一种低熔点聚酯切片的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种低熔点聚酯切片的制备方法，属于聚酯切片制备技术领域，本发明专利技术可以通过引入助改性盘，在原料进行酯化反应后，在加热真空的条件下继续发生缩聚反应，并通过施加磁场的方式吸引助改性盘发生辐射延伸动作，由于原料初始阶段为浆液状态，助改性盘可以充分延伸至底部，然后触发改性剂的释放动作，一方面可以将改性剂均匀释放中原料中进行扩散改性，另一方面在延伸和复位的动作中实现原料内温度分布的均匀性，并利用热量再次触发气体的释放动作，利用气体的易扩散性进一步辅助改性剂在原料内充分渗透进行作用，并且可以保证原料充分改性缩聚，可以显著提高聚酯切片的制备质量。备质量。备质量。

【技术实现步骤摘要】
一种低熔点聚酯切片的制备方法


[0001]本专利技术涉及聚酯切片制备
，更具体地说，涉及一种低熔点聚酯切片的制备方法。

技术介绍

[0002]聚酯切片通常指聚合生产得到的聚酯原料一般加工成约4*5*2毫米左右的片状颗粒。聚酯生产的工艺路线有直接酯化法(PTA法)和酯交换法(DMT法)。PTA法具有原料消耗低、反应时间短等优势，自80年代起己成为聚酯的主要工艺和首选技术路线。大规模生产线的为连续生产工艺，半连续及间歇生产工艺则适合中、小型多种生产装置。聚酯的用途现包括纤维，各类容器、包装材料、薄膜、胶片、工程塑料等领域。
[0003]低熔点聚酯一般是指熔点在100
‑
210℃的一类改性共聚酯，通常是在常规聚酯聚合过程中，添加改性组分，以改变聚酯分子刚性结构，破坏分子链规整性，从而达到降低熔点的目的。低熔点聚酯具有熔点低、流动性好、保持常规聚酯部分特性的前提下与常规聚酯有较好的相容性等优点，被广泛应用于聚酯色母粒、无纺布、纺织等行业。近年来，对低熔点聚酯研究的报道较多，已有报道的低熔点聚酯制备方法，均是在常规聚酯生产过程中加入第三、第四改性组分，使改性组分与PTA、EG混合反应并共聚合。
[0004]但是在实际缩聚反应中，一方面改性组分难以与物料充分发挥作用，另一方面由于温度分布的不均匀差异性，同时聚合物的粘度随着反应的进行而变大，改性组分更加难以发挥作用，导致局部聚合反应不完全，且很难检测出来，导致最终的产品质量存在部分较低的情况。

技术实现思路

[0005]1.要解决的技术问题
[0006]针对现有技术中存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种低熔点聚酯切片的制备方法，可以通过引入助改性盘，在原料进行酯化反应后，在加热真空的条件下继续发生缩聚反应，并通过施加磁场的方式吸引助改性盘发生辐射延伸动作，由于原料初始阶段为浆液状态，助改性盘可以充分延伸至底部，然后触发改性剂的释放动作，一方面可以将改性剂均匀释放中原料中进行扩散改性，另一方面在延伸和复位的动作中实现原料内温度分布的均匀性，并利用热量再次触发气体的释放动作，利用气体的易扩散性进一步辅助改性剂在原料内充分渗透进行作用，并且可以保证原料充分改性缩聚，不易出现改性不充分的情况，在缩聚结束粘度增大后，助改性盘逐渐停止工作，可以显著提高聚酯切片的制备质量。
[0007]2.技术方案
[0008]为解决上述问题，本专利技术采用如下的技术方案。
[0009]一种低熔点聚酯切片的制备方法，包括以下步骤：
[0010]S1、取对苯二甲酸、间苯二甲酸、邻苯二甲酸、丁二醇混合后投入至反应釜内，升温至250
‑
260℃，在负压环境下加入催化剂进行酯化反应；
[0011]S2、酯化反应结束后进行恢复常压进行缩聚反应，20
‑
40min后调节为真空环境并安装上助改性盘，并升温至260
‑
270℃进行真空缩聚反应；
[0012]S3、真空缩聚反应过程中，在反应釜下方施加瞬时磁场，迫使助改性盘向物料中辐射延伸，并释放出改性剂进行扩散；
[0013]S4、瞬时磁场施加时间间隔为5
‑
10s，不断施加至助改性盘无法延伸至反应釜底部则粘度达到规定；
[0014]S5、充入氮气加压挤出聚合物，经冷却、切粒、干燥即得低熔点聚酯切片。
[0015]进一步的，所述步骤S1中的原料按重量份数计为：对苯二甲酸10
‑
30份、间苯二甲酸10
‑
30份、邻苯二甲酸10
‑
30份、丁二醇40
‑
60份，所述步骤S1中催化剂按重量份数计5
‑
10份，且催化剂为为异辛酸铋和月桂酸铋中的至少一种。
[0016]进一步的，所述步骤S1中酯化反应的压强为0.1
‑
0.3Mpa，反应时间为1
‑
2h。
[0017]进一步的，所述步骤S3中改性剂按重量份数计3
‑
6份，且改性剂为烯丙基聚氧乙烯醚、二元酸及其酯类、二元醇中的至少一种，所述真空环境的真空度为250
‑
350Pa。
[0018]进一步的，所述助改性盘包括多个均匀分布的辐射改性单元，所述辐射改性单元包括固定盘、多根延伸链以及多个改性球，所述延伸链均匀连接于固定盘外端，所述改性球连接于延伸链的尾端，施加磁场后，改性球可以在磁场作用下向原料内进行迁移辐射，一方面可以促进原料内的温度分布均匀，另一方面可以释放出改性剂进行扩散改性，并作为缩聚反应粘度合格的判断依据。
[0019]进一步的，所述延伸链包括弹性拉线、非弹性拉线以及助扩散球，所述改性球上端开设有与助扩散球相匹配的释液槽，且助扩散球活动镶嵌于释液槽内，所述非弹性拉线连接于固定盘和助扩散球之间，所述弹性拉线连接于固定盘与改性球之间，正常状态下助扩散球对释液槽进行封堵，改性剂无法提前释放，当改性球充分迁移至原料底部后，非弹性拉线牵引助扩散球脱离释液槽，从而释放出改性剂，保证在缩聚反应充分发生前均可以提供改性剂，在缩聚反应结束后粘度达到要求后，改性球无法直接迁移至原料底部，助扩散球始终对释液槽进行封堵，从而节约改性剂的用量，同时避免过度释放对缩聚反应造成干扰。
[0020]进一步的，所述助扩散球包括中空纳粉球、导热环以及透气膜，所述导热环镶嵌连接于中空纳粉球中心处并呈水平分布，所述中空纳粉球内填充有碳酸氢钠粉末，所述透气膜覆盖于中空纳粉球外表面，在助扩散球对释液槽进行封堵时，导热环处于隐藏状态，中空纳粉球可以充分隔绝外界的热量，在助扩散球脱离释液槽后，导热环方可暴露在外界吸收热量对碳酸氢钠粉末进行加热，碳酸氢钠粉末受热分解释放出二氧化碳，然后辅助释放出去的改性剂进行充分扩散。
[0021]进一步的，所述中空纳粉球采用弹性导热材料制成多孔透气结构，所述导热环采用隔热材料制成密封不透气结构，保证碳酸氢钠粉末受热分解后产生气体从导热环处释放，即使出现碳酸氢钠粉末意外受热而提前分解的情况，产生的气体也不易提前释放出去。
[0022]进一步的，所述改性球包括中空迁移球、弹性内缩端、导热顶杆以及容液囊，所述弹性内缩端镶嵌连接于中空迁移球下端并其内侧延伸，所述释液槽底部包裹有相连通的容液囊，且改性剂填充于容液囊内，所述导热顶杆镶嵌连接于弹性内缩端内，所述中空迁移球内填充有粉末状隔磁材料，在改性球充分迁移至原料底部受到阻挡后，弹性内缩端挤压形变，导热顶杆向内侧迁移并对容液囊进行挤压，此时助扩散球也脱离释液槽，改性剂可以顺
利释放出去，同时助扩散球受热释放出气体辅助改性剂的扩散。
[0023]进一步的，所述中空迁移球采用硬质隔热材料制成，所述弹性内缩端采用弹性隔热材料制成，所述导热顶杆采用硬质导热材料制成。
[0024]3.有益效果
[0025]相比于现有技术，本专利技术的优点在于：
[0026](1)本方案可以通过引入助改性盘，在原本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低熔点聚酯切片的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、取对苯二甲酸、间苯二甲酸、邻苯二甲酸、丁二醇混合后投入至反应釜内，升温至250
‑
260℃，在负压环境下加入催化剂进行酯化反应；S2、酯化反应结束后进行恢复常压进行缩聚反应，20
‑
40min后调节为真空环境并安装上助改性盘，并升温至260
‑
270℃进行真空缩聚反应；S3、真空缩聚反应过程中，在反应釜下方施加瞬时磁场，迫使助改性盘向物料中辐射延伸，并释放出改性剂进行扩散；S4、瞬时磁场施加时间间隔为5
‑
10s，不断施加至助改性盘无法延伸至反应釜底部则粘度达到规定；S5、充入氮气加压挤出聚合物，经冷却、切粒、干燥即得低熔点聚酯切片。2.根据权利要求1所述的一种低熔点聚酯切片的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中的原料按重量份数计为：对苯二甲酸10
‑
30份、间苯二甲酸10
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30份、邻苯二甲酸10
‑
30份、丁二醇40
‑
60份，所述步骤S1中催化剂按重量份数计5
‑
10份，且催化剂为为异辛酸铋和月桂酸铋中的至少一种。3.根据权利要求1所述的一种低熔点聚酯切片的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中酯化反应的压强为0.1
‑
0.3Mpa，反应时间为1
‑
2h。4.根据权利要求1所述的一种低熔点聚酯切片的制备方法，其特征在于：所述步骤S3中改性剂按重量份数计3
‑
6份，且改性剂为烯丙基聚氧乙烯醚、二元酸及其酯类、二元醇中的至少一种，所述真空环境的真空度为250
‑
350Pa。5.根据权利要求1所述的一种低熔点聚酯切片的制备方法，其特征在于：所述助改性盘包...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖安，
申请(专利权)人：肖安，
类型：发明
国别省市：