一种高容低损耗中压阳极箔及其化成工艺制造技术

本发明专利技术为一种高容低损耗中压阳极箔及其化成工艺。一种高容低损耗中压阳极箔的化成工艺，包括：(1)前处理；(2)一级化成；(3)二级化成；(4)三级化成；(5)四级化成；(6)五级第一次化成；(7)氨水或磷酸清洗；(8)第一次高温处理；(9)磷酸处理；(10)五级第二次化成；(11)第二次高温处理；(12)五级第三次化成；(13)第三次高温处理；(14)五级第四次化成；(15)后处理。本发明专利技术所述的一种高容低损耗中压阳极箔及其化成方法，在200

【技术实现步骤摘要】
一种高容低损耗中压阳极箔及其化成工艺


[0001]本专利技术属于阳极箔
，具体涉及一种高容低损耗中压阳极箔及其化成工艺。

技术介绍

[0002]电容器是世界三大被动电子元器件(电阻器、电容器及电感器)之一，在电子元器件产业中占有重要的地位，是电子线路中必不可少的基础电子元器件。当前常见的电容器主要有电解、有机薄膜、陶瓷等三大类，铝电解电容器是电容器类产品中的主体品种，其产值约占所有类型电容器的50％。随着科学技术的不断发展，国内外的铝电解电容器技术在不断的优化、完善和创新，铝电解电容器的应用范围不断扩大，其需求量也不断增加。
[0003]由于制作简单、价格低廉、性能优越、质量可靠，铝电解电容器在电子产品中已得到了广泛的应用。而且，伴随着电气、电子工业的飞速发展，铝电解电容器生产规模与市场需求仍在不断增长。为了适应电子产品小型化、高性能的发展趋势，需要开发高比电容的电容器。
[0004]不同的阳极箔化成方法，对阳极箔的容量及氧化膜的电性能有着很大的影响，化成液类型以及工艺流程是影响氧化膜层性能的主导因素。为了提升阳极箔表面氧本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高容低损耗中压阳极箔的化成工艺，其特征在于，包括以下步骤：(1)前处理；(2)一级化成；(3)二级化成；(4)三级化成；(5)四级化成；(6)五级第一次化成；(7)氨水或磷酸清洗；(8)第一次高温处理；(9)磷酸处理；(10)五级第二次化成；(11)第二次高温处理；(12)五级第三次化成；(13)第三次高温处理；(14)五级第四次化成；(15)后处理。2.根据权利要求1所述的化成工艺，其特征在于，所述的一级化成的化成液中含有0.1
‑
1.5wt％硼酸、0.1
‑
1wt％磷酸及磷酸盐、0.1
‑
1wt％柠檬酸及柠檬酸盐；所述的二级化成的化成液中含有0.2
‑
2wt％硼酸、0.1
‑
1wt％磷酸及磷酸盐、0.1
‑
1wt％柠檬酸及柠檬酸盐；所述的三级化成的化成液中含有0.5
‑
2.5wt％硼酸和0.05
‑
1wt％壬二酸及壬二酸盐、0.05
‑
1wt％柠檬酸及柠檬酸盐或己二酸及己二酸盐；所述的四级化成的化成液中含有1
‑
3wt％硼酸、0.05
‑
1wt％壬二酸及壬二酸盐、0.05
‑
1wt％柠檬酸及柠檬酸盐或己二酸及己二酸盐；所述的五级第一次化成的化成液中含有1.5
‑
6wt％硼酸、0.02
‑
1wt％壬二酸及壬二酸盐、0.02
‑
1wt％柠檬酸及柠檬酸盐或己二酸及己二酸盐。3.根据权利要求2所述的化成工艺，其特征在于，所述的一级化成的温度为80
‑
95℃，电流密度25
‑
55mA/cm2，施加电压为30
‑
35％vf，化成时间3
‑
10min；所述的二级化成的温度为80
‑
95℃，电流密度25
‑
55mA/cm2，施加电压为60
‑
70％vf，化成时间3
‑
10min；所述的三级化成的温度为80
‑
95℃，电流密度20
‑
50mA/cm2，施加电压为85
‑
95％vf，化成时间3
‑
10min；所述的四级化成的温度为80
‑
95℃，电流密度10
‑
40mA/cm2，施加电压为95
‑
110％vf，化成时间3
‑
10min；所述的五级第一次化成的温度为80
‑
95℃，电流密度10
‑
40mA/cm2，施加电压为110

【专利技术属性】
技术研发人员：李新芳，杨辉，赵刚刚，赵嘉庚，
申请(专利权)人：新疆众和股份有限公司，
类型：发明
国别省市：