一种超大尺寸铌酸锂单晶的生长方法技术

本发明专利技术公开了一种超大尺寸铌酸锂单晶的生长方法，包括以下步骤：(1)采用提拉法制备小尺寸晶体；在小尺寸晶体生长结束后提拉一段细颈；在细颈提拉结束后，进入扩肩、等径和收尾阶段，完成超大尺寸铌酸锂单晶的生长；(2)超大尺寸铌酸锂单晶生长结束后，冷却，将超大尺寸铌酸锂单晶与细颈分离，获得超大尺寸铌酸锂单晶。本发明专利技术解决了提拉法制备超大尺寸铌酸锂单晶在扩肩时，由中心热量对流不利而导致的凹陷这一现象，将显著满足新一代声学芯片大规模量产最亟需的战略大尺寸晶体材料的需求。产最亟需的战略大尺寸晶体材料的需求。产最亟需的战略大尺寸晶体材料的需求。

【技术实现步骤摘要】
一种超大尺寸铌酸锂单晶的生长方法


[0001]本专利技术涉及铌酸锂晶体制备
，具体涉及一种超大尺寸铌酸锂单晶的生长方法。

技术介绍

[0002]第五代移动通信技术(5G)系统正在加速第四次工业革命时代的到来，引发世界范围内系统性的变革。中国部分5G核心技术已处于全球产业第一梯队，但一些关键核心器件仍然严重依赖于进口。射频滤波器是射频前端声学芯片中最大的子行业，普通SAW以铌酸锂晶圆为衬底，具有较大的温度漂移，3.5GHz以上高频波段的损耗大。近年来，铌酸锂单晶薄膜材料的声学应用潜能逐渐获得国际上广泛关注，可实现低温度系数的TC
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SAW、高Q值的IHP
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SAW以及高频Xbar，并且薄膜具有可集成、微型化的优势，可满足新一代通信系统对射频滤波器所有性能需求。铌酸锂薄膜是从铌酸锂晶圆上剥离，依赖于铌酸锂晶圆与硅圆的键合技术；芯片微加工依赖于半导体微加工产线，目前半导体主流产线为8英寸；所以符合半导体产线的8英寸铌酸锂晶体是新一代声学芯片大规模量产最亟需的战略晶体材料。
[0003]此外具体而言，铌本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超大尺寸铌酸锂单晶的生长方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)首先采用提拉法制备小尺寸晶体；在小尺寸晶体生长结束后提拉一段细颈；然后进入扩肩、等径和收尾阶段，完成超大尺寸铌酸锂单晶的生长；(2)超大尺寸铌酸锂单晶生长结束后，冷却，将超大尺寸铌酸锂单晶与细颈分离，获得超大尺寸铌酸锂单晶。2.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，步骤(1)中，小尺寸晶体直径与超大尺寸铌酸锂单晶直径的比为(20
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40)：(200
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300)。3.根据权利要求2所述的生长方法，其特征在于，步骤(1)中，所述小尺寸晶体的直径为20
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30mm，长度为8
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9mm。4.根据权利要求1所述的生长方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙德辉，王蒙，韩文斌，刘宏，
申请(专利权)人：济南大学，
类型：发明
国别省市：