对准方法和相关联的量测装置制造方法及图纸

披露了一种在设备内对准衬底的方法。所述方法包括基于多个目标的测量来确定衬底栅格，每个目标位于衬底上的不同部位处。所述确定步骤包括重复以下：在对目标的每次测量之后更新所述衬底栅格，以及使用经更新的栅格来对准后续目标的测量。续目标的测量。续目标的测量。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】对准方法和相关联的量测装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请主张2019年3月1日递交的欧洲申请19160190.5的优先权，该欧洲申请的全部内容通过引用并入本文中。


[0003]本专利技术涉及一种用于对准衬底的对准方法，并且具体地与在集成电路的制造中的量测应用相关的这种对准方法。

技术介绍

[0004]光刻设备是被构造成将期望的图案施加至衬底上的机器。例如，光刻设备可用于例如集成电路(IC)的制造。光刻设备可例如将图案形成装置(例如，掩模)处的图案(也常被称为“设计布局”或“设计”)投影到设置于衬底(例如晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
[0005]为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定了可以形成于所述衬底上的特征的最小大小。当前使用的典型波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。使用具有在4至20nm(例如6.7nm或13.5nm)范围内的波长的极紫外(EUV)辐射的光刻设备可被用来在衬底上形成比使用例如具有约193nm波长的辐射的光刻设备更小的特征。
[0006]低k1光刻术可以用于尺寸小于光刻设备的经典分辨率极限的过程特征。在这种过程中，分辨率公式可以表达为CD＝k1×
λ/NA，其中λ是所运用辐射的波长，NA是光刻设备中投影光学元件的数值孔径，CD是“临界尺寸”(通常是印制的最小特征大小，但在这种情况下为半节距)，且k1是经验分辨率因子。通常，k1越小，则在衬底上再现类似于由电路设计者所规划的形状和尺寸以便实现特定电学功能和性能的图案就变得越困难。为了克服这些困难，可以将复杂的精调步骤施加到光刻投影设备和/或设计布局。这些步骤包括例如但不限于：NA的优化、自定义照射方案、使用相移图案形成装置、设计布局中的各种优化(诸如光学邻近效应校正(OPC，有时也称为“光学和过程校正”)、或通常被定义为“分辨率增强技术”(RET)的其它方法。替代地，可以使用用于控制光刻设备的稳定性的紧密控制回路来改良低k1情况下的图案的再现。
[0007]量测工具用于IC制造过程的许多方面。可初始地执行对准过程，以对准所述量测工具内的衬底，从而可定位其上的目标。将会需要改进这些调整过程。

技术实现思路

[0008]在本专利技术的第一方面中，提供了一种在设备内对准衬底的方法，包括：基于多个目标的测量来确定衬底栅格，每个目标位于衬底上的不同部位处；其中，所述确定步骤包括重复以下步骤：在对目标的每次测量之后更新所述衬底栅格，使用经更新的栅格来对准后续目标的测量。
[0009]本专利技术的其他方面包括能够操作以执行所述第一方面的方法的量测装置。
附图说明
[0010]现在将参考附图仅通过举例的方式描述本专利技术的实施例，在附图中：
[0011]‑
图1描绘了光刻设备的实施例的示意性概略图；
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图2描绘了光刻单元的实施例的示意性概略图；
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图3描绘了整体光刻的示意性表示，其表示三种关键技术之间的协作以优化半导体制造；
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图4描绘了用作量测装置的散射测量设备的示意性概略图，其可包括根据本专利技术实施例的辐射源；
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图5描绘了可包括根据本专利技术实施例的辐射源的对准传感器设备的示意性概略图；
[0016]‑
图6示出了在双平台型光刻设备的示例中，用于对衬底上的目标部分(例如，管芯)进行曝光的步骤；
[0017]‑
图7以概念化的方式示出了根据本专利技术第一实施例的对准方法；和
[0018]‑
图8以概念化的方式示出了根据本专利技术第二实施例的对准方法。
具体实施方式
[0019]在本文档中，术语“辐射”和“束”被用于涵盖全部类型的电磁辐射，包括紫外辐射(例如具有365nm、248nm、193nm、157nm或126nm的波长)和极紫外辐射(EUV，例如具有在约5
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100nm的范围内的波长)。
[0020]如本文中所使用的术语“掩模版”、“掩模”或“图案形成装置”可以被宽泛地解释为指代可以用于将已形成图案的横截面赋予入射辐射束的通用图案形成装置，所述已形成图案的横截面对应于待在所述衬底的目标部分中产生的图案；术语“光阀”也可以用于这种情境中。除了经典掩模(透射式或反射式；二元式、相移式、混合式等)以外，其它此类图案形成装置的示例包括可编程反射镜阵列和可编程LCD阵列。
[0021]图1示意性地描绘了光刻设备LA。光刻设备LA包括：照射系统(也称为照射器)IL，其被配置成调节辐射束B(例如紫外辐射、DUV辐射或EUV辐射)；掩模支撑件(例如掩模台)MT，所述掩模支撑件(例如掩模台)MT被构造成支撑图案形成装置(例如掩模)MA并且连接到配置成根据特定参数准确地定位图案形成装置MA；衬底支撑件(例如，晶片台)WT，所述衬底支撑件被构造成保持衬底(例如，涂覆有抗蚀涂的晶片)W并且连接到第二定位装置PW，所述第二定位装置PW被配置成根据特定参数准确地定位衬底支撑件；以及投影系统(例如，折射投影透镜系统)PS，其被配置成将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如，包括一个或更多个管芯)上。
[0022]在操作中，照射系统IL接收来自辐射源SO的辐射束，例如经由束传送系统BD。照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型和/或其他类型的光学部件，或其任何组合，用于引导、成形和/或控制辐射。照射器IL可用于使辐射束B在图形装置MA的平面处的其横截面中具有期望的空间和角强度分布。
[0023]本文中使用的术语“投影系统”PS应广义地解释为包括各种类型的投影系统，包括
折射式、反射式、折射反射式、变形式、磁性式、电磁式和/或静电式光学系统，或其任何组合，视情况而定，适用于所使用的曝光辐射，和/或其他因素，诸如浸没液的使用或真空的使用。本文中术语“投影透镜”的任何使用可被视为与更广义的术语“投影系统”PS同义。
[0024]光刻设备LA可以是这样的类型，其中至少一部分衬底可以被具有相对高折射率的液体(例如水)覆盖，以便填充介于投影系统PS与衬底W之间的空间,这也被称为浸没光刻。US6952253中给出了有关浸没技术的更多信息，通过引用将其并入本文中。
[0025]光刻设备LA也可以是具有两个或更多个衬底支撑件WT(也称为“双平台”)的类型。在这种“多平台”机器中，衬底支撑件WT可以并联使用，和/或可以对位于衬底支撑件WT之一上的衬底W执行准备衬底W的随后曝光的步骤、而同时将在其他衬底支撑件WT上的另一衬底W用于对其他衬底W上的图案曝光。
[0026]除了衬底支撑件WT之外，光刻设备LA可以包括测量平台。测量平台被布置成保持传感器和/或清洁装置。传感器可被布置成测量所述投影系统PS的属性或辐射束B的属性。测量平台可保持多个传感器。所述清本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种在设备内对准衬底的方法，包括：基于多个目标的测量来确定衬底栅格，每个目标位于衬底上的不同部位处；其中，所述确定步骤包括重复以下：在对目标的每次测量之后更新所述衬底栅格，以及使用经更新的栅格来对准后续目标的测量。2.根据权利要求1所述的方法，包括：基于每次测量来确定针对每个目标的目标至位置偏移值，所述目标至位置偏移值描述所测量的目标位置与针对该测量的预期目标位置之间的差异；以及根据所述目标至位置偏移值来确定所述衬底栅格。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中在每次测量之后至少在覆盖范围方面以累计方式更新所述衬底栅格，并且其中，可选地，还在用以描述所述衬底栅格的拟合参数的数目方面以累计方式更新所述衬底栅格。4.根据权利要求3所述的方法，其中使用至少一个较高阶项来描述所述衬底栅格。5.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述衬底栅格是移动的本地衬底栅格，根据在所述后续目标本地的移动窗口内的固定数目个所述目标来确定所述移动的本地衬底栅格。6.根据权利要求5所述的方法，其中所述固定数目个目标的数量小于6。7.根据权利要求5所述的方法，其中所述固定数目个目标的数量是3。8.根据权利要求5、6或7所述的方法，其中仅使用线性项来描述所述衬底栅格。9.根据任一前述权利要求所述的方法，其中所述方法包括基于至少一个对准目标的初...

【专利技术属性】
技术研发人员：H，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：