再生掩模透光基板的处理方法及掩模基版的制造方法技术

本发明专利技术提供一种再生掩模透光基板的处理方法及掩模基版的制造方法，处理方法包括：1)提供一掩模基版，掩模基版包括透光基板以及位于透光基板上的掩模材料层；2)采用激光照射掩模材料层，使掩模材料层发生升华反应，以将掩模材料层自透光基板上去除，以形成再生掩模透光基板。本发明专利技术采用激光去除的方法，利用激光同时去除掩模基版上的光刻胶、金属膜、金属化合物膜等掩模材料，本发明专利技术在去除的过程中不需要使用湿法腐蚀溶液，解决了湿法腐蚀费用较高、工艺时间较长及环境污染等问题。本发明专利技术通过加工后获得的再生掩模透光基板，具有与原透光基板相同性能，有效实现了透光基板的可循环再利用。再利用。再利用。

【技术实现步骤摘要】
再生掩模透光基板的处理方法及掩模基版的制造方法


[0001]本专利技术属于半导体制造领域，特别是涉及一种再生掩模透光基板的处理方法及掩模基版的制造方法。

技术介绍

[0002]半导体元件要求在半导体基版上进行微细电路图案(Pattern)的工艺。对于微细电路图案工艺来说，光罩是必不可少的组成部分。在制造半导体和平板显示器时，掩模基版作为光罩形成图案之前的基版，承载电路母版信息的材料，是光刻工艺(Lithography)的核心部件。
[0003]不仅在半导体领域，LCD与OLED等多种
上，光罩和掩模基版的使用频率也在急剧增加。使用过的光罩和掩模基版一般是使用一次后进行废弃，无法继续使用的废弃基版的数量也在呈几何数级的增加。废弃基版的处理和管理会产生很多费用，高价格光罩的低利用率不仅浪费资源，其造成的损失对企业也是很大的负担。
[0004]一般情况下，光罩的原材料掩模基版可分为二元掩模基版(Binary Blankmask)和相移掩模基版(Phase Shift Blankmask)。二元掩模基版由透明基板、透明基板上的金属本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种再生掩模透光基板的处理方法，其特征在于，所述处理方法包括步骤：1)提供一掩模基版，所述掩模基版包括透光基板以及位于所述透光基板上的掩模材料层；2)采用激光照射所述掩模材料层，使所述掩模材料层发生升华反应，以将所述掩模材料层自所述透光基板上去除，以形成再生掩模透光基板。2.根据权利要求1所述的再生掩模透光基板的处理方法，其特征在于：步骤2)还包括：根据所述透光基板与掩模材料层的材料，调节所述激光的光源及能量密度，以降低所述透光基板的损伤的步骤。3.根据权利要求2所述的再生掩模透光基板的处理方法，其特征在于：所述述激光的光源包括二极管泵浦固态激光器、光纤激光器及激光二极管中的一种。4.根据权利要求1所述的再生掩模透光基板的处理方法，其特征在于：步骤2)还包括：根据所述掩模材料层的形貌，调整所述激光光束的形态，以缩短所述掩模材料层的去除时间的步骤。5.根据权利要求1所述的再生掩模透光基板的处理方法，其特征在于：所述激光的波长介于200nm～1200nm之间，所述激光的激光束功率介于10～500W之间，激光的扫描次数为1～3次，激光的频率为150KHZ～250KHZ之间，激光的相位时间介于0ns～500ns之间。6.根据权利要求1所述的再生掩模透光基板的处理方法，其特征在于：步骤2)中，所述激光照射的方式包括扫描所述掩模基版的整面或扫描所述掩模基版的部分区域，所述激光的扫描速度介于500mm/s～2500mm/s之间。7.根据权利要求1所述的再生掩模透光基板的处理方法，其特征在于：还包括步骤3)，将所述掩模材料层自所述透光基板上去除后，通过研磨或氢氟酸对所述透光基板进行表面处理，以改善所述透光基板的表面粗糙度，经过所述表面处理后的透光基板的平坦度介于0.05.mm～2mm之间，粗糙度介于0.01nmRa～0...

【专利技术属性】
技术研发人员：车翰宣，张雄哲，陈昊，
申请(专利权)人：上海传芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：