一种基于三相可控硅的电暖炉加热装置制造方法及图纸

技术编号:30281566 阅读:48 留言:0更新日期:2021-10-09 21:50
本实用新型专利技术属于电力电子领域,特别涉及一种基于三相可控硅的电暖炉加热装置,包括功率电路与控制电路;所述控制电路又包括辅助电源电路、电压过零点检测电路、温度检测电路、电流检测电路、驱动电路与功率调节电路;所述功率电路由三个大功率双向可控硅模块构成,输入端直接连接三相电网,输出端连接发热管;所述控制电路实现电网电压过零点检测、输出功率调节、过温保护、过流保护与可控硅驱动等功能。本实用新型专利技术提供了一种基于三相可控硅的电暖炉加热装置,能够实时调节输出功率,具有过温、过流、缺相等保护功能,提高了系统的可靠性与稳定性。定性。定性。

【技术实现步骤摘要】
一种基于三相可控硅的电暖炉加热装置


[0001]本技术涉及一种基于三相可控硅的电暖炉加热装置,属于电力电子


技术介绍

[0002]电暖炉是一种常用的加热、取暖、烘干设备,广泛应用于住宅、商场、餐馆、医院、学校等地点。可控硅是一种半控型电力电子元件,具有控制简单、导通电阻小、效率高、耐高温、寿命长等优点,因此被广泛应用于电暖炉等商业产品中。基于可控硅的电暖炉具有使用方便、加热速度快等优点。然而,现有的电暖炉技术通常具有不可连续调节、保护功能不齐全等缺点,不仅难以满足人们的使用需求,而且存在安全隐患。同时,现有的电暖炉技术基于单相交流电设计,功率定额受到了一定约束,很难满足大功率场合的应用。

技术实现思路

[0003]技术问题:针对上述现有技术,提供一种基于三相可控硅的电暖炉加热装置,该装置具有功率连续调节功能,且具有过流、过温、缺相等保护功能。
[0004]为解决上述技术问题,本技术采用的技术方案是:
[0005]一种基于三相可控硅的电暖炉加热装置,包括功率电路与控制电路;所述控制电路又包括辅助电源电路、电压过零点检测电路、温度检测电路、电流检测电路、驱动电路与功率调节电路;所述功率电路由三个大功率双向可控硅模块构成,双向可控硅模块输入端直接连接三相电网,输出端连接发热管;所述控制电路实现电网电压过零点检测、输出功率调节、过温保护、过流保护与可控硅驱动等功能。
[0006]作为优选的,辅助电源模块包括高压输入接口P1、电阻R1

R4、变压器T1、整流集成芯片U1、电容C1

C7、三极管Q1、稳压二极管D1、直流降压芯片U2;高压输入接口P1具有两个输入引脚,分别连接三相电网的U相与V相;高压输入接口的1引脚经过限流电阻R1连接至变压器T1一次侧的1引脚,高压输入接口的2引脚直接连接至变压器T1输入侧的2引脚;变压器T1二次侧的3引脚与4 号脚连接至整流集成芯片U1的输入端1引脚与2引脚,整流集成芯片U1的输出端3引脚与4引脚之间并联电容C1

C3,实现稳压、滤波功能;将经过稳压、滤波的直流电压正极连接至三极管Q1的集电极,负极连接参考地信号GND,同时,三极管Q1的基极经过稳压二极管D1连接至GND,三极管Q1的集电极与基极之间并联电阻R2,三极管Q1的发射极为5V直流信号,在其与GND之间并联电容C4与C5实现5V信号的稳压、滤波;电阻R3实现信号隔离,1引脚连接三极管Q1发射极,2引脚连接信号Vcc;5V信号经过电阻R4连接至直流降压芯片U2的输入端,其输出电压为3.3V,电容C6与C7并联至3.3V信号与GND之间实现稳压与滤波功能。
[0007]作为优选的,电压过零点检测电路构成完全一致,对于U相,电压过零点检测电路包括R5

R14、电容C8、二极管D2与D3、光耦U3、三极管Q4;二极管D2 阳极连接中性点N,阴极与二极管D3阳极相连,二极管D3阴极与二极管D2阴极相连,且经过串联的电阻R5

R10连接
至输入电压U,同时,在二极管D3阴极与中性点N之间并联电容C8,且二极管D3阴极与中性点N分别连接至光耦U3 的1引脚与2引脚;光耦U3的3引脚连接至3.3V信号,光耦U3的4引脚经过电阻R11与R12连接至GND;3.3V信号与输出信号ZERO_U之间并联电阻R13 与R14,三极管Q4基极连接至电阻R11与R12的连接点,三极管Q4的发射极连接至GND,集电极连接至输出信号ZERO_U。
[0008]作为优选的,温度检测电路包括热敏电阻Rt1、电阻R35与R36、电容C11;热敏电阻Rt1的1引脚经过电阻R35与输出信号SCR_TEMP连接,同时经过电阻 R36连接至3.3V信号,2引脚与GND连接;电容C11并联在输出信号SCR_TEMP 与GND之间,实现信号滤波。
[0009]作为优选的,电流检测电路包括电流互感器接口P2、电阻R37

R41、电容C12
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C14、运放芯片U6;电流互感器接口P2的1引脚经过电阻R37连接至运放芯片U6 的2引脚,2引脚与1引脚间并联电容C12;运放芯片1引脚与输出信号Cur_Meas 连接,2引脚与GND之间串联电阻R38与电阻R39,电容C12与电阻R38并联,3 引脚连接信号VREF,4引脚连接至GND,8引脚连接3.3V信号,其他引脚悬空;电阻R40一端连接至GND,另一端连接VREF,而电阻R41一端连接3.3V信号,另一端连接VREF。
[0010]作为优选的,三相可控硅的驱动电路完全一致,对于U相,驱动电路包括:电阻R42

R47、电容C15与C16、二极管D8

D10、三极管Q5

Q7、变压器T2、驱动信号接口P3与P4;驱动信号Driver_U经过电阻R42连接至三极管Q5的基极;三极管Q5的基极还经过电阻R43连接至GND,集电极经过电阻R44连接至信号Vcc,发射极经过电阻R45连接至GND,同时三极管Q5的发射极还与三极管Q6 的基极相连;三极管Q6的发射极与GND相连,集电极连接至变压器T2一次侧的4引脚;变压器T2一次侧的2引脚与信号Vcc相连,且在2引脚与4引脚之间并联了二极管D8,变压器T2二次侧的6引脚与二极管D9的阳极相连,7引脚直接连接至驱动信号接口P3的3引脚,变压器T2二次侧的9引脚与二极管D10 的阳极相连,10引脚直接连接至驱动信号接口P4的3引脚;二极管D9的阴极经过电阻R46连接至接口P3的1引脚,且电容C15并联在二极管D9的阴极与变压器T2二次侧的7引脚之间,二极管D10的阴极经过电阻R47连接至接口P4 的1引脚,且电容C16并联在二极管D10的阴极与变压器T2二次侧的10引脚之间。
[0011]作为优选的,功率调节电路包括滑动变阻器接口P9、电阻R60、电容C21;滑动变阻器接口P9具有三个引脚,1引脚连接3.3V信号,2引脚经过电阻R60 连接至功率调节信号Reg,3引脚连接GND,电容C21并联于功率调节信号Reg 与GND之间实现滤波功能。
[0012]采用本技术方案的有益效果:本技术基于三相可控硅设计,能够满足大功率应用场合的需求;同时,具有功率连续调节功能,能够方便地控制环境温度,满足人们的使用需求;此外,保护功能齐全,能够实现过流、过温、缺相等保护功能,提高了系统的可靠性与稳定性。
附图说明
[0013]图1是本技术的一种基于三相可控硅的电暖炉加热装置的原理框图;
[0014]图2是辅助电源电路的电路原理图;
[0015]图3是电压过零点检测电路的电路原理图;
[0016]图4是温度检测电路的电路原理图;
[0017]图5是电流检测电路的电路原理图;
[0018]图6是驱动电路的电路原理图;
[0019]图7是功率调节电路的电路原理图。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于三相可控硅的电暖炉加热装置,其特征在于:包括功率电路与控制电路;所述控制电路又包括辅助电源电路、电压过零点检测电路、温度检测电路、电流检测电路、驱动电路与功率调节电路;所述功率电路由三个大功率双向可控硅模块构成,双向可控硅模块输入端直接连接三相电网,输出端连接发热管;所述控制电路实现电网电压过零点检测、输出功率调节、过温保护、过流保护与可控硅驱动等功能。2.根据权利要求1所述的一种基于三相可控硅的电暖炉加热装置,其特征在于:辅助电源模块包括高压输入接口P1、电阻R1

R4、变压器T1、整流集成芯片U1、电容C1

C7、三极管Q1、稳压二极管D1、直流降压芯片U2;高压输入接口P1具有两个输入引脚,分别连接三相电网的U相与V相;高压输入接口的1引脚经过限流电阻R1连接至变压器T1一次侧的1引脚,高压输入接口的2引脚直接连接至变压器T1输入侧的2引脚;变压器T1二次侧的3引脚与4号脚连接至整流集成芯片U1的输入端1引脚与2引脚,整流集成芯片U1的输出端3引脚与4引脚之间并联电容C1

C3,实现稳压、滤波功能;将经过稳压、滤波的直流电压正极连接至三极管Q1的集电极,负极连接参考地信号GND,同时,三极管Q1的基极经过稳压二极管D1连接至GND,三极管Q1的集电极与基极之间并联电阻R2,三极管Q1的发射极为5V直流信号,在其与GND之间并联电容C4与C5实现5V信号的稳压、滤波;电阻R3实现信号隔离,1引脚连接三极管Q1发射极,2引脚连接信号Vcc;5V信号经过电阻R4连接至直流降压芯片U2的输入端,其输出电压为3.3V,电容C6与C7并联至3.3V信号与GND之间实现稳压与滤波功能。3.根据权利要求1所述的一种基于三相可控硅的电暖炉加热装置,其特征在于:电压过零点检测电路构成完全一致,对于U相,电压过零点检测电路包括R5

R14、电容C8、二极管D2与D3、光耦U3、三极管Q4;二极管D2阳极连接中性点N,阴极与二极管D3阳极相连,二极管D3阴极与二极管D2阴极相连,且经过串联的电阻R5

R10连接至输入电压U,同时,在二极管D3阴极与中性点N之间并联电容C8,且二极管D3阴极与中性点N分别连接至光耦U3的1引脚与2引脚;光耦U3的3引脚连接至3.3V信号,光耦U3的4引脚经过电阻R11与R12连接至GND;3.3V信号与输出信号ZERO_U之间并联电阻R13与R14,三极管Q4 基极连接至电阻R11与R12的连接点,三极管Q4的发射极连接至GND,集电极连接至输出信号ZERO_U。4.根据权利要求1所述的一种基于三相可控硅的电暖炉加热装置,其特征在于:温度检测...

【专利技术属性】
技术研发人员:许多於锋刘兴
申请(专利权)人:南通莱欧电子科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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