【技术实现步骤摘要】
基底加工设备、显示面板制造设备和制造显示面板的方法
[0001]本申请要求于2020年4月20日提交的第10
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2020
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0047209号韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
[0002]公开在这里涉及一种基底加工设备以及一种使用该基底加工设备制造显示面板的方法。更具体地,公开在这里涉及一种具有改善的工艺可靠性的基底加工设备以及一种使用该基底加工设备制造显示面板的方法。
技术介绍
[0003]近年来,具有诸如大显示面积、薄且重量轻的各种期望的特性的平板显示器(“FPD”)已经广泛地用作显示装置。作为平板显示器,已经使用了液晶显示装置和有机发光显示装置。
技术实现思路
[0004]平板显示器通常包括多个导电图案,并且可以通过对金属(诸如银)进行蚀刻来设置导电图案。然而,在使用蚀刻剂的湿蚀刻工艺中,随着蚀刻剂中的金属离子浓度增大,蚀刻剂的累积加工的层的数量会减少,并且金属离子会被还原并被析出,从而在显示装置中引起诸如短路的缺陷。因此,期望工 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基底加工设备,所述基底加工设备包括:第一工艺腔室,在所述第一工艺腔室中加工目标基底;第一罐,连接到所述第一工艺腔室,以将第一化学物质供应到所述第一工艺腔室;第二工艺腔室,在所述第二工艺腔室中加工所述目标基底;以及第二罐,连接到所述第二工艺腔室,以将第二化学物质供应到所述第二工艺腔室,其中,供应到所述第一工艺腔室的所述第一化学物质中包含的金属离子具有比供应到所述第二工艺腔室的所述第二化学物质中包含的所述金属离子的离子浓度大的离子浓度。2.根据权利要求1所述的基底加工设备,所述基底加工设备还包括:转移部件,转移所述目标基底,其中,所述目标基底通过所述转移部件沿着从所述第一工艺腔室到所述第二工艺腔室的方向转移。3.根据权利要求1所述的基底加工设备,所述基底加工设备还包括:第三工艺腔室,在所述第三工艺腔室中加工所述目标基底;以及第三罐,连接到所述第三工艺腔室,以将第三化学物质供应到所述第三工艺腔室,其中,供应到所述第三工艺腔室的所述第三化学物质中包含的所述金属离子具有比供应到所述第二工艺腔室的所述第二化学物质中包含的所述金属离子的所述离子浓度小的离子浓度。4.根据权利要求3所述的基底加工设备,其中,所述目标基底在所述第一工艺腔室中加工,并且然后转移到所述第二工艺腔室,并且在所述第二工艺腔室中加工,并且然后转移到所述第三工艺腔室。5.根据权利要求3所述的基底加工设备,其中,所述第三化学物质不包括所述金属离子。6.根据权利要求1所述的基底加工设备,其中,所述第一化学物质和所述第二化学物质中的每者包括用于对所述目标基底中的金属部件进行蚀刻的蚀刻剂。7.根据权利要求6所述的基底加工设备,其中,所述金属部件包括彼此顺序地层叠的第一金属氧化物层、金属层和第二金属氧化物层,并且所述金属层包括银。8.根据权利要求1所述的基底加工设备,所述基底...
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