四极装置制造方法及图纸

公开了一种操作四极装置(10)的方法。所述四极装置(10)在向所述四极装置(10)施加包括主驱动电压和至少一个辅驱动电压的重复电压波形的操作模式下进行操作。随时间推移与所述重复电压波形同步地改变进入所述四极装置的离子的强度。这可以以使得最初经历所述重复电压波形的第一相位范围内的某一相位的每单位相位离子的数量大于最初经历所述重复电压波形的第二相位范围内的某一相位的每单位相位离子的数量的方式进行。离子的数量的方式进行。离子的数量的方式进行。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】四极装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年3月11日提交的英国专利申请第1903213.5号和于2019年3月11日提交的英国专利申请第1903214.3号的优先权和权益。这些申请的全部内容通过引用并入本文。


[0003]本专利技术总体上涉及四极装置和分析仪器，如包括四极装置的质量和/或离子迁移谱仪，且具体涉及四极滤质器和包括四极滤质器的分析仪器。

技术介绍

[0004]四极滤质器是公知的，并且包括四个平行杆电极。图1示出了四极滤质器的典型布置。
[0005]在常规操作中，向四极的杆电极施加RF电压和DC电压，使得四极在质量或质荷比分辨操作模式下进行操作。质荷比在期望质荷比范围内的离子将被滤质器向前传输，但是质荷比在质荷比范围之外的不期望的离子将被大幅衰减。
[0006]驱动电压被选择为使得四极装置在一个或多个所谓的“稳定性区域”之一中操作，即，使得至少一些离子将在四极装置中呈现稳定轨迹。例如，四极装置通常在所谓的“第一”(即，最低阶)稳定性区域中操作。/>[0007]M.本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种操作四极装置的方法，所述方法包括：使所述四极装置在向所述四极装置施加包括主驱动电压和至少一个辅驱动电压的重复电压波形的操作模式下进行操作；使离子进入所述四极装置；以及与所述重复电压波形同步地改变进入所述四极装置的所述离子的强度。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述重复电压波形以第一周期Θ重复，并且其中改变进入所述四极装置的所述离子的强度包括以大约等于nΘ的第二周期基本上周期性地改变进入所述四极装置的所述离子的强度，其中n是正整数。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述重复电压波形以第一周期Θ重复，所述主驱动电压以第三周期T重复，并且其中所述第一周期Θ大于所述第三周期T。4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中改变进入所述四极装置的所述离子的强度包括将进入所述四极的所述离子的强度改变为使得初始经历所述重复电压波形的第一相位范围内的某一相位的每单位相位离子的数量大于初始经历所述重复电压波形的第二相位范围内的某一相位的每单位相位离子的数量。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述第一相位范围被选择为使得初始经历所述第一相位范围内的某一相位的离子的最大振荡振幅小于初始经历所述第二相位范围内的某一相位的离子的最大振荡振幅。6.根据权利要求4或5所述的方法，其中所述第一相位范围被选择为使得初始经历所述第一相位范围内的某一相位的离子的传输率大于初始经历所述第二相位范围内的某一相位的离子的传输率。7.根据权利要求4、5或6所述的方法，其中改变所述离子的强度包括将所述离子的强度改变为使得所述离子的强度的最大值与所述第一相位范围一致。8.根据权利要求4到7中任一项所述的方法，其中改变进入所述四极装置的所述离子的强度包括将所述离子脉冲到所述四极装置中，使得所述离子中的基本上所有离子都初始经历所述重复电压波形的所述第一相位范围内的某一相位。9.根据任一前述权利要求所述的方法，其中改变进入所述四极装置的所述离子的强度包括以下中的至少一项：(i)将离子捕获在所述四极装置上游的离子阱或离子导向器中，并且改变从所述离子阱或所述离子导向器中释放的离子的强度；(ii)从布置在所述四极装置上游的离子阱或离子导向器中释放具有所选质荷比或处于所选质荷比范围内的离子；(iii)使所述四极装置上游的至少一些离子衰减，并且改变离子衰减的程度；(iv)改变向所述四极装置施加的DC电压；(v)在所述四极装置上游形成离子包，并且使所述离子包进入所述四极装置；以及(vi)使用脉冲离子源生成离子包，并且使所述离子包进入所述四极装置。10.根据任一前述权利要求所述的方法，其中所述四极装置包括四极滤质器，并且所述方法包括使所述四极滤质器在所述操作模式下进行操作，使得离子根据所述离子的质荷比得到选择和/或过滤。11.一种设备，其包括：
四极装置；一个或多个电压源，所述一个或多个电压源被配置成向所述四极装置施加包括主驱动电...

【专利技术属性】
技术研发人员：大卫，
申请(专利权)人：英国质谱公司，
类型：发明
国别省市：