半导体激光装置以及半导体激光元件制造方法及图纸

半导体激光装置(200)具备以结倒置的方式来安装的半导体激光元件(100)，半导体激光元件(100)包括分离形成在基板(1)上的第1发光元件区域(81)和第2发光元件区域(82)。在半导体激光元件(100)，第1发光元件区域(81)和第2发光元件区域(82)分别具有以n型半导体层(2)、活性层(3)、p型半导体层(4)的顺序依次层叠的层叠结构体(500)。第1发光元件区域(81)具有被配置在n型半导体层(2)上的第1电极膜(10a)。第2发光元件区域(82)具有被p型半导体层(4)上的第2电极膜(11b)。第1电极膜(10a)第2电极膜(11b)电连接。(11b)电连接。(11b)电连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体激光装置以及半导体激光元件


[0001]本公开涉及半导体激光装置以及半导体激光元件。

技术介绍

[0002]以往公开了一种具有多个发光元件区域的半导体激光阵列元件等半导体激光元件(例如，参照专利文献1)。
[0003]专利文献1中公开的构成是，半导体激光阵列元件的各自的发光元件区域并联且电连接。因此，在专利文献1公开的半导体激光阵列元件的各自的发光元件区域中被并行地注入电流。
[0004](现有技术文献)
[0005](专利文献)
[0006]专利文献1日本特开平11
‑
220204号公报
[0007]然而，在专利文献1公开的构成中存在的课题是，由于多个发光元件区域并联连接，因此驱动电流过大。

技术实现思路

[0008]本公开提供一种抑制了半导体激光元件的驱动电流的半导体激光装置等。
[0009]本公开的一个形态所涉及的半导体激光装置具备以结倒置的方式来安装的半导体激光元件，所述半导体激光元件包括分离形成在基板上的第1发光元件区域和第2发光元件区域，在所述半本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体激光装置，具备以结倒置的方式来安装的半导体激光元件，所述半导体激光元件包括分离形成在基板上的第1发光元件区域和第2发光元件区域，在所述半导体激光元件中，所述第1发光元件区域以及所述第2发光元件区域分别具有层叠结构体，在该层叠结构体中，以一导电型半导体层、活性层、以及另一导电型半导体层的顺序来层叠，所述第1发光元件区域具有被配置在所述一导电型半导体层上的第1电极膜，所述第2发光元件区域具有被配置在所述另一导电型半导体层上的第2电极膜，所述第1电极膜与所述第2电极膜电连接。2.如权利要求1所述的半导体激光装置，在所述第1发光元件区域与所述第2发光元件区域之间配置有分离区域，该分离区域使所述第1发光元件区域的所述一导电型半导体层与所述第2发光元件区域的所述一导电型半导体层隔开。3.如权利要求2所述的半导体激光装置，在所述第1发光元件区域的所述第1电极膜上被配置绝缘膜，在对所述绝缘膜进行俯视时，所述绝缘膜被配置在与所述第1电极膜重叠的位置，所述第1电极膜位于所述分离区域以及所述第1发光元件区域的所述一导电型半导体层上。4.如权利要求3所述的半导体激光装置，所述第1发光元件区域的所述第1电极膜、以及所述第2发光元件区域的所述第2电极膜，完全由所述绝缘膜覆盖。5.如权利要求1至4的任一项所述的半导体激光装置，所述第1发光元件区域具备：被配置在所述一导电型半导体层上的一导电型半导体层侧电极、以及被配置在所述另一导电型半导体层上的另一导电型半导体层侧电极，在所述第1发光元件区域中，在所述一导电型半导体层侧电极与所述另一导电型半导体层侧电极之间被配置凸出部。6.如权利要求1至5的任一项所述的半导体激光装置，在所述基板上被配置有从所述基板凸出的凸出结构体，该凸出结构体与所述第2发光元件区域相邻，且位于与所述第1发光元件区域相反的一侧，所述凸出结构体从所述基板的高度，与所述第2发光元件区域从所述基板的高度大致相同，被配置在所述凸出结构体的表面的第3电极膜、与所述第2发光元件区域的所述一导电型半导体层电连接。7.如权利要求6所述的半导体激光装置，所述凸出结构体与所述第2发光元件区域相邻，且仅被配置在与所述第1发光元件区域相反的一侧。8.如权利要求1至7的任一项所述的半导体激光装置，所述半导体激光装置进一步具备底座，该底座具有搭载面，在该搭载面上形成有第1金属膜图案和第2金属膜图案，在所述半导体激光元件中，所述第1发光元件区域和所述第2发光元件区域、与所述第1金属膜图案和所述第2金属膜图案分别接合。
9.如权利要求8所述的半导体激光装置，所述半导体激光元件具有多个发光元件区域，该多个发光元件区域包括所述第1发光元件区域和所述第2发光元件区域，所述底座具有多个金属膜图案，该多个金属膜图案包括所述第1金属膜图案和所述第2金属膜图案，所述多个发光元件区域每一个与所述多个金属膜图案的每一个分别连接，在所述多个发光元件区域为n个时，所述多个金属膜图案为n+1个。10.如权利要求9所述的半导体激光装置，所述多个金属膜图案的每一个具有金属层叠膜，在该金属层叠膜中，以密合层、第1势垒层、第1接触层、第2势垒层、以及第2接触层的顺序，从所述搭载面一侧依次层叠，在从所述第1发光元件区域的射出激光的端面一侧来看所述第1发光元件区域的截面时，与所述第1发光元件区域的所述另一导电型半导体层连接的多个所述金属膜图案中的一个具有：宽度比所述另一导电型半导体层的宽度大的所述第2势垒层以及所述第2接触层、宽度比所述第2势垒层以及所述第2接触层的宽度大的所述密合层、所述第1势垒层以及所述第1接触层，所述第2势垒层以及所述第2接触层被配置成，所述第2势垒层以及所述第2接触层的两端部，分别位于所述另一导电型半导体层的两端部的外侧，所述密合层、所述第1势垒层、以及所述第1接触层被配置成，所述密合层、所述第1势垒层、以及所述第1接触层的两端部，分别与所述第2势垒层以及所述第2接触层的两端部一致或位于外侧。11.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：小野将之，左文字克哉，西川透，浅香浩，西辻充，山田和弥，
申请(专利权)人：新唐科技日本株式会社，
类型：发明
国别省市：