口Vdd,地端口GND,PMOS晶体管M1、M2、M3、M4、M5,电流源IDC,升压模式使能信号en_boost输入端口,电阻R1、R2,电流采样输入信号Vsen和直流输出失调信号Vramp;所述PMOS晶体管M1源极与电源端口Vdd连接,栅极与M2栅极连接,漏极与M3源极连接;所述PMOS晶体管M2源极与电源端口Vdd连接,栅极与M1栅极连接,漏极与M4源极连接;所述PMOS晶体管M3源极与M1漏极连接,栅极与M4栅极连接,漏极与电流源IDC连接;所述PMOS晶体管M4源极与M2漏极连接,栅极与M3栅极连接,漏极与M5源极连接;所述PMOS晶体管M5源极与M4源极连接,栅极与升压模式使能信号en_boost输入端口连接,漏极与电阻R1连接;所述电阻R1跨接在电流采样输入信号Vsen和直流输出失调信号Vramp之间;所述电阻R2跨接在电流采样输入信号Vsen和地端口GND之间。4.根据权利要求1所述多模式切换低动态干扰的4管同步控制升降压变换电路,其特征在于:所述的迟滞模式选择电路,包括电源端口Vdd,地端口GND,模式选择使能端口SEL_en,模式使能输出端口en,输入电压端口Vin,输出电压端口Vout,PMOS晶体管M1~M3,NMOS晶体管M4~M9,电阻R1~R5,电流源IDC1和IDC2,反相器INV1,所述PMOS晶体管M1源极与电源端口Vdd连接,栅极与模式选择使能端口SEL_en连接,漏极与电流源IDC1连接;所述PMOS晶体管M2源极与电流源IDC1连接,栅极与电阻R4一端连接,漏极与NMOS晶体管M5漏极连接;所述PMOS晶体管M3源极与电流源IDC1连接,栅极与电阻R1一端连接,漏极与NMOS晶体管M7漏极连接;所述NMOS晶体管M4栅极与模式使能输出端口en连接,漏极与电阻R2一端连接,源极与地端口GND连接;所述NMOS晶体管M5栅极与M7栅极连接,漏极与M2漏极连接,源极与地端口GND连接;所述NMOS晶体管M6栅极与模式选择使能端口SEL_en连接,漏极与M5栅极连接,源极与地端口GND连接;所述NMOS晶体管M7栅极与M6漏极连接,漏极与M8栅极连接,源极与地端口GND连接;所述NMOS晶体管M8栅极与M7漏极连接,漏极与电流源IDC2连接,源极与地端口GND连接;所述NMOS晶体管M9栅极与模式选择使能端口SEL_en连接,漏极与电流源IDC2连接,源极与地端口GND连接;所述电流源IDC1上端与电源端口Vdd连接,下端与M2源极连接;所述电流源IDC2上端与电源端口Vdd连接,下端与M8源极连接;所述反相器INV1输入端与M8漏极连接,输出端即模式使能输出端口en...
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