【技术实现步骤摘要】
应用界面电荷制备冷冻电镜样品的方法
[0001]本专利技术涉及透射电镜样品制备
,特别涉及一种应用界面电荷制备冷冻电镜样品的方法。
技术介绍
[0002]单颗粒冷冻电镜方法需要包埋在薄玻璃态冰层中的样品颗粒分布均匀且取向随机。然而,冷冻样品制备过程中形成的超薄液膜,其上下界面却常常不吸附样品颗粒,或者导致嵌在玻璃态冰中的样品颗粒出现取向优势问题,成为冷冻电镜高分辨结构解析的主要障碍之一。
[0003]冷冻样品制备过程中形成的超薄液膜,其上下界面包括气液界面以及二维膜/溶液界面。其中二维膜包括石墨烯膜,氮化硼膜,超薄碳膜等。
[0004]目前对于解决冷冻电镜样品制备过程中气液界面导致的取向优势问题,都是基于气液界面的疏水性质,采用的方法如下:
[0005]利用去污剂分子特殊的双亲性结构,帮助占据气液界面,从而去改善蛋白的取向优势问题。但该方法存在的缺点是只有特定的去污剂对改善取向优势问题才有效,而且筛选过程费时费力,成功率较低。还有的方法是利用超快冻样仪系统,在蛋白颗粒被气液界面捕获之前将其冷冻, ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种应用界面电荷制备冷冻电镜样品的方法,其特征在于,包括如下步骤:设置冷冻制样仪的温度和湿度,在制样容器中利用液氮对液态乙烷预冷;取载网固定在冷冻制样仪上,将样品溶液滴加至载网上,除去多余样品溶液,在载网上下两面形成液膜;将载网插入预冷后的液态乙烷中玻璃化;其中,在冷冻电镜样品制备过程中,对载网液膜上的二维膜界面应用带电分子进行界面电荷修饰和界面电荷的改变,或者在无二维膜的载网液膜上,对气液界面应用带电分子进行界面电荷修饰和界面电荷的改变。2.根据权利要求1所述的应用界面电荷制备冷冻电镜样品的方法,其特征在于,在无二维膜的载网液膜上,对气液界面应用带电分子进行界面电荷修饰和界面电荷的改变,包括:先在样品溶液中加入阳离子去污剂和/或阴离子去污剂,再将加入阳离子去污剂和/或阴离子去污剂的样品溶液滴加至载网上。3.根据权利要求2所述的应用界面电荷制备冷冻电镜样品的方法,其特征在于:所述阳离子去污剂和阴离子去污剂的质量百分比浓度为0.002%~0.01%,所述阳离子去污剂为CTAB或DTAC,所述阴离子去污剂为CHS或SLS。4.根据权利要求1所述的应用界面电荷制备冷冻电镜样品的方法,其特征在于,对载网液膜上的二维膜界面应用带电分子进行界面电荷修饰和界面电荷的改变,包括:先在铺有连续二维膜的载网上滴加阳离子去污剂和/或阴离子去污剂,静置4
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6分钟后再将样品溶液滴加至载网上。5.根据权利要求4所述的应用界...
【专利技术属性】
技术研发人员:章新政,李不凡,孔令斐,
申请(专利权)人:中国科学院生物物理研究所,
类型:发明
国别省市:
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