狭长型喷墨头芯片的制造方法技术

一种狭长型喷墨头芯片的制造方法，包含以下步骤：S1.准备硅基板；S2.使用第一类型光罩于至少二高精度区布设主动元件层；S3.使用第二类型光罩于主动元件层上布设被动元件层；以及S4.对硅基板进行切割，以产生多个狭长型喷墨头芯片。墨头芯片。墨头芯片。

【技术实现步骤摘要】
狭长型喷墨头芯片的制造方法


[0001]本案是关于一种喷墨头芯片的制造方法，尤指一种使用不同倍率的光罩来制造狭长型喷墨头芯片的制造方法。

技术介绍

[0002]随着科技的日新月异，喷墨头的尺寸以及形状也随着不同客户的需求(例如，更快的打印速度)而改变。然而，喷墨头的尺寸及形状的变化会受到制程中光罩尺寸的限制，并且增加生产成本。
[0003]请参阅图1，现有的喷墨头芯片9具有多个电极垫片91、多个静电防护单元92、多个加热器93、多个加热器开关94、多个编码器95、多个编码器开关96以及多个放电保护单元97。多个电极垫片91相邻设置于喷墨头芯片9的一相对两侧。多个静电防护单元92分别紧邻电极垫片91而设置。多个加热器93相邻且对称设置于喷墨头芯片9的另一相对两侧。多个加热器开关94分别紧邻加热器93设置。多个编码器95相邻设置于喷墨头芯片9的一处。多个编码器开关96分别紧邻编码器95设置。以及多个放电保护单元97相邻设置于喷墨头芯片9的另一处。
[0004]请参阅图1以及图2，欲驱动加热器93时，举例来说，对电极垫片91通以适当电压可开启加热器开关94，同时再对电极垫片91通以适当电压即可驱动所属加热器93。
[0005]然而，现有的喷墨头芯片9中，由于静电防护单元92需紧邻电极垫片91而设置，以及加热器开关94需紧邻加热器93而设置，在配置上的灵活度较低。再者，受到光罩尺寸限制，也难以因应客制化需求，制成狭长型的工业用喷墨头。

技术实现思路

[0006]本案的主要目的在于提供一种喷墨头芯片的制造方法，包含互补式金属氧化物半导体(CMOS)或N型金属氧化物半导体(NMOS)等电路，其不受光罩尺寸限制，只需改变部分光罩即可形成各种长度及形状的喷墨头，活用性高且生产成本低。
[0007]为达上述目的，本案的一实施态样为提供一种狭长型喷墨头芯片的制造方法，包含以下步骤：S1.提供一硅基板，该硅基板上具有多个喷墨芯片区域，该多个喷墨芯片区域皆呈狭长型，且皆分别具有至少二高精度区；S2.使用一第一类型光罩分别于该至少第二高精度区上布设一主动元件层，该主动元件层具有多个静电防护单元、多个编码器开关、多个放电保护单元以及多个加热器开关，该至少二高精度区的该多个静电防护单元、该多个编码器开关、该多个放电保护单元以及该多个加热器开关其数量及相对位置皆相同；S3.使用一第二类型光罩于该多个主动元件层上布设一被动元件层，该被动元件层具有多个电极垫片、多个加热器、多个编码器以及多个电路走线；以及S4.以该多个喷墨芯片区域为基准对该硅基板切割，以产生多个狭长型喷墨头芯片。
附图说明
[0008]图1为传统喷墨头芯片的布局示意图。图2为传统喷墨头芯片的部分电路示意图。图3为本案狭长型喷墨头芯片的制造步骤示意图。图4为本案狭长型喷墨头芯片于硅基板上示意图。图5为本案狭长型喷墨头芯片的主动元件层其元件示意图。图6为本案狭长型喷墨头芯片的剖面示意图。图7为本案狭长型喷墨头芯片的被动元件层其元件示意图。图8为本案狭长型喷墨头芯片的示意图。附图标记说明
[0009]10：狭长型喷墨头1：硅基板10：狭长型喷墨头芯片1A：喷墨芯片区域1a：第一高精度区1b：第二高精度区111：第一长边112：第二长边113：第一短边114：第二短边12：主动元件层121：静电防护单元122：编码器开关123：放电保护单元124：加热器开关13：被动元件层131：加热器132：电极垫片133：电路走线134：编码器9：喷墨头芯片91：电极垫片92：静电防护单元93：加热器94：加热器开关95：编码器96：编码器开关97：放电保护单元
具体实施方式
[0010]体现本案特征与优点的实施态样将在后段的说明中详细叙述。应理解的是本案能够在不同的态样上具有各种的变化，其皆不脱离本案的范围，且其中的说明及图示在本质上当作说明之用，而非用以限制本案。
[0011]请参阅图3所示，狭长型喷墨头芯片10的制作方法包含以下步骤：S1.提供一硅基板1，硅基板1上具有多个喷墨芯片区域1A，喷墨芯片区域1A皆呈狭长型，且皆分别具有至少二高精度区；S2.使用一第一类型光罩分别于至少二高精度区上布设一主动元件层12，该主动元件12层具有多个静电防护单元121、多个编码器开关122、多个放电保护单元123以及多个加热器开关124，至少二高精度区的该多个静电防护单元121、该多个编码器开关122、该多个放电保护单元123以及该多个加热器开关124其数量及相对位置皆相同；S3.使用一第二类型光罩于主动元件层12上布设一被动元件层13，被动元件层13具有多个加热器131、多个电极垫片132、多个电路走线133以及多个编码器134；以及S4.以喷墨芯片区域1A为基准对该硅基板1切割，以产生多个狭长型喷墨头芯片10。
[0012]请参阅图3及图4，于步骤S1中，提供硅基板1，硅基板1可为一硅晶圆，于本实施例中，为6吋硅晶圆，但不以此为限；硅基板1上具有多个喷墨芯片区域1A，喷墨芯片区域1A皆为狭长型且彼此相邻，而如图5所示，喷墨芯片区域1A具有一第一长边111、一第二长边112、一第一短边113及一第二短边114，第一长边111、第二长边112相互对应，第一短边113与第二短边114相互对应且分别与第一长边111、第二长边112相连；其中，每一喷墨芯片区域1A皆分别具有至少二高精度区，于本实施例中，以第一高精度区1a及第二高精度区1b为例。
[0013]步骤S2请参考图5及图6所示，使用第一类型光罩于硅基板1上的每一喷墨芯片区域1A的第一高精度区1a及第二高精度区1b布设主动元件层12，主动元件层具有静电防护单元121、编码器开关122、放电保护单元123以及多个加热器开关124，静电防护单元121邻近于第一长边111且沿第一长边111排列设置，编码器开关122同样邻近于第一长边111及沿第一长边111排列设置，放电保护单元123亦邻近于第一长边111及沿第一长边111排列设置。于本实施例中静电防护单元121、编码器开关122、放电保护单元123沿第一长边111排成一行，但不以此为限，加热器开关124位于喷墨芯片区域1A的中间处，并与静电防护单元121、编码器开关122、放电保护单元123并排排列，其中，第一高精度区1a及第二高精度区1b内主动元件层12的静电防护单元121、编码器开关122、放电保护单元123、多个加热器开关124的数量及其排列相对位置都相同。
[0014]值得注意的是，于本案实施态样中，放电保护单元123为一下拉电阻保护装置(Pull Down,RPD)，但不以此为限；于本案中，静电防护单元121、编码器开关122、放电保护单元123、加热器开关124分别为一N型金属氧化物半导体(NMOS)元件，但不以此为限。于其他实施态样中，静电防护单元121、编码器开关122、放电保护单元123、加热器开关124可分别为一互补式金属氧化物半导体(CMOS)元件或一双极性(Bipolar)元件，而主动元件层12的元件对于精本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种狭长型喷墨头芯片的制造方法，包含：S1.提供一硅基板，该硅基板上具有多个喷墨芯片区域，该多个喷墨芯片区域皆呈狭长型，且皆分别具有至少二高精度区；S2.使用一第一类型光罩分别于该至少二高精度区上布设一主动元件层，该主动元件层具有多个静电防护单元、多个编码器开关、多个放电保护单元以及多个加热器开关，该至少二高精度区的该多个静电防护单元、该多个编码器开关、该多个放电保护单元以及该多个加热器开关其数量及相对位置皆相同；S3.使用一第二类型光罩于该多个主动元件层上布设一被动元件层，该被动元件层具有多个电极垫片、多个加热器、多个编码器以及多个电路走线；以及S4.以该多个喷墨芯片区域为基准对该硅基板切割，以产生多个狭长型喷墨头芯片。2.如权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：莫皓然，余荣侯，张正明，戴贤忠，廖文雄，黄启峰，韩永隆，
申请(专利权)人：研能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：