一种用于对Ｘ－Ｙ矩阵中的准电容元件进行充电和放电的寻址装置。诸如通过断开和闭合到与较高阻抗串联电阻器（逻辑比特１）并联设置的低阻抗电阻器（逻辑比特０）的路径，寻址装置可被配置成将电阻器－电容器的时间常数在大的值和小的值之间来回切换。当发生这种情形时，可寻址和控制在Ｘ－Ｙ矩阵（１０２）中的元件。Ｘ－Ｙ矩阵可由多条“行”和“列”导线构成，其中交叉效应可沿着列和行（１００和１０１）发生。通过使用滞后管理或整体控制沿着行的整个长度的行阻抗，可以减少交叉效应。所产生的控制避免了在执行切换功能的每个矩阵元件处需要有源器件。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术主要涉及平板显示器领域，尤其涉及由基本元件构成的相阵列系统，该基本元件具有激活阈值，结合足够短的周期时间，或者采用滞后管理或其它方法的选择增大，可允许通过和/或电压连接对其进行控制。
技术介绍
作为较大类别的可控器件的典型，平板显示器由通常以X-Y矩阵方式排列的大量图像元件(像素)构成。不同的像素设计借助于不同的方法来控制单个像素，对于最现代的显示器技术而言，例如液晶显示器，单个像素通常又分解成红、绿和蓝子像素。有源矩阵寻址通常涉及在各个子像素处的有源器件(晶体管，更具体地说，薄膜晶体管)的使用，以电气控制显示器的诸像素。可选择的最著名的方法是无源矩阵寻址，它在那些容许维持视觉暂留操作的平板显示器设计中利用像素等待时间(视觉暂留)，来避免在整个显示器中分布晶体管的需要。无源矩阵显示器虽然价格更便宜，但也被认为质量较差，因此被认为不适用于具有高帧速率的高分辨率和/或视频显示器的应用。而呈现较好性能的有源矩阵显示器则由于在显示器的表面区域上分布着大量的半导体(通常共计大于三百万)，而存在着更加复杂，建造成本更高，在较大显示器尺寸方面要承受成品率低的缺点。因此，本领域需要结合有源矩阵和无源矩阵寻址的最佳特征的显示器寻址装置在较大显示器尺寸方面的高成品率，在显示器上完全没有有源器件(晶体管)，高分辨率能力和适合于视频成像的高帧速率。
技术实现思路
通过控制在显示屏上的电阻电容的时间常数(下文称“RC”，表示算术乘积RC，其中R是电阻，而C是电容)的局部值，上述问题至少可在某些实施例中得到部分解决。当RC局部大时，充电和放电时间同样也成比例地大。当RC局部小时，充电和放电时间同样也小。通过调节串联阻抗R的值可控制RC。调节串联阻抗值的一种直接方式是将大电阻与小电阻和可控开关相并联。当开关开路时，电流只能通过大电阻，产生大的RC值。当开关闭合时，电流通过小的和大的电阻，产生小的RC值。因此，开关可用于确定RC值方面占主导的R的值。某些显示器种类(或其它可寻址的系统，诸如相阵列系统)具有足够高的帧速率(和相对应的短的信号周期)，由于充电发生得太慢而不能使器件局部地激活，例如使给定的像素激活，所以在充电周期期间RC的局部高的值与“断开”条件是不可区别的。用同样的方式，由于放电发生得太慢而使器件在给定的帧持续时间不能局部地停止工作，所以在放电期间RC的局部高的值使得放电时间充分延长以致与持续的“导通”条件是不可区别的，即使如此，也需要控制沿着行或列的像素之间的交叉泄漏的装置，以获得所施加信号的适当控制的视觉暂留。在详细描述部分揭示了两种截然不同的视觉暂留增强装置，以提供所需的附加器件的视觉暂留。一种视觉暂留增强装置是基于使用多级电压控制的滞后管理。另一种视觉暂留增强装置是基于通过完全分开控制整行的电阻来实现在像素之间的有效RC常数的行水平扩展。在充电周期期间局部低的RC值为局部器件产生快速的导通周期；在放电周期期间，它为局部器件产生快速的断开。该系统以X-Y矩阵几何结构来连接阻抗以获得在X和Y线交叉处的器件的控制。在表示视觉暂留增强装置的实施的地方，可调用两种方法中的一种。第一种方法是滞后管理，可在行上采用两种电压电平和在列上采用三种电压电平，以保证局部信号视觉暂留。由于计量独立，只要关系到物理原则，行和列可作互换处理。在相关的系统周期中，只要被激活的器件满足与关键电压组合相关滞后行为有关的某些要求，器件视觉暂留可充分地防止交叉泄漏。第二种方法包括使用能够较大电控制改变电阻的材料，例如某些掺杂钙钛矿(perovskites)的材料，来改变整个长度的行有效电阻。局部RC值从而被扩展到像素间级别，对像素间的充电泄漏产生暂时的屏蔽，并将电荷“锁住”在像素上，从而在相关的时间周期内提供固有的视觉暂留。适用于该寻址方案的器件呈现出对时间敏感的激活-停止工作阈值，该阈值以前述方式响应电容时间常数RC的局部操纵。若在原色子帧的每个分离的可寻址时间细分期间(例如，在红色子周期期间以规则的间隔)对像素器件寻址，则高RC状态只能对局部像素提供不充分的时间，使之难以在该周期内以任意方向(充电或放电)越过激励阈值。若像素只在原色子帧移动期间被寻址(例如，只是在红色子周期期间的一个导通断开事件)，这个要求变得更加严厉，对于延长的RC常数，仍可防止器件在这个更长的时间范围(由固定的整数系列的原色子帧的分离可寻址时间细分构成)内以任意方向(充电或放电)越过激活阈。在本专利技术的一个实施例中，寻址装置包括第一组平行的、共面的导电控制线。该寻址装置还可包括第二组平行的、共面的导电控制线，其中第二组导电控制线相对于第一组导电控制线被隔开。此外，第二组导电控制线的平面平行于第一组导电控制线的平面。此外，第二组导电控制线的控制线垂直于第一组导电控制线的控制线。该寻址装置还包括行选择装置，该行选择装置配置成选择性地将串联阻抗施加到第一组导电控制线，从而使得阻抗在相对于确定到地的放电路径的低值和高值之间来回切换。该寻址装置还包括列选择装置，该列选择装置配置成选择性地将驱动电压施加到第二组导电线的每一导电线。前面已经宽泛地概述了本专利技术一个或多个实施例的特征和技术优点，以便可以更好地理解下面本专利技术实施例的详细描述。本专利技术实施例的其它特征和优点将在构成权利要求书主题的下文中描述。附图简述当结合下面的附图来考虑下文的详细描述时，可更好地理解本专利技术，其中附图说明图1示出了由本专利技术的任一实施例驱动的典型X-Y矩阵系统；图2示出了根据本专利技术的一个实施例、在X-Y矩阵中个体器件以电荷和时间为函数的激活行为； 图3示出了根据本专利技术的实施例包括模拟控制的电介质去极化和公共列快速放电装置的电压连接列驱动器实施例的方框逻辑分解；图4示出了根据本专利技术的实施例包括模拟控制的电介质去极化和个体列快速放电装置的本专利技术阻抗连接列驱动器实施例的方框逻辑分解；图5示出了根据本专利技术的实施例、包括逻辑控制的电介质去极化和公共列快速放电装置的本专利技术电压连接列驱动器实施例的方框逻辑分解；图6示出了根据本专利技术的实施例、包括逻辑控制的电介质去极化和个体列快速放电装置的本专利技术阻抗连接列驱动器实施例的方框逻辑分解；图7示出了根据本专利技术实施例的高阻抗状态的充电曲线；图8示出了根据本专利技术实施例的低阻抗状态的充电曲线；图9示出了根据本专利技术实施例的高阻抗状态的放电曲线；图10示出了根据本专利技术实施例的低阻抗状态的放电曲线；图11示出了根据本专利技术的实施例的连续模式和脉冲模式驱动器方案之间的差异；图12示出了根据本专利技术的实施例将驱动并行操作施加给行选择，使瞬时响应要求减轻二分之一，并使在列驱动器配置中能够进一步并行；图13提供了根据本专利技术的实施例在图3中揭示的寻址装置的输入和输出的详尽表格；图14提供了根据本专利技术的实施例在图4中揭示的寻址装置的输入和输出的详尽表格；图15提供了根据本专利技术的实施例在图5中揭示的寻址装置的输入和输出的详尽表格；图16提供了根据本专利技术的实施例在图6中揭示的寻址装置的输入和输出的详尽表格；图17示出了图3、4、5和6的方框图的故障容错、双驱动系统变型，它提供了根据本专利技术的实施例在一行或多行或列中存在电气不连续的情况下的系统冗余；图18示出了根据本专利技术的实施例，需要实施获得信号视觉暂留和像本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种寻址装置，包括： 第一组平行的、共面的导电控制线； 第二组平行的、共面的导电控制线，其中所述第二组导电控制线相对于所述第一组导电控制线被隔开，其中所述第二组导电控制线的平面平行于所述第一组导电控制线的平面，其中所述第二组导电控制线的控制线垂直于所述第一组导电控制线的控制线； 第一选择装置，所述第一选择装置配置成选择性地将串联阻抗施加到所述第一组导电控制线中的一条控制线；以及 第二选择装置，所述第二选择装置配置成选择性地将驱动电压施加到第二组导电线的每一导电线。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：K德瑞奇斯，
申请(专利权)人：单方图素显示股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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