一种LED阵列扩张检测装置及扩张方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及LED显示器制造领域，具体一种LED阵列检测装置，其包括：承载膜，呈阵列排布的LED芯片粘附于所述承载膜上；拉伸设备，设置于所述承载膜的边缘，用于拉伸所述承载膜；金属薄片设置于LED阵列中同一行或列相邻的LED芯片侧面，相邻所述LED芯片相对应的侧面设置的两片所述金属薄片为一对；电压施加器，用于向相邻金属薄片施加电压；电容检测单元，分别连接成对的金属薄片，用于检测相邻金属薄片间的电容值；控制器，与所述电容检测器电连接，用于根据所述电容值计算对应LED芯片间距，LED芯片间距达到阈值时向拉伸设备发出拉伸或停止拉伸的信号。该装置可以准确测量LED芯片之间的间距。的间距。的间距。

【技术实现步骤摘要】
一种LED阵列扩张检测装置及扩张方法


[0001]本专利技术涉及LED显示器制造
，尤其涉及一种LED阵列扩张检测装置及检测方法。

技术介绍

[0002]Micro-LED显示器具有良好的稳定性、寿命以及运行温度上的优势，同时也承继了LED低功耗、色彩饱和度、反应速度快、对比度强等优点,具有极大的应用前景。在现有Micro-LED显示器的制作过程中，其均需要将LED芯片从各自的生长基板转移到显示器的显示背板上；当将LED芯片转移到不同尺寸的显示背板上时，由于LED芯片原本排列的间距与所要应用的显示背板的尺寸间距不同，因而需要将LED芯片的原始排列间距进行调整，以适用具体使用需求。将LED芯片逐个转移到显示背板上也是一种实现方式，随着LED技术的日新月异，用于LED显示屏的LED芯片的尺寸越来越小，LED芯片中LED芯粒的间距也越来越小。LED芯片中LED芯粒的转移难度大大提高，如何提供一种简单快捷的LED芯粒的分选转移方法，是LED领域一个亟待解决的问题。

技术实现思路

[0003]基于以上问题，本专利技术设计LED阵列检测装置，其能精确方便的检测扩晶过程中LED芯片的间距，其具体结构如下。
[0004]一种LED阵列检测装置，其包括：
[0005]承载膜，呈阵列排布的LED芯片粘附于所述承载膜上，所述承载膜具有可延伸性；
[0006]拉伸设备，设置于所述承载膜的边缘，用于拉伸所述承载膜；
[0007]金属薄片，设置于同一行或列相邻的LED芯片侧面，所述相邻的LED芯片相对应的侧面设置的两片金属薄片为一对；
[0008]电压施加器，分别连接成对的所述金属薄片，用于向成对的所述金属薄片施加电压；
[0009]电容检测单元，分别连接所述成对的所述金属薄片，用于检测每对所述金属薄片间的电容值；
[0010]控制器，与所述电容检测单元电连接，用于根据所述电容值计算对应LED芯片间距，在所述LED芯片间距达到阈值的情况下，向所述拉伸设备发出拉伸或停止拉伸的信号。
[0011]进一步的，所述控制器，具体根据以下公式计算对应LED芯片间距，
[0012][0013]其中，真空介电常数ε0＝1；k为静电力常量；S为成对的所述金属薄片正对面积；L为两金属薄片间距。
[0014]进一步的，所述承载膜上设置有多个穿孔，所述穿孔设置于相邻4个所述LED芯片顶点连线的交汇处。
[0015]进一步的，所述金属薄片通过光刻胶、热敏胶或光敏胶粘附于所述LED芯片的侧面。
[0016]进一步的，所述电容检测单元为电容检测器或电容检测电路。
[0017]本专利技术还包括一种LED阵列扩张方法，包括如下步骤：
[0018]S10将多个LED芯片呈阵列式粘附于承载膜上，所述承载膜具有延伸性，在LED阵列中同一行或列中至少两个相邻的LED芯片侧面设置有金属薄片，所述金属薄片通过胶粘附于所述LED芯片上，相邻所述LED芯片相对应的侧面设置的两片所述金属薄片为一对，每对所述金属薄片上连接有与一控制器相连接的电压施加器及电容检测单元；
[0019]S11所述承载膜连接有拉伸装置，所述拉伸装置控制所述承载膜向预设方向拉伸，同时电压施加器向成对的金属薄片间施加电压，电容检测单元检测所述金属薄片间的电容值；
[0020]S12控制器根据电容值计算所述LED芯片之间的间距，当间距达到阈值时，控制器向拉伸装置发出指令，停止拉伸，具体根据以下公式计算对应LED芯片间距，
[0021][0022]其中，真空介电常数ε0＝1；k为静电力常量；S为成对的所述金属薄片正对面积；L为两金属薄片间距，即LED间距。
[0023]进一步的，在步骤S12之后还包括步骤S13将所述胶移除的步骤，所述胶为光刻胶、光敏胶或热敏胶，光刻胶可以通过显影液移除，光敏胶或热敏胶可以通过光照或加热的方式移除，将胶移除后，得到预设距离的LED阵列。
[0024]进一步的，在步骤S13之后还包括步骤S14将所述LED芯片远离所述承载膜的表面接合于一封装基板，并移除所述承载膜，移除所述承载膜的方法为光照或加热。
[0025]所述承载膜上设置有多个穿孔，所述穿孔与所述LED芯片相对应，位于相邻4个LED芯片顶点连线的交汇处。
[0026]进一步的，步骤S11中，所述承载膜的拉伸方向为沿所述LED芯片排列的横向或纵向中的一个方向拉伸或两个方向同时拉伸。
[0027]本专利技术的有益效果在于：
[0028]通过在相邻LED芯片之间设置金属薄片，金属薄片通过可移除胶粘附于LED芯片上，测量金属薄片之间的电容可以计算得到金属薄片之间距离，也即LED芯片之间的距离，结构简单。
[0029]在扩晶的过程中实时检测一对金属片之间的电容值，电容的变化具有很好的灵敏性，精度高，达到预设的电容值，立即停止拉伸，能够准确得到扩晶后的LED芯片之间的距离。
附图说明
[0030]图1为实施例1的横截面结构示意图；
[0031]图2为实施例1的俯视结构示意图；
[0032]图3为实施例2的横截面结构示意图；
[0033]图4为实施例2的俯视结构示意图；
[0034]图5为扩晶方法流程图；
[0035]图6为承载膜粘附LED芯片的方法示意图；
[0036]图7为金属薄片设置于LED芯片的结构示意图；
[0037]图8为扩晶过程的结构示意图；
[0038]图9为移除金属薄片后的结构示意图；
[0039]图10为LED芯片转移至封装基板的结构示意图。
[0040]图中标号说明：
[0041]承载膜10、LED芯片11、金属薄片12、电压施加器13、电容检测单元14、控制器15、穿孔16、生长基板20。
具体实施方式
[0042]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清除、完整地描述，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0043]实施例1
[0044]如图1、图2所示，展示了一种LED阵列扩张检测装置。
[0045]具体的请参考图1，本实施例所述的LED阵列扩张检测装置包括承载膜10，以及呈阵列粘附于承载膜10上的LED芯片11。承载膜10具有可延伸性，因而可以通过拉伸时LED芯片11的距离L增加。同时，承载膜10具有初粘性，可以将LED芯片11粘附于承载膜10上后不会发生移动。承载膜10为蓝膜、光解胶带或热解胶中的一种，蓝膜为目前产业常用的扩晶蓝膜，其具有优良的延伸性以及可剥离性，同样的，光解胶带及热解胶带也具有初粘性机延伸性，光解胶带可以在扩晶完成后通过照射特定波长的光线使其失去黏性而移除，热解胶带可以在扩晶完成后通过加热使其失去黏性而移除。本实施方式中承载膜10优选为蓝膜。
[0046]位于LED阵列中同一行或列相邻的LED芯片11的侧面设置有金属薄片12，通常一片金属薄片12对本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED阵列检测装置，其特征在于，包括：承载膜，呈阵列排布的LED芯片粘附于所述承载膜上，所述承载膜具有可延伸性；拉伸设备，设置于所述承载膜的边缘，用于拉伸所述承载膜；金属薄片，设置于同一行或列相邻的LED芯片侧面，所述相邻的LED芯片相对应的侧面设置的两片金属薄片为一对；电压施加器，分别连接成对的所述金属薄片，用于向成对的所述金属薄片施加电压；电容检测单元，分别连接所述成对的所述金属薄片，用于检测每对所述金属薄片间的电容值；控制器，与所述电容检测单元电连接，用于根据所述电容值计算对应LED芯片间距，在所述LED芯片间距达到阈值的情况下，向所述拉伸设备发出拉伸或停止拉伸的信号。2.如权利要求1所述的LED阵列检测装置，其特征在于，所述控制器，具体根据以下公式计算对应LED芯片间距，其中，真空介电常数ε0＝1；k为静电力常量；S为所述成对的所述金属薄片的正对面积；L为所述成对的所述金属薄片的间距。3.如权利要求1所述的LED阵列检测装置，其特征在于，所述承载膜上设置有多个穿孔，所述穿孔与所述LED芯片相对应，位于相邻4个所述LED芯片顶点连线的交汇处。4.如权利要求1所述的LED阵列检测装置，其特征在于，所述金属薄片通过光刻胶、热敏胶或光敏胶粘附于所述LED芯片的侧面。5.如权利要求1所述的LED阵列检测装置，其特征在于，所述电容检测单元为电容检测器或电容检测电路。6.一种LED阵列扩张方法，其特征在于，包括如下步骤：S10将多个LED芯片呈阵列式粘附于承载膜上，所述承载膜具有延伸性，在LED阵列中同一行或列中至少两个相邻的LED芯片...

【专利技术属性】
技术研发人员：江仁杰，钟光韦，伍凯义，杨然翔，沈佳辉，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：