【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】通过阻抗变化的射频信号调制
[0001]本专利技术涉及RFID标签,特别是无芯片RFID标签,以及RFID读取器。
[0002]本专利技术还涉及一种用于响应于读取器的入射RF信号将消息作为RF反向散射辐射从设备传输到读取器的方法。
技术介绍
[0003]对提供产品跟踪的装置的关注日益增加,特别是在诸如营养、航空和医疗领域的关键领域中。
[0004]射频识别(RFID)标签有效地提供对物品的跟踪。特别地,与需要操作人员进行询问的条形码不同,RFID标签的识别依赖于电磁场(特别是在射频RF中),进而自动对标签所附着的物品进行跟踪。
[0005]采用射频识别标签的主要挑战是RFID的成本。主要成本与集成电路的设计和制造有关,特别是与提供编码识别电磁场的专用集成电路(ASIC)的设计和制造有关。因此,目前,越来越关注提供没有集成电路的RFID标签(也称为无芯片RFID标签)以降低整体制造成本。
[0006]设计无芯片RFID(即,在应答器中不需要微芯片的RFID标签)的主要挑战是如何有效地编码和传输数据。
[0007]依赖于时域反射法的无芯片RFID标签已经是已知的。响应于入射RF信号(impinging RF signal),尤其是询问器脉冲形式的入射RF信号,这些无芯片RFID标签产生回波,其中脉冲产生(即到达)的时机对数据进行编码。
[0008]依赖于频率签名技术的无芯片RFID标签已经是已知的。这些RFID标签被配置为衰减直到吸收询问器脉冲的选定频率分量,其中某些频率分 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
【国外来华专利技术】1.一种RFID标签(1),被配置为响应于入射RF信号(41)而发射预定代码(3
A
‑
K
)作为RF反向散射辐射(2),其中所述RFID标签(1)被配置为利用参考反向散射信号(2
R
)对具有预定参考频率(23)的入射信号做出反应,以及所述RFID标签(1)还被配置为利用编码反向散射信号(2
A
‑
G
)对具有传输频率组(21、22)中的任何频率的入射信号(41)做出反应,所述编码反向散射信号的幅度(20
A
、20
B
、20
R
)相对于所述参考反向散射信号的幅度(20
R
)定义所述代码(3
A
‑
K
);所述传输频率组至少包括传输频率(21,22),优选地,所述传输频率组包括多个传输频率(21,22);更优选地,传输频率的数量是2的幂。2.根据权利要求1所述的RFID标签,其中所述参考反向散射信号(2
R
)的幅度(20
R
)是以下任意一项:小于或大于所述编码反向散射信号的幅度,或与所述编码反向散射信号的最小或最大幅度相同。3.根据权利要求1至2中任一项所述的RFID标签,包括偶极天线组;所述偶极天线组包括一个或多个编码偶极天线(24
A
‑
K
),每个编码偶极天线(24
A
‑
K
)在所述传输频率组(22,23)中的一个传输频率下提供所述编码反向散射信号。4.根据权利要求1至3中任一项所述的RFID标签,包括谐振单元组;所述谐振单元组包括一个或多个编码谐振单元(25
A
‑
D
),每个编码谐振单元包括电连接在两个天线(253
A
,253
C
)之间的谐振器传输线(251
A
,251
C
),所述两个天线优选地是单极天线;每个编码谐振单元(25
A
‑
D
)在所述传输频率组(22,23)中的一个传输频率下提供所述编码反向散射信号。5.根据权利要求1至4中任一项所述的RFID标签,包括弯折线加载天线组;所述弯折线加载天线组包括一个或多个编码弯折线加载天线(26
A
‑
B
),每个编码弯折线加载天线在所述传输频率组(22,23)中的一个传输频率下提供所述编码反向散射信号。6.根据权利要求3至5中任一项所述的RFID标签,其中所述偶极天线组还包括提供所述参考反向散射信号(2
R
)的参考偶极天线(24
R
);或其中所述谐振单元组还包括参考谐振单元(25
R
),所述参考谐振单元包括电连接在两个天线之间的谐振器传输线,所述参考谐振单元提供所述参考反向散射信号(2
R
);或其中所述弯折线加载天线组还包括提供所述参考反向散射信号(2
R
)的参考弯折线加载天线(26
R
)。7.根据权利要求3至6中任一项所述的RFID标签,其中所述偶极天线组中的至少一个偶极天线和/或所述谐振单元组中的至少一个谐振器传输线和/或所述弯折线加载天线组中的至少一个弯折线加载天线被印刷在载体(10)上;优选地,所述偶极天线组中的多个偶极天线和/或所述谐振单元组中的多个谐振器传输线和/或所述弯折线加载天线组中的多个弯折线加载天线被印刷在载体(10)上,优选地印刷在同一载体(10)上。8.根据权利要求7所述的RFID标签,其中所述多个偶极天线和/或所述多个谐振器传输线和/或所述多个弯折线加载天线中的每一个包括编码部分;
所述编码部分的电阻抗相对于参考电阻抗限定所述代码(3
A
‑
H
);优选地,所述编码部分的形状和/或尺寸和/或材料限定所述代码(3
A
‑
技术研发人员:伊万,
申请(专利权)人:MHM微技术责任有限公司,
类型:发明
国别省市:
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