一种基于肖特基二极管结构的太赫兹三倍频器及其制备方法技术

本发明专利技术属于太赫兹倍频器技术领域，具体地说，涉及一种基于肖特基二极管结构的太赫兹三倍频器，该装置包括：上腔体(15)、太赫兹倍频器基板和下腔体(16)；上腔体(15)和下腔体(16)相对放置，太赫兹倍频器基板位于上腔体(15)和下腔体(16)之间，上腔体(15)和下腔体(16)的相对位置处设置主沟道(17)和偏置沟道(18)，将太赫兹倍频器设置在主沟道(17)和偏置沟道(18)内，并用导电胶(12)填满；所述主沟道(17)和偏置沟道(18)之间的倾斜角为65

【技术实现步骤摘要】
一种基于肖特基二极管结构的太赫兹三倍频器及其制备方法


[0001]本专利技术属于太赫兹固态电路和太赫兹倍频器
，具体地说，涉及一种基于肖特基二极管结构的太赫兹三倍频器及其制备方法。

技术介绍

[0002]在电磁波频谱中，太赫兹(THz)波是指频率范围为0.1THz
‑
10THz的电磁波，介于微波频率和红外频率之间。目前太赫兹相关技术已被应用于大气遥感、空间探测、雷达成像、无线通信及生物医疗等领域。
[0003]太赫兹信号在大气中传播中的衰减使其表现出信号吸收峰和大气窗口，因此，在射电天文学、行星探测和大气遥感等领域有着重要应用。而为实现信号频谱的搬移，太赫兹频段的系统设计中常使用超外差接收机，其射频前端主要包括天线、低噪声放大器、混频器、本振源。太赫兹频段本振源作为超外差接收机的关键部件，决定着后级混频器能否正常工作，太赫兹倍频器作为太赫兹本振源中的核心器件，性能好坏直接影响本振源的输出功率。
[0004]太赫兹波的衰减特性使得在550GHz附近存在相对透明的窗口，可利用太赫兹超外差接收机在此频段进行检测本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于肖特基二极管结构的太赫兹三倍频器，其特征在于，该装置包括：上腔体(15)、太赫兹倍频器基板和下腔体(16)；上腔体(15)和下腔体(16)相对放置，太赫兹倍频器基板位于上腔体(15)和下腔体(16)之间，上腔体(15)和下腔体(16)的相对位置处设置主沟道(17)和偏置沟道(18)，将太赫兹倍频器设置在主沟道(17)和偏置沟道(18)内，并用导电胶(12)填满；所述主沟道(17)和偏置沟道(18)之间的倾斜角为65
‑
85度；通过多个紧固螺钉将上腔体(15)和下腔体(16)，以及设置在其中的太赫兹倍频器基板紧固在一起。2.根据权利要求1所述的基于肖特基二极管结构的太赫兹三倍频器，其特征在于，所述太赫兹倍频基板包括：第一标准波导结构(1)、第二标准波导结构(10)、肖特基势垒二极管对(8)、低通滤波器(6)、输入耦合探针(2)、输出耦合探针(9)、第一石英电路基板(5)、第二石英电路基板(7)、直流偏置滤波器(4)，第一匹配电路(13)和第二匹配电路(14)；输入耦合探针(2)、低通滤波器(6)、肖特基势垒二极管对(8)、输出耦合探针(9)均固定在水平放置的第二石英电路基板(7)上，第二石英电路基板(7)设置在主沟道(17)内；输入耦合探针(2)和低通滤波器(6)相连接，且二者位于第二石英电路基板(7)的前端，输出耦合探针(9)位于第二石英电路基板(7)的末端，低通滤波器(6)与输出耦合探针(9)之间增设第一匹配电路(13)和第二匹配电路(14)；第一匹配电路(13)和第二匹配电路(14)之间增设肖特基势垒二极管对(8)，该肖特基势垒二极管对(8)与第二石英电路基板(7)呈十字交叉状结构；第二石英电路基板(7)的前端还设置第一标准波导结构(1)，第一标准波导结构(1)与输入耦合探针(2)之间增设波导
‑
微带转换结构，第二石英电路基板(7)的末端还增设设置第二标准波导结构(10)，第二标准波导结构(10)与输出耦合探针(9)之间增设波导
‑
微带转换结构；第二石英电路基板(7)上倾斜设置第一石英电路基板(5)，第一石英电路基板(5)上设置直流偏置滤波器(4)，直流偏置滤波器(4)的输入端与低通滤波器(6)的输入端键合金丝(3)相连接。3.根据权利要求2所述的基于肖特基二极管结构的太赫兹三倍频器，其特征在于，所述第二石英电路基板(7)与第一石英电路基板(5)之间的倾斜角度为65
‑
85度。4.根据权利要求2所述的基于肖特基二极管结构的太赫兹三倍频器，其特征在于，所述第一标准波导(1)和第二标准波导(10)均为标准矩形波导；所述第一标准波导(1)采用型号为WR10的标准矩形波导；所述第二标准波导(10)采用型号为WR3.4的标准矩形波导。5.根据权利要求2所述的基于肖特基二极管结构的太赫兹三倍频器，其特征在于，所述直流偏置滤波器(4)...

【专利技术属性】
技术研发人员：李雨航，张德海，孟进，
申请(专利权)人：中国科学院国家空间科学中心，
类型：发明
国别省市：