极紫外光源中的目标提供控制装置和方法制造方法及图纸

一种用于极紫外(EUV)光源的目标装置(300)包括目标发生器、传感器模块(130)和目标发生器控制器(325)。目标发生器包括被配置为容纳在等离子体状态下产生EUV光的目标材料(114)的容器(115)和与容器流体连通的喷嘴结构(117)。目标发生器在喷嘴结构中限定开口(119)，从容器接收的目标材料通过该开口被释放。传感器模块被配置为：当目标材料沿着朝向目标空间(112)的轨迹行进时，检测与从开口释放的目标材料相关的方面，并且从检测到的方面产生一维信号。目标发生器控制器与传感器模块和目标发生器通信，并且被配置为基于对一维信号的分析来修改目标材料的特性。号的分析来修改目标材料的特性。号的分析来修改目标材料的特性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】极紫外光源中的目标提供控制装置和方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年2月26日提交的编号为62/810,673的美国申请的优先权，该申请通过引用整体并入本文。


[0003]所公开的主题涉及一种用于调谐传输到激光产生等离子体极紫外光源的目标空间的目标的特性的装置和方法。

技术介绍

[0004]极紫外(EUV)光例如是波长约为50nm或更短的电磁辐射(有时也称为软X射线)，包括波长约为13nm的光，极紫外光可以用于光刻工艺以在例如硅晶片等衬底中产生极小特征。
[0005]用于产生EUV光的方法包括但不一定限于将具有例如氙、锂或锡等元素的材料转换为等离子体状态的EUV范围内的发射谱线。在通常称为激光产生等离子体(“LPP”)的一种这样的方法中，所需要的等离子体可以通过用可以称为驱动激光的放大光束照射例如以液滴、板、带、流或材料簇形式的目标材料来产生。对于该过程，等离子体通常在密封容器(例如，真空室)中产生，并且使用各种类型的量测设备进行监测。

技术实现思路

[0006]在一些一般方面，一种用于极紫外(EUV)光源的目标装置包括目标发生器、传感器模块和目标发生器控制器。目标发生器包括被配置为容纳在等离子体状态下时产生EUV光的目标材料的容器和与容器流体连通的喷嘴结构。目标发生器在喷嘴结构中限定开口，该开口适合于释放从容器接收的目标材料。传感器模块被配置为：当目标材料沿着朝向目标空间的轨迹行进时，检测与从开口释放的目标材料相关的方面，并且从检测到的方面产生一维信号。目标发生器控制器与传感器模块和目标发生器通信。目标发生器控制器被配置为基于对一维信号的分析来修改目标材料的特性。
[0007]实现可以包括以下特征中的一个或多个。例如，喷嘴结构可以包括限定开口的毛细管，并且开口可以沿着毛细管的纵向方向延伸。目标发生器控制器可以包括被配置为扰动经过开口释放目标材料的速率的致动装置。致动装置可以包括被配置为向容器中的流体形式的目标材料施加压力的压电感应器，并且目标发生器控制器可以被配置为改变提供给压电感应器的信号以改变施加到流体目标材料的压力，从而引起目标材料经过开口被释放的速率被扰动。
[0008]目标发生器控制器可以包括：控制系统，被配置为基于对一维信号的分析生成驱动波形；和致动装置，其与控制系统通信并且与目标材料相互作用。致动装置可以被配置为根据来自控制系统的驱动波形来修改目标材料的特性。控制系统可以是可编程的并且被配置为生成周期性驱动波形。控制系统可以被配置为修改驱动波形的多个方面，包括修改以
下一项或多项：驱动波形的一个或多个频率和驱动波形的一个或多个相位。驱动波形被修改的速率可以为每秒约100
‑
500个不同波形。
[0009]传感器模块可以包括：一个或多个光电二极管，每个光电二极管的输出是与由检测到的光产生的电流相关的电压信号；光电晶体管；光敏电阻器；以及光电倍增管。
[0010]目标发生器控制器可以被配置为不与任何被配置为输出与所形成的目标相关的二维信号的检测模块通信。
[0011]独立于与目标发生器控制器的通信，传感器模块可以与光源控制器通信，光源控制器被配置为调节指向目标空间的辐射脉冲的一个或多个特性。
[0012]目标发生器控制器可以具有至少5MHz的采样速率。
[0013]传感器模块可以被配置为检测由目标材料与被引导以穿过轨迹的光幕之间的相互作用产生的光。传感器模块可以被配置为在仅由目标材料与光幕之间的相互作用触发时检测与目标材料相关的方面。
[0014]传感器模块可以被配置为在不依赖于图像处理和/或不依赖于触发信号的情况下检测与目标材料相关的方面。
[0015]目标发生器可以被配置为根据由目标发生器控制器提供的驱动波形释放目标材料。目标材料沿着轨迹行进，并且分离质量块形式的目标材料中的至少一些目标材料可以聚结以在目标空间处形成目标。
[0016]目标装置还可以包括诊断系统，其被配置为在目标材料进入目标空间之前与沿着轨迹行进的目标材料诊断性地相互作用。传感器模块可以被定位为检测与在目标材料和诊断系统之间的诊断性相互作用相关的、与目标材料相关的方面。诊断性相互作用可以发生在远离目标空间的诊断距离处，诊断距离小于由沿着轨迹行进的目标材料形成的相邻目标之间的间距的两倍、或是喷嘴结构的开口与目标空间之间的半程。
[0017]目标发生器控制器可以被配置为在基于对一维信号的分析而确定目标材料在目标空间处的属性的可接受范围内之后设置目标发生器的稳态特性。目标发生器控制器还可以与EUV光源的控制装置通信，并且可以被配置为一旦目标发生器的稳态特性被设置就通知控制装置。
[0018]在其他一般方面，利用一种方法控制沿着朝向极紫外(EUV)光源的腔室中的目标空间的轨迹行进的目标材料。该方法包括经过限定在喷嘴中的纵向开口发射目标材料，开口流体耦合到被配置为容纳目标材料的容器。目标材料在等离子体状态下时产生EUV光。该方法包括当目标材料沿着轨迹朝向目标空间行进时检测与目标材料相关的方面。该方法包括从检测到的方面产生一维信号；分析一维信号；并且基于对一维信号的分析来修改所发射的目标材料的一个或多个特性。
[0019]实现可以包括以下特征中的一个或多个。例如，通过经过开口释放液体形式的目标材料，可以经过限定在喷嘴中的开口来发射目标材料。经过开口发射目标材料可以引起朝向目标空间行进的目标材料的一个或多个粒子在到达目标空间之前聚结成一个或多个目标。
[0020]可以通过修改与目标材料从喷嘴释放的矢量速度相关的参数来修改发射的目标材料的一个或多个特性。可以通过修改提供给与容器中的目标材料流体连通的致动装置的驱动波形来修改与目标材料从喷嘴释放的矢量速度相关的参数。可以通过在容器中的目标
材料中产生或扰动压力波来修改提供给与容器中的目标材料流体连通的致动装置的驱动波形。
[0021]可以通过以100
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500Hz的速率修改一个或多个特性来修改发射的目标材料的一个或多个特性。
[0022]可以通过检测由目标材料与诊断探针之间的相互作用产生的光来检测与目标材料相关的方面。可以通过检测仅由目标材料与诊断探针之间的相互作用触发的光来检测与目标材料相关的方面。可以通过从检测到的光产生的电流产生电压信号来从检测到的光产生一维信号。
[0023]可以通过确定目标材料的一个或多个运动属性来分析一维信号。
[0024]可以通过独立于与二维信号相关的任何分析来修改一个或多个特性来修改发射的目标材料的一个或多个特性，该二维信号与目标材料相关。
[0025]可以独立于图像处理来检测与目标材料相关的方面。可以独立于与指向目标空间的辐射脉冲相关的触发信号来检测与目标材料相关的方面。
[0026]该方法还可以包括基于对一维信号的分析来确定目标材料的一个或多个特性是否在目标空间处的可接受范围内，并且当确定目标材料的一个或多个特性在目本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于极紫外(EUV)光源的目标装置，所述目标装置包括：目标发生器，包括被配置为容纳在等离子体状态下时产生EUV光的目标材料的容器和与所述容器流体连通的喷嘴结构，所述目标发生器在所述喷嘴结构中限定开口，所述开口适合于释放从所述容器接收的所述目标材料；传感器模块，被配置为：当所述目标材料沿着朝向目标空间的轨迹行进时，检测与从所述开口释放的所述目标材料相关的方面，以及从检测到的所述方面产生一维信号；以及目标发生器控制器，与所述传感器模块和所述目标发生器通信，所述目标发生器控制器被配置为基于对所述一维信号的分析来修改所述目标材料的特性。2.根据权利要求1所述的目标装置，其中所述喷嘴结构包括限定所述开口的毛细管，并且所述开口沿着所述毛细管的纵向方向延伸。3.根据权利要求2所述的目标装置，其中所述目标发生器控制器包括致动装置，所述致动装置被配置为扰动经过所述开口释放所述目标材料的速率。4.根据权利要求3所述的目标装置，其中所述致动装置包括压电感应器，所述压电感应器被配置为向所述容器中的流体形式的目标材料施加压力，并且所述目标发生器控制器被配置为改变提供给所述压电感应器的信号以改变施加到所述流体目标材料的压力，从而引起所述目标材料经过所述开口被释放的速率被扰动。5.根据权利要求1所述的目标装置，其中所述目标发生器控制器包括：控制系统，被配置为基于对所述一维信号的所述分析生成驱动波形；和致动装置，所述致动装置与所述控制系统通信并且与所述目标材料相互作用，其中所述致动装置被配置为根据来自所述控制系统的所述驱动波形来修改所述目标材料的所述特性。6.根据权利要求5所述的目标装置，其中所述控制系统是可编程的、并且被配置为生成周期性驱动波形。7.根据权利要求5所述的目标装置，其中所述控制系统被配置为修改所述驱动波形的方面，包括修改以下一项或多项：所述驱动波形的一个或多个频率和所述驱动波形的一个或多个相位，并且所述驱动波形被修改的速率为每秒约100
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500个不同波形。8.根据权利要求1所述的目标装置，其中所述传感器模块包括：一个或多个光电二极管，每个光电二极管的输出是与由检测到的所述光产生的电流相关的电压信号；光电晶体管；光敏电阻器；以及光电倍增管。9.根据权利要求1所述的目标装置，其中所述目标发生器控制器不与任何被配置为输出与所形成的目标相关的二维信号的检测模块通信。10.根据权利要求1所述的目标装置，其中所述传感器模块独立于与所述目标发生器控制器的通信而与光源控制器通信，所述光源控制器被配置为：调节指向所述目标空间的辐射脉冲的一个或多个特性。11.根据权利要求1所述的目标装置，其中所述目标发生器控制器具有至少5MHz的采样速率。12.根据权利要求1所述的目标装置，其中所述传感器模块被配置为：检测由所述目标材料与被引导以穿过所述轨迹的光幕之间的相互作用产生的光。
13.根据权利要求12所述的目标装置，其中所述传感器模块被配置为：在仅由所述目标材料与所述光幕之间的所述相互作用触发时，检测与所述目标材料相关的方面。14.根据权利要求1所述的目标装置，其中所述传感器模块被配置为：在不依赖于图像处理和/或不依赖于触发信号的情况下，检测与所述目标材料相关的方面。15.根据权利要求1所述的目标装置，其中所述目标发生器被配置为：根据由所述目标发生器控制器提供的驱动波形，释放所述目标材料，所述目标材料沿着所述轨迹行进，分离质量块形式的所述目标材料中的至少一些目标材料聚结以在所述目标空间处形成所述目标。16.根据权利要求1所述的目标装置，还包括诊断系统，所述诊断系统被配置为：在所述目标材料进入所述目标空间之前，与沿着所述轨迹行进的所述目标材料诊断性地相互作用，其中所述传感器模块被定位为检测与在所述目标材料和所述诊断系统之间的诊断性相互作用相关的、与所述目标材料相关的所述方面。17.根据权利要求16所述的目标装置，其中所述诊断性相互作用发生在远离所述目标空间的诊断距离处，所述诊断距离小于由沿着所述轨迹行进的所述目标材料形成的相邻目标之间的间距的两倍、或是所述喷嘴结构的所述开口与所述目标空间之间的半程。18.根据权利要求1所述的目标装置，其中所述目标发生器控制器被配置为：在基于对所述一维信号的所述分析而确定所述目标材料在所述目标空间处的属性的可接受范围内之后，设置所述目标发生器的稳态特性。19.根据权利要求18所述的目标装置，其中所述目标发生器控制器还与所述EUV光源的控制装置通信，并且被配置为：一旦所述目标发生器的所述稳态特性被设置，就通知所述控制装置。20.一种控制沿着朝向极紫外(EUV)光源的腔室中的目标空间的轨迹行进的目标材料的方法，所述方法包括：经过限定在喷嘴中的纵向开口发射目标材料，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：T，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：