功率放大电路制造技术

本发明专利技术提供一种能够不受反射波的影响并在负载变动时抑制功率增益的功率放大电路。具备：第1放大器，将被供给的第1RF信号放大并输出第2RF信号；第2放大器，将被供给的所述第2RF信号放大并输出第3RF信号；偏置电路，向所述第1放大器或所述第2放大器供给偏置电流或电压；和偏置调整电路，基于所述第1RF信号、所述第2RF信号或所述第3RF信号对所述偏置电流或电压进行调整，所述偏置调整电路包含在阳极被输入表示基于所述第1RF信号、所述第2RF信号或所述第3RF信号的任一者的信号的控制信号且阴极与接地连接的第1二极管，所述偏置电路包含基于所述第1二极管的所述阳极的电压来输出所述偏置电流或电压的偏置晶体管。偏置电流或电压的偏置晶体管。偏置电流或电压的偏置晶体管。

【技术实现步骤摘要】
功率放大电路


[0001]本公开涉及功率放大电路。

技术介绍

[0002]在便携式电话等移动通信终端中，使用了对向基站发送的RF(Radio Frequency，射频)信号进行放大的功率放大电路。功率放大电路具备对RF信号进行放大的晶体管、对晶体管的偏置点进行控制的偏置电路。而且，已知具备用于对该偏置电压进行控制的保护电路的功率放大电路。
[0003]在先技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：US6580321B1
[0006]近年来，伴随着前端的电路结构的复杂化，功率放大电路的负载损耗增大，因此对于功率放大电路要求高输出化。高输出的功率放大电路在负载变动时，电流以及电压的振幅根据负载的相位变动而大幅变动。在专利文献1记载的功率放大电路中，通过插入保护电路对偏置电压进行控制，由此改善了耐功率特性。但是，在专利文献1记载的功率放大电路中，对于输出匹配连接钳位二极管，从该钳位二极管的给定的二极管的阳极对RF信号进行检波，因此不具有方向性，所以有可能受到反射波的影响。

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的课题
[0008]因此，本公开的目的在于，抑制反射波的影响，并在负载变动时抑制功率增益。
[0009]用于解决课题的手段
[0010]本专利技术的一个方面涉及的功率放大电路，具备：第1放大器，将被供给的第1RF信号放大并输出第2RF信号；第2放大器，将被供给的所述第2RF信号放大并输出第3RF信号；偏置电路，向所述第1放大器或者所述第2放大器供给偏置电流或者电压；和偏置调整电路，基于所述第1RF信号、所述第2RF信号或者所述第3RF信号对所述偏置电流或者电压进行调整，所述偏置调整电路包含：第1二极管，在阳极被输入表示基于所述第1RF信号、所述第2RF信号或者所述第3RF信号的任一者的信号的控制信号，阴极与接地连接，所述偏置电路包含：偏置晶体管，基于所述第1二极管的所述阳极的电压来输出所述偏置电流或者电压。
[0011]专利技术效果
[0012]根据本公开，能够提供一种可抑制反射波的影响并能够在负载变动时抑制功率增益的功率放大电路。
附图说明
[0013]图1是示出包含本实施方式涉及的功率放大电路的功率放大模块的结构的概要的图。
[0014]图2是示出本实施方式涉及的功率放大电路的结构的一例的图。
[0015]图3是表示经过时间t和电流Isub_c的关系的曲线图。
[0016]图4是表示经过时间t和电压Vc1的关系的曲线图。
[0017]图5是示出输入功率和电压Vc2的关系的曲线图。
[0018]图6是示出输入功率和增益的关系的曲线图。
[0019]图7是示出变形例涉及的功率放大电路的结构的一例的图。
[0020]图8是示出变形例涉及的功率放大电路的结构的一例的图。
[0021]图9是示出变形例涉及的功率放大电路的结构的一例的图。
[0022]图10是示出变形例涉及的功率放大电路的结构的一例的图。
[0023]图11是示出变形例涉及的功率放大电路的结构的一例的图。
[0024]图12是示出变形例涉及的功率放大电路的结构的一例的图。
[0025]符号说明
[0026]1…
功率放大模块，10
…
功率放大电路，20、30
…
放大器，40
…
电源电路，50、60
…
偏置电路，51、61
…
电源端子，70
…
偏置调整电路，80～82
…
匹配电路。
具体实施方式
[0027]以下，参照各图对本公开的各实施方式进行说明。在此，相同符号的电路元件示出相同的电路元件，省略重复的说明。
[0028]＝＝＝功率放大模块1的结构＝＝＝
[0029]图1是示出包含本实施方式涉及的功率放大电路10的功率放大模块1的结构的概要的图。功率放大模块1例如搭载于便携式电话等移动通信设备，将输入信号RFin的功率放大至为了发送到基站所需要的水平，并将其作为放大信号RFout而输出。输入信号RFin例如是通过RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit，射频集成电路)等根据给定的通信方式而被调制的无线频率(RF：Radio Frequency)信号。输入信号RFin的通信标准例如包含2G(第2代移动通信系统)、3G(第3代移动通信系统)、4G(第4代移动通信系统)、5G(第5代移动通信系统)、LTE(Long Term Evolution，长期演进)
‑
FDD(Frequency Division Duplex，频分双工)、LTE
‑
TDD(Time Division Duplex，时分双工)、LTE
‑
Advanced或LTE
‑
Advanced Pro等，频率例如为数百MHz～数十GHz程度。另外，输入信号RFin的通信标准以及频率不限于这些。
[0030]功率放大模块1例如具备功率放大电路10以及电源电路40。
[0031]功率放大电路10具备放大器20、30、偏置电路50、60、偏置调整电路70以及匹配电路80～82。
[0032]放大器20、30分别对输入的RF信号进行放大并输出。初级(驱动级)的放大器20对从输入端子经由匹配电路80而输入的输入信号RFin(第1RF信号)进行放大，并输出RF信号RF1(第2RF信号)。后级(功率级)的放大器30对从放大器20经由匹配电路81而供给的RF信号RF1进行放大，并输出RF信号RF2(第3RF信号)。RF信号RF2经由匹配电路82作为放大信号RFout而输出。放大器20、30分别由例如异质结双极晶体管(Heteroiunction Bipolar Transistor)等晶体管构成。另外，放大器20、30也可以由场效应晶体管(Metal
‑
oxide
‑
semiconductor Field
‑
Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)构成来取代
HBT。在该情况下，只要将集电极、基极、发射极分别改读为漏极、栅极、源极即可。另外，以下，只要没有特别记载，就以晶体管由HBT构成的情况为例进行说明。
[0033]偏置电路50、60分别向放大器20、30供给偏置电流或者偏置电压。
[0034]偏置调整电路70基于RF信号RF1对从偏置电路60向晶体管Q2供给的偏置电流或者偏置电压进行调整。
[0035]关于放大器30、偏置电路60以及偏置调整电路70的结构的详情将在后面叙述。
[0036]匹配电路(MN：Matching Network，匹配网络)80使设置在前级的电路(未图示)和放大器20的阻抗匹配。匹配电路81使放大器2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率放大电路，其特征在于，具备：第1放大器，将被供给的第1RF信号放大并输出第2RF信号；第2放大器，将被供给的所述第2RF信号放大并输出第3RF信号；偏置电路，向所述第1放大器或者所述第2放大器供给偏置电流或者电压；和偏置调整电路，基于所述第1RF信号、所述第2RF信号或者所述第3RF信号对所述偏置电流或者电压进行调整，所述偏置调整电路包含：第1二极管，在阳极被输入表示基于所述第1RF信号、所述第2RF信号或者所述第3RF信号的任一者的信号的控制信号，阴极与接地连接，所述偏置电路包含：偏置晶体管，基于所述第1二极管的所述阳极的电压来输出所述偏置电流或者电压。2.根据权利要求1所述的功率放大电路，其特征在于，所述第1放大器具备被供给所述第1RF信号的第1供给端子和输出所述第2RF信号的第1输出端子，所述第2放大器具备与所述第1放大器的第1输出端子连接且被供给所述第2RF信号的第2供给端子和输出所述第3RF信号的第2输出端子，所述偏置电路的所述偏置晶体管的发射极与所述第1放大器的所述第1供给端子或者所述第2放大器的所述第2供给端子连接，所述偏置调整电路的所述第1二极管的阳极与所述第1供给端子、所述第1输出端子或者所述第2输出端子连接，所述偏置晶体管的基极与所述第1二极管的所述阳极连接。3.根据权利要求1或2所述的功率放大电路，其特征在于，所述偏置调整电路还包含第1电阻器，在所述第1二极管的阳极，通过所述第1电阻器被输入所述控制信号。4.根据权利要求3所述的功率放大电路，其特征在于，在所述第1二极管的所述阳极连接所述第1电阻器。5.根据权利要求1至4中任一项所述的功率放大电路，其特征在于，所述偏置调整电路还具备第2电阻器，所述第1二极管的阳极的电压通过所述第2电阻器被供给至所述偏置电路。6.根据权利要求5所述的功率放大电路，其特征在于，在所述第1二极管的所述阳极连接所述第2电阻器。7.根据权利要求1至6中任一项所述的功率放大电路，其特征在于，所述偏置电路还包含：第2二极管，在阳极被供给所述第1二极管的阳极的电压，阴极被接地；和第3二极管，阴极与所述第2二极管的阳极连接，在阳极被供给偏置控制电压或者电流，所述偏置晶体管的基极或者栅极与所述第3二极管的阳极连接。8.根据权利要求7所述的功率放大电路，其特征在于，所述第2二极管的阳极与所述第1二极管的阳极连接，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：筒井孝幸，田中聪，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：