双平衡阻容降压电源与MOS管驱动电路制造技术

本发明专利技术公开了一种双平衡阻容降压电源与MOS管驱动电路，其包括双平衡阻容降压电源模块和MOS管驱动模块，所述双平衡阻容降压电源模块输出直流电压，用于与电路内部的全波整流电路“共地”连接以及为单片机和负载单元提供电源；所述MOS管驱动模块用于通过驱动MOS管控制负载单元。本发明专利技术的双平衡阻容降压电源与MOS管驱动电路，针对现有的开关电源，去掉了储能电感与开关变压器，也省去了专用的开关驱动IC等一切有源晶体管；而针对现有的高压MOS管驱动，也省去了专用IC以及储能电感电容，仅仅采用晶体管与电阻的巧妙组合，高效可靠的驱动MOS管，从而大大降低整机成本，同时提升EMC测试指标和整机性能。试指标和整机性能。试指标和整机性能。

【技术实现步骤摘要】
双平衡阻容降压电源与MOS管驱动电路


[0001]本专利技术属于家电控制
，具体涉及一种双平衡阻容降压电源与MOS管驱动电路。

技术介绍

[0002]市场上众多的家用电器为了达到节能高效的目的，都会在其电路中使用单片机作为其整机的指挥中心，而这个指挥中心是一直需要电路提供小型电源以维持对机器的操作控制的。对于高压MOS管驱动，目前流行的做法是采用专用的MOS管驱动IC，去控制高压MOS管的关断与导通。
[0003]而提供小型电源一般有：降压变压器、开关电源高频降压以及阻容降压三种方式，其中，前两种本身造价昂贵，同时传导辐射严重，继而增加了EMC控制指标的成本，一直为人们所诟病；而第三种的一般阻容降压方式则使用范围有限制，特别是对电路里面有大电流的全波整流方式而言，完全无法与其“共地”组合。而就高压MOS管驱动而言，采用专用的MOS管驱动IC，给生产商与用户带来的主要就是造价贵重问题。

技术实现思路

[0004]为了解决上述问题，本专利技术提供一种双平衡阻容降压电源与MOS管驱动电路，针对现有的开关电源，去掉储能电感本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双平衡阻容降压电源与MOS管驱动电路，其特征在于，其包括双平衡阻容降压电源模块(1)和MOS管驱动模块(2)，所述双平衡阻容降压电源模块(1)输出直流电压，用于与电路内部的全波整流电路“共地”连接以及为单片机和负载单元提供电源；所述MOS管驱动模块(2)用于通过驱动MOS管控制负载单元。2.根据权利要求1所述的双平衡阻容降压电源与MOS管驱动电路，其特征在于，所述双平衡阻容降压电源模块(1)包括阻容降压全波整流电路(11)、精密稳压电路(12)、全波整流桥电路(13)和π型滤波电路(14)，所述阻容降压全波整流电路(11)用于将市电处理成直流低电压电源，所述精密稳压电路(12)用于将直流低电压电源处理成稳定的直流电压供单片机使用；所述全波整流桥电路(13)和π型滤波电路(14)配合连接用于将市电处理成平滑的直流电压供负载单元使用。3.根据权利要求2所述的双平衡阻容降压电源与MOS管驱动电路，其特征在于，所述阻容降压全波整流电路(11)包括全波整流桥D1，市电从输入端J1、J2引入，所述输入端J1串联电容C1后连接全波整流桥D1的引脚1，所述输入端J2串联保险元件F1、电容C2后连接全波整流桥D1的引脚3，所述输入端J2串联保险元件F1后与输入端J1并联压敏电阻RV，所述全波整流桥D1的引脚4接地，所述全波整流桥D1的引脚2并联稳压管Z1和电容C5后输出直流低电压电源，所述稳压管Z1和电容C5的另一端均接地。4.根据权利要求3所述的双平衡阻容降压电源与MOS管驱动电路，其特征在于，所述精密稳压电路(12)包括三极管Q1和稳压管Z2，所述阻容降压全波整流电路(11)输出的直流低电压电源连接三极管Q1的集电极，所述三极管Q1的基极串联电阻R3后连接三极管Q1的集电极，所述三极管Q1的基极串联稳压管Z2后接地，所述三极管Q1的发射极串联电阻R4、电阻R5后接地，所述三极管Q1的发射极并联电容C3、电容C4后连接单片机U1的VDD引脚为其供电，所述电容C3和电容C4的另一端接地。5.根据权利要求4所述的双平衡阻容降压电源与MOS管驱动电路，其特征在于，所述全波整流桥电路(13)包括二极管D2、D3、D4和D5，所述输入端J1并联二极管D2和D4，所述输入端J2串联保险元件F1后并联二极管D3和D5，所述二极管D2和D5的另一端连接后接地，所述二极管D3和D4的另一端后连接π型滤波电路(14)。6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：王绍军，向欣开，
申请(专利权)人：广东牧人王电器有限公司，
类型：发明
国别省市：