具有改善的电压电平变换器电路的显示装置制造方法及图纸

一种显示装置具有包括用多晶硅ＭＩＳＴＦＴ形成的电平变换器的驱动器。电平变换器包括：第一、第二和第三Ｎ沟道型ＭＩＳＴＦＴ（ＮＭＩＳＴＦＴ）以及第一、第二和第三Ｐ沟道型ＭＩＳＴＦＴ（ＰＭＩＳＴＦＴ）。第一ＮＭＩＳＴＦＴ和ＰＭＩＳＴＦＴ的栅极端子和第一端子以及第三ＰＭＩＳＴＦＴ的栅极端子通过电容连接到输入端子。第二ＮＭＩＳＴＦＴ和ＰＭＩＳＴＦＴ的第二端子以及第三ＮＭＩＳＴＦＴ的栅极端子通过电容连接到输入端。第三ＰＭＩＳＴＦＴ的第一端子、第一ＮＭＩＳＴＦＴ和ＰＭＪＳＴＦＴ的第二端子连接到高压电源线。第三ＮＭＩＳＴＦＴ的第二端子、第二ＮＭＩＳＴＦＴ和ＰＭＩＳＴＦＴ的栅极端子和第一端子连接到低压电源线。第三ＰＭＩＳＴＦＴ的第二端子和第三ＮＭＩＳＴＦＴ的第一端子连接到输出端。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

Display device with improved voltage level converter circuit

A display device having a drive including a level converter formed of polysilicon MISTFT. The level converter includes first, second and third N channel MISTFT (NMISTFT) and first, second, and P channel MISTFT (PMISTFT). The gate terminal of the first NMISTFT and the PMISTFT and the gate terminal of the first and third PMISTFT are connected to the input terminal through a capacitor. Second NMISTFT and PMISTFT terminals as well as the gate terminal of the third NMISTFT is connected to the input terminal through a capacitor. The first terminal of the third PMISTFT, the first NMISTFT and the second terminal of the PMJSTFT are connected to the high voltage power line. Third NMISTFT terminal of the second terminal, the second NMISTFT and the PMISTFT terminal and the first terminal are connected to the low voltage power line. Third PMISTFT of the second terminal and the first terminal of the third NMISTFT are connected to the output.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
本专利技术涉及显示装置，具体地说，涉及具有制作在显示板的基片上用于驱动像素的驱动电路的有源矩阵型显示装置。显示板具有夹在一对基片之间的电光材料层。在本说明书中，术语“电光材料”是指其光学性质诸如光的传输、发射、折射率和吸收在电场或电流的影响下变化的材料。例如，所述电光材料包括液晶材料和场致发光材料。作为例子，将考虑有源矩阵型液晶显示器。在有源矩阵型液晶显示器中，每一个像素区是由排列在y轴方向并在x轴方向延伸的多根栅极信号线的2根相邻线和排列在x轴方向并在y轴方向延伸的多根漏极信号线的2根相邻线围绕而成的，所述各信号线制造在夹着液晶层的一对基片之一的液晶层侧的表面上。每一个像素区配备有由来自于栅极信号线之一的扫描信号驱动的薄膜晶体管和经由薄膜晶体管从漏极信号线之一接收视频信号的像素电极。例如，像素电极在它和制造在所述一对基片的另一基片上的对电极之间产生电场，以便该电场控制通过二电极之间的液晶层的光透射。液晶显示器配备有用于供应扫描信号到每一栅极信号线的扫描信号驱动电路以及用于供应视频信号到每一漏极信号线的视频信号线驱动电路。扫描信号驱动电路和视频信号线驱动电路由大量具有类似于制作在像素区上的薄膜晶体管结构的MIS(金属绝缘体半导体)晶体管构成，因此可以知道由多晶硅(p-Si)制像素区上的薄膜晶体管的半导体层的技术，以及扫描信号驱动电路和视频信号线驱动电路与所述像素同时制造在一对基片之一上的技术。这些电路包括由多晶硅制造的晶体管，所以它们的输出信号电平低点，因此，输出信号本身有时不足于驱动像素。为了解决这个问题，电压电平变换器结合到液晶显示器中，用于转换电压，如将脉冲从低电平转换到较高电平。通常使用如附图说明图16和17所示的电压电平变换器。当电压电平变换器包括多晶硅MOS晶体管时，已经指出由于多晶硅MOS晶体管中充电-载流子迁移率小于单晶的MOS晶体管，当它由外部小电压输入脉冲进行栅极控制时它的供电能力进一步减小，因此为了达到足于控制MOS晶体管的电流通断的电压值所需的时间增加了，从而上述的直通电流增加了。本专利技术用于解决上述问题，本专利技术的一个目的是提供具有电压电平变换器的显示装置，充分抑制了上述的直通电流。以下将简短地说明具有代表性的本专利技术。根据本专利技术的实施例提供的显示装置包括；一对基片；夹在该对基片之间的电光材料层；形成于该对基片之间的多个像素；以及设置在该对基片之一上用于驱动多个像素的驱动电路，该驱动电路包括电平变换器电路，后者包括具有用多晶硅制造的半导体层的MISTFT(金属绝缘体半导体薄膜晶体管)，该电平变换器电路包括一对第一NMISTFT(N沟道型金属绝缘体半导体薄膜晶体管)和第一PMISTFT(P沟道型金属绝缘体半导体薄膜晶体管)，第一NMISTFT和第一PMISTFT中的每一个的栅极端子和第一端子都连接到用于经由第一电容接收输入脉冲的输入端；一对第二NMISTFT和第二PMISTFT，第二NMISTFT和第二PMISTFT中的每一个的第二端子经由第二电容连接到输入端；第三PMISTFT，其栅极端子连接到第一NMISTFT和第一PMISTFT的栅极端子和第一端子；第三NMISTFT，其栅极端子连接到第二NMISTFT和第二PMISTFT的第二端子；第三PMISTFT的第一端子、第一NMISTFT的第二端子、以及第一PMISTFT的第二端子连接到高压电源线；第三NMISTFT的第二端子、第二NMISTFT的栅极端子和第一端子、第二PMISTFT的栅极端子和第一端子连接到低压电源线，以及第三PMISTFT的第二端子和第三NMISTFT的第一端子之间的第一接合点连接到电平变换器电路的输出端。根据本专利技术的另一个实施例提供的显示装置包括一对基片；夹在该对基片之间的电光材料层；形成于该对基片之间的多个像素以及设置在该对基片之一上用于驱动多个像素的驱动电路，该驱动电路包括电平变换器电路，后者包括具有用多晶硅制造的半导体层的MISTFT(金属绝缘体半导体薄膜晶体管)，该电平变换器电路具有串联配置的多个级，每个级包括一对第一NMISTFT(N沟道型金属绝缘体半导体薄膜晶体管)和第一PMISTFT(P沟道型金属绝缘体半导体薄膜晶体管)，第一NMISTFT和第一PMISTFT中每一个的第一端子和栅极端子都连接到用于经由第一电容接收输入脉冲的输入端；一对第二NMISTFT和第二PMISTFT，第二NMISTFT和第二PMISTFT中每一个的第二端子经由第二电容连接到输入端；第三PMISTFT，具有连接到第一NMISTFT和第一PMISTFT的栅极端子和第一端子的栅极端子；第三NMISTFT，具有连接到第二NMISTFT和第二PMISTFT的第二端子的栅极端子；第三PMISTFT的第一端子、第一NMISTFT的第二端子、以及第一PMISTFT的第二端子连接到高压电源线；第三NMISTFT的第二端子、第二NMISTFT的栅极端子和第一端子、第二PMISTFT的栅极端子和第一端子连接到低压电源线，以及第三PMISTFT的第二端子和第三NMISTFT的第一端子之间的第一接合点连接到输出端。根据本专利技术的另一个实施例提供的显示装置包括一对基片；夹在该对基片之间的电光材料层；形成于该对基片之间的多个像素；以及设置在该对基片之一上用于驱动多个像素的驱动电路；该驱动电路包括电平变换器电路，后者包括相同导电类型并具有用多晶硅制造的半导体层的MISTFT(金属绝缘体半导体薄膜晶体管)，该电平变换器电路包括第一MISTFT；第二MISTFT；以及第三MISTFT；第一MISTFT和第二MISTFT的第一端子连接到用于接收输入脉冲的输入端；第一MISTFT和第二MISTFT的栅极端子连接到固定电压值电源线路；第一MISTFT的第二端子连接到第三MISTFT的栅极端子和电容器的第一端子；第三MISTFT的第二端子连接到高压电源线；第三MISTFT的第一端子连接到第二MISTFT的第二端子；以及第二MISTFT的第二端子、第三MISTFT的第一端子和电容器的第二端子的接合点连接到电平变换器的输出端。根据本专利技术的另一个实施例提供的显示装置包括一对基片；夹在该对基片之间的电光材料层；形成于该对基片之间的多个像素以及设置在该对基片之一上用于驱动多个像素的驱动电路，该驱动电路包括电平变换器电路，后者包括相同导电类型并具有用多晶硅制造的半导体层的MISTFT(金属绝缘体半导体薄膜晶体管)，该电平变换器电路包括第一MISTFT、第二MISTFT、以及第三MISTFT；第一MISTFT和第二MISTFT的第一端子连接到用于接收输入脉冲的输入端；第一MISTFT的栅极端子连接到固定电压值电源线路；第二MISTFT的栅极端子接收与输入脉冲幅度相同、相位相反的脉冲；第一MISTFT的第二端子连接到第三MISTFT的栅极端子和电容器的第一端子；第三MISTFT的第一端子连接到高压电源线；以及第二MISTFT的第二端子、第三MISTFT的第二端子和电容器的第二端子的接合点连接到电平变换器的输出端。根据本专利技术的另一个实施例提供的显示装置包括一对基片；夹在该对基片之间的电光材料层，形成于该对基片之间的多个像素；以及设置在该对基片之一上用于驱动多个像素的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示装置，它包括：一对基板；夹在所述基板对之间的电光材料层；形成于所述基板对之间的多个像素：以及设置在所述基板对之一上用于驱动所述多个像素的驱动电路；所述驱动电路包括电平变换器电路，后者包括具有用多晶硅制造的半导体层的ＭＩＳＴＦＴ（金属绝缘体半导体薄膜晶体管）， 所述电平变换器电路包括： 一对第一ＮＭＩＳＴＦＴ（Ｎ沟道型金属绝缘体半导体薄膜晶体管）和第一ＰＭＩＳＴＦＴ（Ｐ沟道型金属绝缘体半导体薄膜晶体管）， 所述第一ＮＭＩＳＴＦＴ和所述第一ＰＭＩＳＴＦＴ中的每一个的栅极端子和第一端子都连接到用于经由第一电容接收输入脉冲的输入端； 一对第二ＮＭＩＳＴＦＴ和第二ＰＭＩＳＴＦＴ， 每一所述第二ＮＭＩＳＴＦＴ和所述第二ＰＭＩＳＴＦＴ中的每一个的第二端子经由第二电容连接到输入端； 第三ＰＭＩＳＴＦＴ，其栅极端子连接到所述第一ＮＭＩＳＴＦＴ和所述第一ＰＭＩＳＴＦＴ的所述栅极端子和所述第一端子； 第三ＮＭＩＳＴＦＴ，其栅极端子连接到所述第二ＮＭＩＳＴＦＴ和所述第二ＰＭＩＳＴＦＴ的所述第二端子， 所述第三ＰＭＩＳＴＦＴ的第一端子、所述第一ＮＭＩＳＴＦＴ的第二端子、以及所述第一ＰＭＪＳＴＦＴ的第二端子连接到高压电源线， 所述第三ＮＭＩＳＴＦＴ的第二端子、所述第二ＮＭＩＳＴＦＴ的栅极端子和第一端子、所述第二ＰＭＩＳＴＦＴ的栅极端子和第一端子连接到低压电源线，以及 所述第三ＰＭＩＳＴＦＴ的第二端子和所述第三ＮＭＩＳＴＦＴ的第一端子之间的第一接合点连接到所述电平变换器电路的输出端。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2000-11-22 355598/001.一种显示装置，它包括一对基板；夹在所述基板对之间的电光材料层；形成于所述基板对之间的多个像素以及设置在所述基板对之一上用于驱动所述多个像素的驱动电路；所述驱动电路包括电平变换器电路，后者包括具有用多晶硅制造的半导体层的MISTFT(金属绝缘体半导体薄膜晶体管)，所述电平变换器电路包括一对第一NMISTFT(N沟道型金属绝缘体半导体薄膜晶体管)和第一PMISTFT(P沟道型金属绝缘体半导体薄膜晶体管)，所述第一NMISTFT和所述第一PMISTFT中的每一个的栅极端子和第一端子都连接到用于经由第一电容接收输入脉冲的输入端；一对第二NMISTFT和第二PMISTFT，每一所述第二NMISTFT和所述第二PMISTFT中的每一个的第二端子经由第二电容连接到输入端；第三PMISTFT，其栅极端子连接到所述第一NMISTFT和所述第一PMISTFT的所述栅极端子和所述第一端子；第三NMISTFT，其栅极端子连接到所述第二NMISTFT和所述第二PMISTFT的所述第二端子，所述第三PMISTFT的第一端子、所述第一NMISTFT的第二端子、以及所述第一PMJSTFT的第二端子连接到高压电源线，所述第三NMISTFT的第二端子、所述第二NMISTFT的栅极端子和第一端子、所述第二PMISTFT的栅极端子和第一端子连接到低压电源线，以及所述第三PMISTFT的第二端子和所述第三NMISTFT的第一端子之间的第一接合点连接到所述电平变换器电路的输出端。2.权利要求1的显示装置，其特征在于还包括串联组合的第四PMISTFT和第四NMISTFT，其中，所述第四PMISTFT的第一端子连接到所述高压电源线，所述第四NMISTFT的第二端子连接到所述低压电源线，所述第四PMISTFT和所述第四NMISTFT的栅极端子连接到所述第一接合点，以及所述第四PMISTFT的第二端子和所述第四NMISTFT的第一端子之间的第二接合点连接到所述电平变换器电路的所述输出端。3.权利要求1的显示装置，其特征在于还包括多个串联组合的第四PMISTFT和第四NMISTFT，其中，所述多个串联组合级联连接成多个级，所述多个串联组合中的每一个的所述第四PMISTFT的第一端子连接到所述高压电源线，所述多个串联组合中的每一个的所述第四NMISTFT的第二端子连接到所述低压电源线，从所述第一接合点算起的所述多个级的第一级中的所述第四PMISTFT和所述第四NMISTFT的栅极端子连接到所述第一接合点，除所述第一级之外的所述多个级的所述第四PMISTFT和所述第四NMISTFT的栅极端子连接到紧随其后的所述多个级之一的所述第四PMISTFT的第二端子和所述第四NMISTFT的第一端子之间的接合点，以及所述多个级中最后一级的所述第四PMISTFT的第二端子和所述第四NMISTFT的第一端子之间的第二接合点连接到所述电平变换器电路的所述输出端。4.一种显示装置，它包括一对基板；夹在所述基板对之间的电光材料层；形成于所述基板对之间的多个像素；以及设置在所述基板对之一上用于驱动所述多个像素的驱动电路；所述驱动电路包括电平变换器电路，后者包括具有用多晶硅制造的半导体层的MISTFT(金属绝缘体半导体薄膜晶体管)，所述电平变换器电路具有串联配置的多个级，所述多个级中的每一个级包括一对第一NMISTFT(N沟道型金属绝缘体半导体薄膜晶体管)和第一PMISTFT(P沟道型金属绝缘体半导体薄膜晶体管)，所述第一NMISTFT和所述第一PMISTFT中每一个的栅极端子和第一端子都连接到用于经由第一电容接收输入脉冲的输入端；一对第二NMISTFT和第二PMISTFT，所述第二NMISTFT和所述第二PMISTFT中的每一个的第二端子经由第二电容连接到所述输入端；第三PMISTFT，其栅极端子连接到所述第一NMISTFT和所述第一PMISTFT的所述栅极端子和所述第一端子；第三NMISTFT，其栅极端子连接到所述第二NMISTFT和所述第二PMISTFT的所述第二端子，所述第三PMISTFT的第一端子、所述第一NMISTFT的第二端子、以及所述第一PMJSTFT的第二端子连接到高压电源线，所述第三NMISTFT的第二端子、所述第二NMISTFT的栅极端子和第一端子、所述第二PMISTFT的栅极端子和第一端子连接到低压电源线，以及所述第三PMISTFT的第二端子和所述第三NMISTFT的第一端子之间的第一接合点连接到输出端。5.权利要求4的显示装置，其特征在于还包括包含第四PMISTFT和第四NMISTFT的至少一级电路，所述至少一级电路连接于所述多个级中连续的级之间，所述第四PMISTFT和所述第四NMISTFT的栅极端子连接到所述电路的输入端，所述第四PMISTFT的一个端子和所述第四NMISTF...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫泽敏夫，佐藤秀夫，佐藤友彦，槙正博，
申请(专利权)人：株式会社日立制作所，日立装置工程株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]