器件及器件的形成方法技术

一种器件及器件的形成方法，该器件包括：第一膜，其具有第一内部，第一密封部分和第一接触部分；以及第二膜，其具有第二内部，第二密封部分和第二接触部分；具有第一接触点的第一电路构件；具有第二接触点的第二电路构件。第一密封部分和第二密封部分结合在一起。第一接触部分和第二接触部分在接触区域中彼此接触，该接触区域在第一内部和第二内部的整个边缘上围绕第一内部和第二内部。第一电路构件和第二电路构件封闭在被第一内部和第二内部包围的封闭空间。第一接触点和第二接触点彼此接触。本发明专利技术提供一种可以制作更薄的新型器件。本发明专利技术提供一种可以制作更薄的新型器件。本发明专利技术提供一种可以制作更薄的新型器件。

【技术实现步骤摘要】
器件及器件的形成方法


[0001]本专利技术涉及一种包括通过薄膜密封的电路构件的器件及器件的形成方法。

技术介绍

[0002]例如，在JP2001
‑
332654A(专利文献1)中公开了可以做得更薄的器件，其内容通过引用并入本文。
[0003]参考图17，专利文献1公开了具有内置半导体芯片的模块(器件)90。器件90包括热固性树脂组合物(密封树脂)92和包括半导体芯片96和布线图案98的电路构件94。形成密封树脂92以使得电路构件94被嵌入其中。然后，密封树脂92的表面被抛光，使得器件90变薄。
[0004]对于包括电路构件的器件，需要进一步减小厚度。

技术实现思路

[0005]因此，本专利技术的目的是提供一种可以制作更薄的新型器件。
[0006]本专利技术的一方面提供了一种包括第一膜，第二膜，第一电路构件和第二电路构件的器件。第一膜具有第一内部和第一外部。第一内部位于第一外部的内侧。第二膜具有第二内部和第二外部。第二内部位于第二外部的内侧。第一外部具有第一密封部分和第一接触部分。第二外部具有第二密封部分和第二接触部分。第一密封部分和第二密封部分结合在一起以形成密封迹线。第一接触部分和第二接触部分在接触区域中彼此接触。接触区域围绕第一内部和第二内部的整个边缘。该器件形成有被第一内部和第二内部包围的封闭空间。第一电路构件和第二电路构件在封闭空间中被封闭。第一电路构件具有第一接触点。第二电路构件具有第二接触点。第一接触点和第二接触点彼此接触。第二电路构件具有第二接触点。第一接触点和第二接触点彼此接触。第二电路构件具有第二接触点。第一接触点和第二接触点彼此接触。
[0007]本专利技术的另一方面提供了一种器件的形成方法，该器件包括第一膜，第二膜，第一电路构件和第二电路构件。形成方法包括准备步骤，布置步骤和密封步骤。在准备步骤中，准备第一膜，第二膜，第一电路构件和第二电路构件。第一电路构件包括第一接触点。第二电路构件包括第二接触点。在布置步骤中，在第一接触点和第二接触点彼此面对的同时，将依次堆叠的第一膜，第一电路构件，第二电路构件和第二膜布置在腔室内。在密封步骤中，在腔室被抽真空的状态下密封第一膜和第二膜，使得第一电路部件和第二电路部件被封闭在由第一膜和第二膜包围的封闭空间中，并且第一接触点和第二接触点彼此接触。
[0008]根据本专利技术的一个方面的器件，第一膜和第二膜彼此重叠以彼此接触，第一电路构件和第二电路构件(以下简称为“电路构件”)夹在它们之间。除了应该为每个电路构件设置接触点之外，每个电路构件的结构均不受限制。因此，本专利技术的一个方面的每个电路构件具有简单的结构，并且可以由各种材料形成。例如，每个电路构件可以是形成有具有接触点的导电图案的绝缘膜。在这种情况下，整个器件的厚度可以做得非常薄。从而，本专利技术的一个方面提供了一种可以制造得更薄的新型器件。
[0009]通过研究以下对优选实施例的描述并参考附图，可以对本专利技术的目的有所理解并对其结构有更完整的理解。
附图说明
[0010]图1是示出根据本专利技术实施例的器件的透视图，其中，用虚线示出了形成在第一膜和第二膜之间的接触区域的边界线，以及放大并示出了该器件的一部分点划线所包围的部分。
[0011]图2是示出图1的器件的分解透视图，其中，第一膜和第二膜的每一个的接触区域的边界线用虚线示出。
[0012]图3是示出图1的器件的透视图，其中未示出第一膜，用虚线示出了第二膜的接触区域的边界线，以及隐藏的第一导电体的轮廓图案和隐藏的第二导电图案用点划线表示。
[0013]图4是示出图3的第一电路构件的第一导电图案和第二电路构件的第二导电图案的具体示例的图。
[0014]图5是沿线VV截取的图1的器件的剖视图，其中器件的三个部分(分别由点划线包围)被放大并示出，并且接触区域的边界线在放大的视图之一中用虚线示出。
[0015]图6是示出用于形成图1的器件的形成方法的示例的流程图。
[0016]图7是示出在图6的形成方法的准备步骤中制备的器件材料组的透视图，其中用虚线示出了隐藏的第一电路构件和隐藏的第二电路构件的轮廓。
[0017]图8是示出图7的器件材料组的侧视图，其中，用虚线包围的器件材料组的三个部分被放大并示出。
[0018]图9是示出图6的形成方法的布置步骤中的腔室和布置在该腔室中的器件材料组的侧面的示意性结构的视图。
[0019]图10是示出包括多个图7的器件材料组的构件的视图，其中，用虚线示出了隐藏的第一电路构件和隐藏的第二电路构件的轮廓，器件材料组中的每一个与其它器件材料组之间的边界线用点划线示出。
[0020]图11是示出图7的器件材料组的变型的透视图，其中，用虚线示出了隐藏的第一电路构件和隐藏的第二电路构件的轮廓。
[0021]图12是示出由图11的器件材料组形成的器件的透视图，其中，用虚线示出了形成在第一膜和第二膜之间的接触区域的边界线。
[0022]图13是示出图7的器件材料组的另一变型的透视图，其中，用虚线示出了隐藏的第一电路构件和隐藏的第二电路构件的轮廓。
[0023]图14是示出由图13的器件材料组形成的器件的透视图，其中用虚线示出了形成在第一膜和第二膜之间的接触区域的边界线。
[0024]图15是示出图2的器件的变型的分解透视图，其中，用虚线示出了隐藏的第一导电图案的轮廓。
[0025]图16是示出图15的器件的器件材料组的侧视图，其中，用虚线包围的器件材料组的一部分被放大并示出，压缩弹性部件的主表面的位置在图中的放大图用双点划线表示，放大了一部分用点划线包围的图，用放大图表示所制作的器件的截面。
[0026]图17是示出专利文献1的器件的剖视图。
[0027]尽管本专利技术易于进行各种变型和替代形式，但是在附图中以示例的方式示出了本专利技术的特定实施例，并且在此将对其进行详细描述。然而，应当理解，附图及其详细描述并非旨在将本专利技术限制为所公开的特定形式，相反，其意图是涵盖落入本专利技术的精神和范围内的所有变型，等同形式和替代形式。如所附权利要求书所定义的本专利技术。
具体实施方式
[0028]参考图1，根据本专利技术实施例的器件10是独立的电子器件。更具体地，器件10可以单独工作而无需物理附接到另一电子器件(未示出)。例如，器件10通过将器件10附接到被检对象的心脏附近来测量被检对象的心率，并且将测量结果发送到另一电子器件。因此，器件10可以用作用于测量诸如心律的生物信息的电子器件。然而，本专利技术不限于此，而是可应用于具有各种功能的各种器件。
[0029]本实施例的器件10包括电路结构12和膜构件14。电路结构12是用于使器件10能够用作电子器件的构件。例如，电路结构12具有用于测量心率的电子电路(未示出)和用于将测量结果传输到另一电子器件(未示出)的另一电子电路(未示出)。膜构件14将电路结构12完全容纳在其中，并保护电路结构12不受外部环境的影响。因此，电路结构12被封闭在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种器件，包括第一膜，第二膜，第一电路构件和第二电路构件，其特征在于：第一膜具有第一内部和第一外部；第一内部位于第一外部的内侧；第二膜具有第二内部和第二外部；第二内部位于第二外部的内侧；第一外部具有第一密封部分和第一接触部分；第二外部具有第二密封部分和第二接触部分；第一密封部分和第二密封部分结合在一起以形成密封迹线；第一接触部分和第二接触部分在接触区域中彼此接触；接触区域围绕第一内部和第二内部的整个边缘；该器件形成有被第一内部和第二内部包围的封闭空间；第一电路构件和第二电路构件封闭在封闭空间中；所述第一电路构件包括第一接触点；第二电路构件包括第二接触点；以及第一接触点和第二接触点彼此接触。2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一密封部分和所述第二密封部分通过热密封结合在一起。3.根据权利要求2所述的器件，其特征在于，所述第一膜和所述第二膜分别包括两层，所述两层由通过热封可熔融的可熔层和通过所述热封不可熔融的不可熔层组成。4.根据权利要求1所述的器件，其特征在于：第一膜和第二膜是单个膜构件的彼此重叠的两片；膜构件具有预定部分和切割边缘；第一膜和第二膜在预定部分处彼此连接；以及密封迹线至少形成在接触部分和切割边缘之间。5.根据权利要求4所述的器件，其特征在于：膜构件是单个平面片才；和第一膜和第二膜是在预定部分折叠以彼此重叠的两个片。6.根据权利要求4所述的器件，其特征在于：膜构件是单个折叠状片材；和第一膜和第二膜是在预定部分彼此连接的两个片。7.根据权利要求1所述的器件，其特征在于：所述第一电路构件具有第一基部和第一导电图案。第一基部由绝缘膜形成；第一导电图案形成在第一基部上并具有第一接触点；第二电路构件具有第二基部和第二导电图案；第二基部由绝缘膜形成；以及第二导电图案形成在第二基...

【专利技术属性】
技术研发人员：上田真慈，
申请(专利权)人：日本航空电子工业株式会社，
类型：发明
国别省市：