基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种在利用处理流体在腔室内对基板进行处理的基板处理装置中，能够有效防止杂质对基板的污染，并良好地进行处理的技术。在腔室(100)内设置有从腔室外接收处理流体并将其导入处理空间的导入流路(17)。导入流路经由截面形状与由处理空间(SP)的壁面与支撑托盘(15)之间的间隙形成的间隔空间的截面形状大致一致的流路(173)、(177)供给处理流体。通过了处理空间的处理流体排出至宽度大于或等于处理空间的缓冲空间(182)、(186)，进一步经由在宽度方向上的缓冲空间的两端部连接的排出流路(183)、(187)向腔室外排出。的排出流路(183)、(187)向腔室外排出。的排出流路(183)、(187)向腔室外排出。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置


[0001]本专利技术涉及一种利用处理流体在腔室内对基板进行处理的基板处理装置。

技术介绍

[0002]半导体基板、显示装置用玻璃基板等各种基板的处理工序包括利用各种处理流体对基板表面进行处理的工序。以往，将药液或冲洗液等液体用作处理流体的处理被广泛应用，但近年来，使用了超临界流体的处理也得到了应用。尤其是在表面上形成有细微图案的基板的处理中，表面张力低于液体的超临界流体因为能够进入图案的间隙深处，所以能够高效地进行处理，另外，还能够降低干燥时由表面张力引发的图案倒塌的风险。
[0003]例如日本特开2018
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082043号公报记载了一种利用超临界流体执行基板干燥处理的基板处理装置。在该装置中，构成有将两个板状构件相向配置且二者的间隙作为处理空间而发挥作用的处理容器。从处理空间的一个端部搬入载置于薄板状的保持板上的晶片(基板)，从另一端部导入超临界状态的二氧化碳。
[0004]用于这种处理的处理容器是一种高压腔室。腔室内设置有用于搬入搬出基板的开口部，通过盖部封闭开口部从而形成处理空间。在腔室与盖部之间，设置具有弹性例如橡胶制密封构件，从而，能够维持处理空间的气密性。
[0005]在上述现有技术中，没有详细提及腔室内的处理流体是怎样流动的。但是，根据本申请专利技术人等的见解可知，腔室内的处理流体的流动方式会影响处理结果的好坏，也就是说会影响处理后的基板的洁净度。即，如果腔室内的处理流体的流动存在紊流，则可能会发生例如由密封构件等产生的杂质附着于基板并污染基板的问题。

技术实现思路

[0006]本专利技术鉴于上述课题而提出，其目的在于，提供一种能够在利用处理流体在腔室内对基板进行处理的基板处理装置中，有效防止杂质对基板造成污染，并良好地进行处理的技术。
[0007]本专利技术的一个方式是一种利用处理流体对基板的表面进行处理的基板处理装置，为了达到上述目的，具有：平板状的基板保持部，能够使所述基板以水平姿势载置于上表面；腔室，内部具有处理空间且侧面具有开口部，所述处理空间能够容放载置有所述基板的所述基板保持部，所述开口部与所述处理空间连通且能够使所述基板保持部通过。在所述腔室内设置有与所述处理空间连通且接收从所述腔室外供给的所述处理流体的导入流路、与所述处理空间连通的缓冲空间、和从所述缓冲空间向所述腔室外排出所述处理流体的排出流路。
[0008]其中，所述导入流路在俯视下在所述处理空间的一端部与面对着间隔空间而开口的喷出口相连接，所述间隔空间由所述处理空间的壁面与所述基板保持部之间的间隙形成，该喷出口的形状和直至该喷出口的流路的截面形状与所述间隔空间的截面形状大致相同；所述缓冲空间在俯视下在隔着所述基板与所述一端部相反的另一端部与所述处理空间
相连接，在垂直于从所述一端部朝向所述另一端部的所述处理流体的流通方向的宽度方向上，所述缓冲空间具有与所述间隔空间大致相同的宽度；在所述缓冲空间中的所述宽度方向的两端部设置的一对开口分别连接有所述排出流路。
[0009]在如此构成的专利技术中，处理空间中除基板和基板保持部所占据的空间之外的空间、即处理空间的壁面与基板保持部之间的间隙所形成的间隔空间作为处理流体流通的流路发挥作用。在将处理流体导入处理空间的导入路径中，处理流体经由流路和喷出口流入处理空间，所述流路和喷出口具有与间隔空间的截面形状大致相同的截面形状。因此，在比喷出口更靠近上游侧的流路上所形成的层流保持着该状态流入处理空间。
[0010]另一方面，关于通过处理空间后的处理流体，其流入宽度与间隔空间大致相同的缓冲空间后，经由排出流路向外部排出。详细内容将在后面叙述，通过连接于缓冲空间的排出流路的位置设置为宽度方向上缓冲空间的两个端部，从而能够防止缓冲空间中的处理流体的滞留。另外，具有在间隔空间内的处理流体的流动中，抑制在宽度方向上朝向中央侧的成分的产生的效果。由此，在间隔空间内，能够使处理流体保持着层流的状态流入缓冲空间。
[0011]如此，在从导入流路经由处理空间到达缓冲空间的处理流体的流动中，以保持一个方向的层流的方式构成流路，从而，能够抑制处理空间内发生紊流。处理空间内的紊流导致从基板游离的液体成分或其他杂质附着于基板并污染基板，通过抑制紊流的发生能够防止基板污染。
[0012]如上所述，在本专利技术中，在处理流体的流通方向上，在从比处理空间靠近上游侧的导入流路到下游侧的缓冲空间之间，能够使处理流体作为截面形状大致恒定的层流流通。因此，能够抑制处理空间内紊流的发生，并能够防止紊流引发杂质向基板附着。
附图说明
[0013]图1是表示本专利技术的基板处理装置的一个实施方式的概略结构的图。
[0014]图2A
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图2C是示意地表示处理流体的流路的图。
[0015]图3A
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图3B是例示腔室的开口部周围的结构的图。
[0016]图4是示意地表示导入处理空间的处理流体的流动的剖面图。
[0017]图5是示意地表示从处理空间排出的处理流体的流动的剖面图。
[0018]图6A
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图6B是示意地表示排出流路的位置与处理流体的流动之间的关系的图。
[0019]图7A
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图7B是例示处理腔室的开口部周围的其他结构的图。
[0020]附图标记的说明：
[0021]1基板处理装置
[0022]11～13第一至第三构件(腔室主体)
[0023]14盖部(腔室)
[0024]15支撑托盘(基板保持部)
[0025]16密封构件
[0026]17流路(导入流路)
[0027]57流体供给部
[0028]100、100a腔室(腔室主体、腔室)
[0029]101开口部
[0030]172、174缓冲空间(扩大空间)
[0031]181上侧流路
[0032]182、186缓冲空间
[0033]183、187排出流路
[0034]185下侧流路
[0035]S基板
[0036]SP处理空间
具体实施方式
[0037]图1是表示本专利技术的基板处理装置的一个实施方式的概略结构的图。该基板处理装置1例如是一种利用超临界流体来对半导体基板等各种基板的表面进行处理的装置。为了统一表示以下各图中的方向的，如图1所示，设定XYZ直角坐标系。其中，XY平面为水平面，Z方向表示铅垂方向。更具体地讲，(
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Z)方向表示铅垂向下方向。
[0038]其中，作为本实施方式中的“基板”，能够适用半导体晶片、光掩模用玻璃基板、液晶显示用玻璃基板、等离子显示用玻璃基板、FED(Field Emission Display：场致电子发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板等各种基板。以下，主要以用于处理半导体晶片的基板处理装置为例参照附图并进行说明，也同样能够适用于上面例示的各种基板的处理。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，利用处理液体对基板的表面进行处理，其中，具有：平板状的基板保持部，能够使所述基板以水平姿势载置于该基板保持部的上表面；腔室，内部具有处理空间且侧面具有开口部，所述处理空间能够容放载置有所述基板的所述基板保持部，所述开口部与所述处理空间连通且能够使所述基板保持部通过，在所述腔室设置有与所述处理空间连通且接收从所述腔室外供给的所述处理流体的导入流路、与所述处理空间连通的缓冲空间、和从所述缓冲空间向所述腔室外排出所述处理流体的排出流路，所述导入流路在俯视下在所述处理空间的一端部与面对着间隔空间而开口的喷出口相连接，所述间隔空间由所述处理空间的壁面与所述基板保持部之间的间隙形成，该喷出口的形状和直至该喷出口的流路的截面形状与所述间隔空间的截面形状大致相同，所述缓冲空间在俯视下在隔着所述基板与所述一端部相反的另一端部与所述处理空间相连接，在垂直于从所述一端部朝向所述另一端部的所述处理流体的流通方向的宽度方向上，所述缓冲空间具有与所述间隔空间大致相同的宽度，在所述缓冲空间中的所述宽度方向的两端部设置的一对开口分别连接有所述排出流路。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，与由所述处理空间的壁面中的顶面与所述基板保持部的上表面之间的间隙形成的所述间隔空间相对应地设置有所述导入流路、所述缓冲空间和所述排出流路，并且，与由所述处理空间的壁面中的底面与所述基板保持部的下表面之间的间隙形成的所述间隔空间相对应地设置有所述导入流路、所述缓冲空间和所述排出流路。3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，在俯视下，连接有所述排...

【专利技术属性】
技术研发人员：墨周武，折坂昌幸，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：发明
国别省市：