一种降低铝靶材晶粒度的方法技术

本发明专利技术提供一种降低铝靶材晶粒度的方法，所述方法包括以下步骤：对坯料依次进行第一锻伸处理、第一热处理、第二锻伸处理、第三锻伸处理、第二热处理、第一压延处理、第二压延处理以及第三热处理后得到半成品铝靶材；对所述半成品铝靶材与背板装配后依次进行包套焊接、包套脱气以及热等静压焊接。所述方法可有效避免铝靶材与铜背板焊接过程中的晶粒粗大问题，提高了铝靶材与铜背板的结合率，降低产品不良率，从而缩减产品生产成本。从而缩减产品生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种降低铝靶材晶粒度的方法


[0001]本专利技术属于靶材制造领域，涉及一种降低铝靶材晶粒度的方法。

技术介绍

[0002]溅射靶材背板(Sputtering Target Back Plate，BP)：金属溅射靶材是溅射沉积技术中用做阴极的材料。该阴极材料在溅射机台中被带正电荷的阳离子撞击下以分子、原子或离子的形式脱离阴极而在阳极表面重新沉积。由于金属溅射靶材往往是高纯的铝、铜、钛、镍、钽及贵金属等比较贵重的材料，所以在其制造时常常使用比较普通的材料来作为背板。背板起到支撑靶材、冷却、降低成本等作用，常用的材料有铝合金(ALBP)、铜合金(CUBP)等。
[0003]热等静压机(Hot Isostatic Press，简称HIP)：热等静压机是利用热等静压技术在高温高压密封容器中，以高压惰性气体为介质，对其中的粉末或待压实的烧结坯料或异种金属施加各向均等静压力，形成高致密度坯料(或零件)的方法的仪器设备。热等静压机已成为高温粉末冶金、消除铸件缺陷、异种金属扩散连接、新型工程陶瓷、复合材料、耐火材料、高强石墨碳素等先进成型技术和先进材料本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种降低铝靶材晶粒度的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：对坯料依次进行第一锻伸处理、第一热处理、第二锻伸处理、第三锻伸处理、第二热处理、第一压延处理、第二压延处理以及第三热处理后得到半成品铝靶材；对所述半成品铝靶材与背板装配后依次进行包套焊接、包套脱气以及热等静压焊接。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一锻伸处理为将所述坯料镦粗至原长度的45～55％后拔长至原长度；优选地，所述第一锻伸处理的温度为100～200℃；优选地，所述第一锻伸处理的次数不少于3次。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一热处理的温度为200～300℃；优选地，所述第一热处理的时间为20～60min。4.根据权利要求1
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3任一项所述的方法，其特征在于，所述第二锻伸处理为将所述坯料镦粗至原长度的45～55％后拔长至原长度；优选地，所述第二锻伸处理的温度为100～200℃；优选地，所述第二锻伸处理的次数不少于3次；优选地，所述第三锻伸处理为将所述坯料镦粗至原长度的30～40％。5.根据权利要求1
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4任一项所述的方法，其特征在于，所述第二热处理的温度为200～300℃；优选地，所述第二热处理的时间为20～60min。6.根据权利要求1
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5任一项所述的方法，其特征在于，所述第一压延处理为将所述坯料压延至原长度的30～50％；优选地，所述第二压延处理为将所述坯料压延至原长度的40～50％。7.根据权利要求1
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6任一项所述的方法，其特征在于，所述第三热处理的温度为120～180℃；优选地，所述第三热处理的时间为10～20min。8.根据权利要求1<...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，边逸军，潘杰，王学泽，侯娟华，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：