主动阵列电激发光式显示屏中的像素驱动电路制造技术

本发明专利技术公开了一种主动阵列电激发光式显示屏中的像素驱动电路，根据一第一扫描线路与一第二扫描线路的动作由一数据线路输入一驱动电流，该驱动电路包括：一晶体管；一电容器，该电容器一端耦接至该晶体管的栅极，另一端耦接至一接地电压；以及一有机发光二极管，该有机发光二极管的Ｐ型端耦接至该晶体管的源极，该有机发光二极管的Ｎ极端耦接至该接地电压；其中，在一记忆状态时，该驱动电流充电该电容器用以产生一特定电压来偏压该晶体管与该有机发光二极管；而在一发射状态时，利用该特定电压偏压该晶体管与该有机发光二极管。由上述驱动电路结构，在记忆状态或者发射状态时流经有机发光二极管的电流会几乎相等。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

Pixel driving circuit of active array electric excitation light display screen

The invention discloses an active pixel array electric excitation light display driving circuit according to a first scanning line and a second scanning line by the action of a data line input a drive current, the drive circuit includes a transistor; a gate capacitor, the capacitor is coupled to the transistor. The other end is connected to a ground voltage; and an organic light emitting diode, P end is the organic light emitting diode is connected to the source of a transistor, the organic light emitting diode N extreme is coupled to the ground voltage; which, in a memory state, the drive current to generate a specific voltage to bias the transistor and the organic light emitting diode of the capacitor charging; while in a state of launch, using the specific voltage bias of the transistor and the organic light emitting diode. According to the structure of the driving circuit, the current flowing through the organic light emitting diode is almost equal in the memory state or the emission state. \ue5cf

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种显示器面板的驱动电路，且特别是有关于一种主动阵列电激发光式显示屏中的像素驱动电路。如附图说明图1所示，为现有有机发光二极管显示屏的像素驱动电路结构。现有的有机发光二极管显示屏的每个像素由二个晶体管一个电容器(2T1C)所组合而成。其中，晶体管M1栅极耦接至闸控线路(Gate Line)10，另二端则分别耦接至数据线路(Data Line)20与晶体管M2栅极。晶体管M2源极耦接至电源(Vdd)，漏极耦接至有机发光二极管(OLED)P极端。有机发光二极管(OLED)N极端则接至接地电压(GND)。电容器Cs耦接于晶体管M2源极与栅极之间。当闸控线路10动作时，晶体管M1可视为一个开关(Switch)开启(On)，此时驱动电压可由数据线路20输入并且快速地储存于电容器Cs中。在驱动电压输入电容器Cs的同时，此驱动电压可对晶体管M2产生偏压(Bias)，因此固定电流Id即可通过有机发光二极管(OLED)，使得有机发光二极管(OLED)发光。由上述可知，图1的有机发光二极管像素驱动电路为电压驱动。利用驱动电压来使得晶体管M2产生偏压，并使有机发光二极管(OLED)发光。由于为了将周边电路整合于显示屏中，所以大部分的有机发光二极管(OLED)显示屏的像素驱动电路的晶体管均是利用低温多晶硅(Low TemperaturePoly-Silicon，LTPS)制程所完成的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)。然而，此种薄膜晶体管由于制程的问题，其门限电压(Threshold Voltage)与迁移率(Mobility)会有一定程度的变动。而导致输入电容器Cs的驱动电压相同却产生不同大小的电流。因此，流经有机发光二极管(OLED)的电流不同，发光强度也会不同。如图2所示，是现有另一有机发光二极管显示屏的像素驱动电路结构。此电路为电流驱动的像素驱动电路。此有机发光二极管显示屏的每个像素是由四个晶体管一个电容器(4T1C)所组合而成。其中，晶体管M1栅极耦接至第一扫描线路(Scan 1)30，另二端则分别耦接至数据线路(Data Line)50与晶体管M3漏极。晶体管M2栅极耦接至第一扫描线路(Scan 1)30，另二端则分别耦接至数据线路(Data Line)50与晶体管M3栅极。晶体管M3源极耦接至电源(Vdd)，漏极耦接至晶体管M4源极。晶体管M4栅极耦接至第二扫描线路(Scan 2)40，漏极耦接至有机发光二极管(OLED)P极端。有机发光二极管(OLED)N极端则接至接地电压(GND)。电容器Cs耦接于晶体管M3源极与栅极之间。此电路结构可分成二个状态，分别由第一扫描线路30与第二扫描线路40来控制。其中第一扫描线路30与第二扫描线路40的信号为同一时钟(Clock)信号；在高电平时，第一扫描线路30动作，晶体管M1、M2开启；在低电平时，第二扫描线路动作40，M4开启。第一状态为记忆状态(Memorizing State)，当第一扫描线路30动作而第二扫描线路40未动作时，晶体管M1、M2可视为开关开启，晶体管M4关闭(Off)，此时驱动电流可由电压源(Vdd)对电容器Cs充电，并产生电压。在驱动电流充电电容器Cs的同时，电容器Cs上的电压可对晶体管M3产生偏压(Bias)，因此驱动电流Id1(Id2为零)会经由晶体管M3、M1流至数据线路50。第二状态为发射状态(Emission State)，当第一扫描线路30未动作而第二扫描线路40动作时，晶体管M1、M2关闭，晶体管M4可视为开关开启，此时根据电容器Cs储存的电压来偏压晶体管M3并产生电流Id2(Id1为零)，并经由晶体管M4流通过有机发光二极管(OLED)，使得有机发光二极管(OLED)发光。由上述可知，图2的有机发光二极管像素驱动电路是以第一扫描线路30动作来利用驱动电流来充电电容器Cs产生电压并偏压晶体管M4，使得驱动电流(Id1)经由晶体管M1输出至数据线路50，此时为记忆状态。而当第二扫描线40动作时为发射状态，由于晶体管M1、M2已经关闭，因此，电流(Id2)可通过晶体管M4与有机发光二极管(OLED)。上述由四个晶体管一个电容器(4T1C)所组合成的有机发光二极管像素驱动电路相对于二个晶体管一个电容器(2T1C)所组合成的有机发光二极管像素驱动电路，其优点是可以补偿门限电压与迁移率的问题。然而，如图3所示，其为四个晶体管一个电容器(4T1C)所组合成的有机发光二极管像素驱动电路在二个状态的电流曲线图。由于在记忆状态以及发射状态时，在晶体管M3漏极端(节点a)的等效阻抗不同，因此会导致此二状态的电流(Id1与Id2)大小不同。由图3可看出，晶体管M3不同的偏压(VCs1～VCs10)在二个状态时会产生不同的电流(Id1与Id2)。为了实现上述目的，本专利技术提出一种主动阵列电激发光式显示屏中的像素驱动电路，其根据第一扫描线路与第二扫描线路的动作由数据线路输入驱动电压，此驱动电路包括晶体管；电容器一端耦接至晶体管的栅极，另一端耦接至接地电压；以及有机发光二极管的P型端耦接至晶体管的源极，N极端耦接至接地电压；其中，在记忆状态时，驱动电流充电电容器至一特定电压用以偏压晶体管与有机发光二极管；而在发射状态时，利用此特定电压来偏压晶体管与有机发光二极管。本专利技术又提出一种主动阵列电激发光式显示屏中的像素驱动电路，根据第一扫描线路与第二扫描线路的动作由数据线路输入驱动电压，此驱动电路包括晶体管；电容器一端耦接至晶体管的栅极，另一端耦接至电压源；以及，有机发光二极管的P型端耦接至电压源，N极端耦接至晶体管的源极；其中，在记忆状态时，驱动电流充电电容器至一特定电压用以偏压晶体管与有机发光二极管；而在发射状态时，利用此特定电压来偏压晶体管与有机发光二极管。本专利技术又提出一种主动阵列电激发光式显示屏中的像素驱动方法，包括下列步骤在第一扫描线路动作时，形成电流路径使得驱动电流可对电容器充电至特定电压；以及，在第二扫描线路动作时，利用此特定电压来产生偏压电流并流经有机发光二极管；其中，此特定电压偏压于串接的晶体管栅极与有机发光二极管之间，使得驱动电流与偏压电流约略相等。本专利技术的有益效果是，不论在记忆状态或者发射状态其特定电压皆偏压于晶体管与有机发光二极管上。因此，在记忆状态或者发射状态时流经有机发光二极管的电流会几乎相等。为了更进一步说明本专利技术特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图。其中，附图标记说明如下130第一扫描线路140第二扫描线路 150数据线路如图4所示，是本专利技术有机发光二极管显示屏的像素驱动电路结构的第一实施例。此有机发光二极管显示屏的每个像素是由四个晶体管一个电容器(4T1C)所组合而成。其中，晶体管M1栅极耦接至第一扫描线路(Scan 1)130，另二端则分别耦接至数据线路(Data Line)150与晶体管M3漏极。晶体管M2栅极耦接至第一扫描线路(Scan 1)130，另二端则分别耦接至晶体管M3漏极与晶体管M4栅极。晶体管M3源极耦接至电源(Vdd)，栅极耦接至第二扫描线路140。晶体管M4栅极之外的二端耦接至晶体管M3漏极与有机发光二极管(OLED)P极端。有机发光二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种主动阵列电激发光式显示屏中的像素驱动电路，根据一第一扫描线路与一第二扫描线路的动作由一数据线路输入一驱动电流，其特征在于，该驱动电路包括： 一晶体管； 一电容器，该电容器一端耦接至该晶体管的栅极，另一端耦接至一接地电压；以及 一有机发光二极管，该有机发光二极管的Ｐ型端耦接至该晶体管的源极，该有机发光二极管的Ｎ极端耦接至该接地电压； 其中，在一记忆状态时，该驱动电流充电该电容器用以产生一特定电压来偏压该晶体管与该有机发光二极管；而在一发射状态时，利用该特定电压偏压该晶体管与该有机发光二极管。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：薛玮杰，
申请(专利权)人：统宝光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]